一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片的制作方法

1.本实用新型涉及精密电子工程技术领域，具体为一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片。


背景技术：

2.单晶硅片是硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料，纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上，用于制造半导体器件或太阳能电池等，用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成，在精密电子工程中需要使用到单晶硅片，但传统的精密电子工程用单晶硅片的反射率较高，光利用率低，且单晶硅片的强度较低，易损坏，不便于连接，为此，我们提出一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片，具备光利用率高，且强度高，便于连接的优点，解决了传统的精密电子工程用单晶硅片的反射率较高，光利用率低，且单晶硅片的强度较低，易损坏，不便于连接的问题。
4.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片，包括防护壳，所述防护壳的内腔设置有硅片本体，所述防护壳的内腔开设有与硅片本体配合使用的安装槽，所述防护壳的左侧设置有连接凸块，所述防护壳的右侧开设有连接槽，所述防护壳包含有耐腐蚀涂层、耐腐蚀层和强度层，所述硅片本体包含有减反射膜、防护膜和芯层。
5.优选的，所述耐腐蚀涂层位于耐腐蚀层的外表面，所述耐腐蚀层位于强度层的外表面。
6.优选的，所述减反射膜位于防护膜的外表面，所述防护膜位于芯层的外表面。
7.优选的，所述耐腐蚀涂层为特氟龙涂层，所述耐腐蚀层为钨钴合金层，所述强度层为铝钛合金层。
8.优选的，所述减反射膜为多孔二氧化硅膜，且减反射膜为波浪形结构。
9.优选的，所述防护膜为氧化锆膜，所述芯层为单晶硅片。
10.与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：
11.本实用新型将硅片本体设置在防护壳内，可有效的防止硅片本体受损，且设置的连接凸块和连接槽方便对两个相同的防护壳进行连接，从而方便对硅片本体进行排列，减反射膜为波浪形，可有效的减少大部分光的折射，且小部分光在内部折射，从而可提高光利用率，且提高硅片本体的抗裂强度，防护膜能提高硅片本体的抗碱性能和防水防潮性能，且进一步减少光的折射，提高光利用率，芯层保证了硅片本体的特性，耐腐蚀涂层增加了防护壳的耐腐蚀性，耐腐蚀层提高了防护壳的强度，且耐腐蚀性极好，强度层保证了防护壳的耐腐蚀性，从而使防护壳不易损坏，长久的对硅片本体进行保护，解决了传统的精密电子工程
用单晶硅片的反射率较高，光利用率低，且单晶硅片的强度较低，易损坏，不便于连接的问题。
附图说明
12.图1为本实用新型结构示意图；
13.图2为本实用新型防护壳部分截面放大结构示意图；
14.图3为本实用新型硅片本体部分截面放大结构示意图。
15.图中：1、防护壳；101、耐腐蚀涂层；102、耐腐蚀层；103、强度层；2、硅片本体；201、减反射膜；202、防护膜；203、芯层；3、连接凸块；4、连接槽；5、安装槽。
具体实施方式
16.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
17.在实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
18.在实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
19.本实用新型的防护壳1、耐腐蚀涂层101、耐腐蚀层102、强度层103、硅片本体2、减反射膜201、防护膜202、芯层203、连接凸块3、连接槽4和安装槽5部件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件，其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知。
20.请参阅图1-3，一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片，包括防护壳1，防护壳1的内腔设置有硅片本体2，防护壳1的内腔开设有与硅片本体2配合使用的安装槽5，防护壳1的左侧设置有连接凸块3，防护壳1的右侧开设有连接槽4，防护壳1包含有耐腐蚀涂层101、耐腐蚀层102和强度层103，耐腐蚀涂层101位于耐腐蚀层102的外表面，耐腐蚀层102位于强度层103的外表面，耐腐蚀涂层101为特氟龙涂层，耐腐蚀层102为钨钴合金层，强度层103为铝钛合金层，硅片本体2包含有减反射膜201、防护膜202和芯层203，减反射膜201位于防护膜202的外表面，防护膜202位于芯层203的外表面，减反射膜201为多孔二氧化硅膜，且减反射膜201为波浪形结构，防护膜202为氧化锆膜，芯层203为单晶硅片，将硅片本体2设置在防护壳1内，可有效的防止硅片本体2受损，且设置的连接凸块3和连接槽4方便对两个相同的防护壳1进行连接，从而方便对硅片本体2进行排列，减反射膜201为波浪形，可有效的
减少大部分光的折射，且小部分光在内部折射，从而可提高光利用率，且提高硅片本体2的抗裂强度，防护膜202能提高硅片本体2的抗碱性能和防水防潮性能，且进一步减少光的折射，提高光利用率，芯层203保证了硅片本体2的特性，耐腐蚀涂层101增加了防护壳1的耐腐蚀性，耐腐蚀层102提高了防护壳1的强度，且耐腐蚀性极好，强度层103保证了防护壳1的耐腐蚀性，从而使防护壳1不易损坏，长久的对硅片本体2进行保护，解决了传统的精密电子工程用单晶硅片的反射率较高，光利用率低，且单晶硅片的强度较低，易损坏，不便于连接的问题。
21.使用时，将硅片本体2设置在防护壳1内，可有效的防止硅片本体2受损，且设置的连接凸块3和连接槽4方便对两个相同的防护壳1进行连接，从而方便对硅片本体2进行排列，减反射膜201为波浪形，可有效的减少大部分光的折射，且小部分光在内部折射，从而可提高光利用率，且提高硅片本体2的抗裂强度，防护膜202能提高硅片本体2的抗碱性能和防水防潮性能，且进一步减少光的折射，提高光利用率，芯层203保证了硅片本体2的特性，耐腐蚀涂层101增加了防护壳1的耐腐蚀性，耐腐蚀层102提高了防护壳1的强度，且耐腐蚀性极好，强度层103保证了防护壳1的耐腐蚀性，从而使防护壳1不易损坏，长久的对硅片本体2进行保护，解决了传统的精密电子工程用单晶硅片的反射率较高，光利用率低，且单晶硅片的强度较低，易损坏，不便于连接的问题。
22.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。