一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

钕铁硼磁体及其制备方法和应用与流程

2022-04-06 18:15:35 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种高性能钕铁硼磁体,其特征在于,所述磁体包括具有r2(fe,m)
14
b结构的主相晶粒和晶界相;所述晶界相包含两个主相晶粒之间的二粒晶界,和三个以上主相晶粒间隙组成的三角晶界;其中,m包括cu、ga和/或al,r为包括nd的至少1种稀土元素。2.根据权利要求1所述的磁体,其特征在于,磁体的主相晶粒平均粒径为1.8-8μm,优选为2.5-6μm。优选地,相邻主相晶粒中cu的原子浓度设定为[cu1],二粒晶界中的cu的原子浓度设定为[cu2],其满足1≤[cu2]/[cu1]<2的关系。优选地,磁体中三角晶界含有富cu区域,三角晶界中cu的原子浓度设定为[cu3],其满足[cu3]/[cu1]≥2的关系。优选地,三角晶界的富cu区域面积在晶界相总面积中占比<5%。3.根据权利要求1或2所述的磁体,其特征在于,相邻主相晶粒中ga的原子浓度设定为[ga1],二粒晶界中的ga的原子浓度设定为[ga2],其满足1≤[ga2]/[ga1]<2的关系。优选地,磁体中三角晶界含有富ga区域,三角晶界中ga的原子浓度设定为[ga3],其满足[ga3]/[ga1]≥2的关系。优选地,所述富ga区域的晶界相为非铁磁相;在三角晶界的富ga区域面积在晶界相总面积中占比<5%。4.根据权利要求1-3任一项所述的磁体,其特征在于,相邻主相晶粒中al的原子浓度设定为[al1],二粒晶界中的al的原子浓度设定为[al2],其满足1<[al2]/[al1]<2的关系。优选地,磁体中三角晶界含有富al区域,三角晶界中的al的原子浓度设定为[al3],其满足[al3]/[al1]≥2的关系。优选地,在三角晶界的富al区域面积在晶界相总面积中占比<5%。优选地,相邻主相晶粒是指与二粒晶界相邻的主相晶粒。5.根据权利要求1-4任一项所述的磁体,其特征在于,所述高性能钕铁硼磁体还包括过渡金属元素,为mn、si、zr、ti、nb中的至少一种。6.根据权利要求1-5任一项所述的磁体,其特征在于,上述高性能钕铁硼磁体,按质量比为100%计,包括如下组分:27-35%r;r为包括nd的至少1种稀土元素;0.8-1.2wt%b;0-3.0wt%co;0.1-0.6wt%cu;0.1-0.8wt%ga;0-1.0wt%al;60-72wt%t:t包括fe和其他过渡金属元素,以及不可避免的杂质元素,所述过渡金属元素具有权利要求5中所述的含义。7.权利要求1-6任一项所述的磁体的制备方法,其特征在于,所述方法包括:(a)熔炼工序:将上述磁体各组分经熔融、浇铸、冷却后形成合金片;(b)制粉工序:将合金片破碎成合金粉末;(c)压型工序:将合金粉末在磁场作用下压制成型,得到坯体;(d)烧结工序:将坯体经烧结处理、时效处理,制备得到钕铁硼磁体。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,步骤(b)中,所述合金粉末的smd粒度为1.8-8μm,优选为2.5-6μm,且x90/x10≤4.5。优选地,步骤(d)中,烧结处理具有三段以上的烧结保温阶段和烧结保温前升温阶段,示例性地为3-10段,烧结保温阶段的温度为950-1200℃,优选为980-1070℃,每一段的保温时间为20-120min。优选地,每一段烧结处理时,升温速率为0.5-5℃/min;更优选1-4℃/min。优选地,每相邻两段烧结保温工艺之间,在前一段烧结保温阶段结束后直接进行下一步升温保温工序,或者在前一段烧结保温阶段结束后,先进行冷却,再进行下一步升温保温工序,即在每相邻两段烧结保温工艺之间,其工艺可以是任意随机的。9.根据权利要求7或8所述的方法,其特征在于,所述时效处理选自一次时效处理,或者二次时效处理。优选地,所述一次时效处理的条件为:时效处理温度为500-700℃,保温时间为240-420min。优选地,所述二次时效处理包括:升温进行第一次时效处理,第一次时效处理温度为800-950℃,保温时间为180-300min;冷却至200℃以下,然后升温进行第二次时效处理,第二次时效处理温度为450-600℃之间,保温时间为240-360min。优选地,在烧结工序后,还可以进行扩散处理。优选地,所述扩散处理包括将扩散材料施加在磁体表面,进行真空加热扩散处理、扩散冷却和扩散时效处理。优选地,扩散材料选自dy和/或tb的纯金属、dy和/或tb的氢化物、dy和/或tb的氧化物、dy和/或tb的氢氧化物、dy和/或tb的氟化物合金中的至少一种。10.权利要求1-6任一项所述的磁体的应用,其特征在于,用于电机上。优选地,用于新能源汽车或节能家电。

技术总结
本发明提供了一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用,所述磁体包括具有R2(Fe,M)


技术研发人员:于永江 刘磊 安仲鑫 房效广 耿国强
受保护的技术使用者:烟台正海磁性材料股份有限公司
技术研发日:2021.12.27
技术公布日:2022/4/5
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

发表评论 共有条评论
用户名: 密码:
验证码: 匿名发表

相关文献