一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片的制作方法

技术特征：
1.一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片，包括防护壳（1），其特征在于：所述防护壳（1）的内腔设置有硅片本体（2），所述防护壳（1）的内腔开设有与硅片本体（2）配合使用的安装槽（5），所述防护壳（1）的左侧设置有连接凸块（3），所述防护壳（1）的右侧开设有连接槽（4），所述防护壳（1）包含有耐腐蚀涂层（101）、耐腐蚀层（102）和强度层（103），所述硅片本体（2）包含有减反射膜（201）、防护膜（202）和芯层（203）。2.根据权利要求1所述的一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片，其特征在于：所述耐腐蚀涂层（101）位于耐腐蚀层（102）的外表面，所述耐腐蚀层（102）位于强度层（103）的外表面。3.根据权利要求1所述的一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片，其特征在于：所述减反射膜（201）位于防护膜（202）的外表面，所述防护膜（202）位于芯层（203）的外表面。4.根据权利要求1所述的一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片，其特征在于：所述耐腐蚀涂层（101）为特氟龙涂层，所述耐腐蚀层（102）为钨钴合金层，所述强度层（103）为铝钛合金层。5.根据权利要求1所述的一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片，其特征在于：所述减反射膜（201）为多孔二氧化硅膜，且减反射膜（201）为波浪形结构。6.根据权利要求1所述的一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片，其特征在于：所述防护膜（202）为氧化锆膜，所述芯层（203）为单晶硅片。

技术总结
本实用新型公开了一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片，包括防护壳，所述防护壳的内腔设置有硅片本体，所述防护壳的内腔开设有与硅片本体配合使用的安装槽，所述防护壳的左侧设置有连接凸块，所述防护壳的右侧开设有连接槽，所述防护壳包含有耐腐蚀涂层、耐腐蚀层和强度层，所述硅片本体包含有减反射膜、防护膜和芯层，所述耐腐蚀涂层位于耐腐蚀层的外表面。本实用新型设置了防护壳、耐腐蚀涂层、耐腐蚀层、强度层、硅片本体、减反射膜、防护膜、芯层、连接凸块、连接槽和安装槽，解决了传统的精密电子工程用单晶硅片的反射率较高，光利用率低，且单晶硅片的强度较低，易损坏，不便于连接的问题。便于连接的问题。便于连接的问题。


技术研发人员：杜芳清
受保护的技术使用者：杜芳清
技术研发日：2021.09.24
技术公布日：2022/4/6