电路基板的制作方法

1.本发明是有关于一种电路基板。


背景技术：

2.手机、电视、平板电脑等具有显示装置的产品已经成为现代生活中不可或缺的电子装置。为了吸引消费者购买自家产品，许多显示装置的厂商致力于缩小显示装置的边框以使显示装置能有较佳的外观。然而，缩小显示装置的边框会提升显示装置中导线的密集度，容易影响显示装置的显示品质。具体地说，随着导线的密集度的增加，不同信号的导线之间的间距缩小，导线之间容易产生电场，并干扰显示装置的显视信号，使显示装置的显示品质下降。


技术实现要素：

3.本发明提供一种电路基板，可以减少周边区宽度，并能改善信号线的连接处出现信号干扰的问题。
4.本发明的至少一实施例提供一种电路基板。电路基板包括基板、主动元件、第一信号线、第二信号线、遮蔽电极、数据线、像素电极以及共用电极。主动元件位于基板上。第一信号线电性连接主动元件，且包括主体部以及连接部。主体部沿着第一方向延伸。连接部连接主体部，且自主体部向外延伸。第二信号线位于基板上，且沿着第二方向延伸。第二信号线电性连接至连接部。遮蔽电极在基板的法线方向上重叠于连接部。遮蔽电极与该第二信号线属于相同的导电层。数据线电性连接主动元件。像素电极电性连接主动元件。共用电极重叠于像素电极，且电性连接至遮蔽电极。
5.本发明的至少一实施例提供一种电路基板。电路基板包括基板、主动元件、第一信号线、第二信号线、遮蔽电极、数据线、像素电极以及共用电极。主动元件位于基板上。第一信号线沿着第一方向延伸，且电性连接主动元件。第二信号线位于基板上，且沿着第二方向延伸。第二信号线电性连接至第一信号线。遮蔽电极相邻于第二信号线，且在基板的法线方向上重叠于第一信号线，且其中遮蔽电极与第二信号线属于相同的导电层。数据线电性连接主动元件。像素电极电性连接主动元件。共用电极重叠于像素电极，且电性连接至遮蔽电极。
6.基于上述，由于第二信号线与数据线沿着相同的方向延伸，第二信号线与数据线的信号源可以设置的较为集中，借此减少周边区宽度。此外，通过遮蔽电极的设置，可以减少第一信号线对像素电极所产生的干扰。
附图说明
7.图1是依照本发明的一实施例的一种电路基板的上视示意图。
8.图2a是依照本发明的一实施例的一种电路基板的局部上视示意图。
9.图2b是图2a的线a-a’的剖面示意图。
10.图2c是图2a的线b-b’的剖面示意图。
11.图2d是图2a的线c-c’的剖面示意图。
12.图3a是依照本发明的一实施例的一种电路基板的局部上视示意图。
13.图3b是图3a的线b-b’的剖面示意图。
14.图3c是图3a的线c-c’的剖面示意图。
15.图4a至图4c是依照本发明的一实施例的一种电路基板的剖面示意图。
16.图5是依照本发明的一实施例的一种电路基板的局部上视示意图。
17.图6是依照本发明的一实施例的一种电路基板的局部上视示意图。
18.图7是依照本发明的一实施例的一种电路基板的局部上视示意图。
19.图8是依照本发明的一实施例的一种电路基板的局部上视示意图。
20.图9是依照本发明的一实施例的一种电路基板的局部上视示意图。
21.其中，附图标记说明如下：
22.10、20、30、40、50、60、70、80：电路基板
23.a-a’、b-b’、c-c’：线
24.aa：主动区
25.ba：周边区
26.bd：弯折
27.be：桥接结构
28.bp1：第一绝缘层
29.bp2：第二绝缘层
30.ce：共用电极
31.ch：通道层
32.d：漏极
33.dc：驱动电路
34.dl：数据线
35.dr1：第一方向
36.dr2：第二方向
37.g：栅极
38.gi：栅极绝缘层
39.h：开口
40.hg：第一信号线
41.hga：主体部
42.hgb：连接部
43.nd：法线方向
44.o、o1、o2、th1、th2、th3、th4、th5、th6、th7、th8：通孔
45.pe：像素电极
46.pl：平坦层
47.pt：间距
48.s：源极
49.sb：基板
50.sm：遮蔽电极
51.st：狭缝
52.t：主动元件
53.vg：第二信号线
54.w1、w2、w3：宽度
具体实施方式
55.图1是依照本发明的一实施例的一种电路基板10的上视示意图。
56.请参考图1，在本实施例中，电路基板10包括基板sb、主动元件t、第一信号线hg、第二信号线vg、数据线dl、像素电极pe以及共用电极ce。
57.基板sb具有主动区aa以及位于主动区aa至少一侧的周边区ba。基板sb的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶圆、陶瓷或其他可适用的材料)或是其他可适用的材料。若使用导电材料或金属时，则在基板sb上覆盖一层绝缘层(未绘示)，以避免短路问题。
58.主动元件t位于基板sb上，且位于主动区aa上。主动元件t例如为薄膜晶体管。在一些实施例中，主动元件t为顶部栅极型薄膜晶体管、底部栅极型薄膜晶体管、双栅极型薄膜晶体管或其他形式的薄膜晶体管。
59.第一信号线hg位于基板sb上，且位于主动区aa上。第一信号线hg沿着第一方向dr1延伸。第一信号线hg可作为扫描线使用，且电性连接至主动元件t的栅极。
60.第二信号线vg位于基板sb上，且沿着第二方向dr2延伸。在一些实施例中，第二方向dr2垂直于第一方向dr1。第二信号线vg电性连接至第一信号线hg。一些实施例中，第二信号线vg直接连接至第一信号线hg，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第二信号线vg通过其他不同材料的桥接结构(未绘出)而电性连接至第一信号线hg。
61.在一些实施例中，第一信号线hg与第二信号线vg相交处设置有遮蔽电极(未绘出)，关于遮蔽电极的结构将于后续实施例说明。
62.驱动电路dc设置于基板sb上，且位于周边区ba上。第二信号线vg自周边区ba延伸进主动区aa，且第一信号线hg通过第二信号线vg而电性连接至驱动电路dc。在一些实施例中，每条第一信号线hg电性连接至一条或两条以上的第二信号线vg。借由使每条第一信号线hg电性连接至两条以上的第二信号线vg，借此改善电阻-电容负载(rc loading)导致信号分布不均匀的问题。在一些实施例中，电路基板10适用于车用液晶显示面板，且其横向(第一方向dr1)的宽度大于纵向(第二方向dr2)的宽度，因此，若只借由单一条第二信号线vg提供信号至第一信号线hg，容易使第一信号线hg上的信号不均匀。然而，本发明并未限制电路基板10用于车用液晶显示面板，电路基板10亦可适用于其他类型的液晶显示面板。
63.数据线dl设置于基板sb上，且沿着第二方向dr2延伸。数据线dl电性连接主动元件t的源极。数据线dl自周边区ba延伸进主动区aa，且主动元件t通过数据线dl而电性连接至驱动电路dc。在本实施例中，数据线dl的左右两侧分别连接多个主动元件t，借此提供额外的空间用于设置第二信号线vg。换句话说，本实施例借由半源极驱动(half source driving，hsd)技术节省设置数据线dl所需的空间，然后，将节省出来的空间供给第二信号
线vg使用。
64.在本实施例中，第二信号线vg与数据线dl沿着相同的第二方向dr2延伸，因此，第二信号线vg与数据线dl的信号源可以设置的较为集中，例如皆设置于驱动电路dc中。在一些实施例中，驱动电路dc例如包括多个芯片，且第二信号线vg与数据线dl电性连接至对应的芯片，芯片例如是利用薄膜覆晶封装(chip on film，cof)技术接合至基板sb上。然而，本发明不以此为限。在其他实施例中，驱动电路dc包括电性连接至第二信号线vg的栅极整合驱动电路(gate driver-on-array，goa)。栅极整合驱动电路例如是通过沉积制程直接形成于基板sb上的电路。
65.像素电极pe设置于基板sb上，且位于主动区aa上。像素电极pe电性连接主动元件t的漏极。共用电极ce重叠于多个像素电极pe。在一些实施例中，电路基板10适用于液晶显示面板，且通过像素电极pe与共用电极ce之间的电场控制位于像素电极pe上的液晶分子(未绘出)的转向。
66.图2a是依照本发明的一实施例的一种电路基板10的局部上视示意图。图2b是图2a的线a-a’的剖面示意图。图2c是图2a的线b-b’的剖面示意图。图2d是图2a的线c-c’的剖面示意图。
67.请参考图2a至图2d，电路基板10包括基板sb(图2a省略绘示)、主动元件t、第一信号线hg、第二信号线vg、遮蔽电极sm、数据线dl、像素电极pe以及共用电极ce。主动元件t包括栅极g、通道层ch、源极s以及漏极d。
68.栅极g以及第一信号线hg位于基板sb上。栅极g电性连接至第一信号线hg。在本实施例中，栅极g以及第一信号线hg属于相同的导电层，例如第一导电层。换句话说，借由一次图案化制程(例如微影及蚀刻制程)以形成第一导电层，且第一导电层包括栅极g以及第一信号线hg。第一导电层可以为单层或多层结构。在一些实施例中，栅极g以及第一信号线hg的材料包括金、银、铜、铝、钼、钛、钽、其他金属、前述金属的合金或其他导电材料。
69.在本实施例中，第一信号线hg包括主体部hga以及连接部hgb。主体部hga沿着第一方向dr1延伸。连接部hgb连接主体部hga，且自主体部hga向外延伸。在一些实施例中，每个第一信号线hg包括主体部hga以及与主体部hga连接的多个连接部hgb，且多个连接部hgb自主体部hga向外沿着平行第二方向dr2的方向延伸。
70.在本实施例中，栅极g在第一方向dr1上的宽度w1大于连接部hgb在第一方向dr1上的宽度w2。在一些实施例中，连接部hgb在第一方向dr1上的宽度w2为1.0微米至5.0微米。
71.栅极绝缘层gi位于栅极g以及第一信号线hg上。通道层ch位于栅极绝缘层gi上，且栅极绝缘层gi夹于通道层ch与栅极g之间。通道层ch可为单层或多层结构，其材料包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、或是其他合适的材料、或上述的组合)、或其他合适的材料、或含有掺杂物(dopant)于上述材料中、或上述组合。
72.第二信号线vg、遮蔽电极sm、数据线dl、源极s以及漏极d位于栅极绝缘层gi上。在本实施例中，第二信号线vg、遮蔽电极sm、数据线dl、源极s以及漏极d属于相同的导电层，例如第二导电层。换句话说，借由一次图案化制程(例如微影及蚀刻制程)以形成第二导电层，且第二导电层包括第二信号线vg、遮蔽电极sm、数据线dl、源极s以及漏极d。第二导电层可以为单层或多层结构。在一些实施例中，第二信号线vg、遮蔽电极sm、数据线dl、源极s以及
漏极d的材料包括金、银、铜、铝、钼、钛、钽、其他金属、前述金属的合金或其他导电材料。
73.数据线dl沿着第二方向dr2延伸。源极s电性连接至数据线dl。源极s以及漏极d电性连接至通道层ch。在本实施例中，源极s以及漏极d直接接触通道层ch的上表面。在一些实施例中，源极s与通道层ch之间以及漏极d与通道层ch之间还包括欧姆接触层(未绘示)，但本发明不以此为限。
74.第二信号线vg沿着第二方向dr2延伸。第二信号线vg电性连接至第一信号线hg的连接部hgb。在本实施例中，栅极绝缘层gi具有通孔th1，且第二信号线vg填入通孔th1中，并直接连接连接部hgb。在一些实施例中，每条第一信号线hg包括多个连接部hgb，且每条第一信号线hg的多连接部hgb分别电性连接至多条第二信号线vg，借此改善电阻-电容负载(rc loading)导致信号分布不均匀的问题。
75.遮蔽电极sm在基板sb的法线方向nd上重叠于第一信号线hg的连接部hgb。在一些实施例中，遮蔽电极sm与第二信号线vg在第二方向dr2上彼此对齐，且遮蔽电极sm分离于第二信号线vg。在本实施例中，遮蔽电极sm在第一方向dr1上的宽度w3大于连接部hgb在第一方向dr1上的宽度w2。在一些实施例中，遮蔽电极sm在第一方向dr1上的宽度w3为1.5微米至5.5微米。在一些实施例中，借由遮蔽电极sm的设置，减少连接部hgb与像素电极pe之间的电场，借此避免连接部hgb造成显示画面出现亮度不均匀(mura)的问题。在一些实施例中，遮蔽电极sm与第二信号线vg之间的间距pt为2.0微米至5.0微米。在一些实施例中，遮蔽电极sm部分覆盖第一信号线hg的连接部hgb，且遮蔽电极sm在基板sb的法线方向nd上不重叠于第一信号线hg的主体部hga，但本发明不以此为限。在其他实施例中，遮蔽电极sm在基板sb的法线方向nd上除了重叠于第一信号线hg的连接部hgb之外，还重叠于第一信号线hg的部分主体部hga，借此进一步减少第一信号线hg与像素电极pe之间的电场。
76.第一绝缘层bp1位于主动元件t、第二信号线vg以及遮蔽电极sm上。像素电极pe位于第一绝缘层bp1上，且像素电极pe通过贯穿第一绝缘层bp1的通孔o而电性连接至主动元件t的漏极d。在本实施例中，像素电极pe的边缘在基板sb的法线方向nd上重叠于第二信号线vg以及遮蔽电极sm，但本发明不以此为限。在其他实施例中，像素电极pe的边缘在基板sb的法线方向nd上不重叠于第二信号线vg以及遮蔽电极sm。
77.像素电极pe的材质可为穿透式像素电极、反射式像素电极或是半穿透半反射式像素电极。穿透式像素电极的材质包括金属氧化物，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其他合适的氧化物或上述至少二者的堆叠层。反射式像素电极的材质包括金属材料。
78.第二绝缘层bp2位于第一绝缘层bp1以及像素电极pe上。在本实施例中，第一绝缘层bp1具有重叠于遮蔽电极sm的通孔th2，且第二绝缘层bp2具有重叠于遮蔽电极sm的通孔th3。通孔th3重叠于通孔th2。在一些实施例中，通孔th3小于通孔th2，且第二绝缘层bp2选择性地部分填入通孔th2中，但本发明不以此为限。在其他实施例中，通孔th3大于通孔th2，且第二绝缘层bp2未填入通孔th2中。
79.共用电极ce位于第二绝缘层bp2上，且共用电极ce重叠于像素电极pe。共用电极ce通过贯穿第二绝缘层bp2的通孔th3而电性连接至遮蔽电极sm。换句话说，遮蔽电极sm与共用电极ce施加有相同电压。在本实施例中，共用电极ce具有重叠于主动元件t的开口h，借由开口h的设置，可以降低共用电极ce对主动元件t造成的影响。在本实施例中，共用电极ce具
有重叠于像素电极pe的多个狭缝st，像素电极pe与共用电极ce之间的电场可以穿过狭缝st，且前述电场用于改变位于共用电极ce上的液晶分子(未绘示)的方向。共用电极ce为透明导电材料，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其他合适的氧化物或上述至少二者的堆叠层。
80.像素电极pe与共用电极ce的几何形状以及尺寸可以依照需求而进行调整，本发明的图式仅用于示意，且并非用于限制像素电极pe与共用电极ce的几何形状。
81.基于上述，借由第二信号线vg的设置，电路基板10上的芯片或驱动电路可以设置的较为集中，借此减少电路基板10的周边区宽度。此外，借由遮蔽电极sm的设置能改善第一信号线hg与第二信号线vg的连接处出现信号干扰的问题。
82.图3a是依照本发明的一实施例的一种电路基板的局部上视示意图。图3b是图3a的线b-b’的剖面示意图。图3c是图3a的线c-c’的剖面示意图。
83.在此必须说明的是，图3a至图3c的实施例沿用图1至图2d的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
84.图3a至图3c的电路基板20与图2a至图2d的电路基板10的差异在于：电路基板20还包括桥接结构be。
85.桥接结构be位于第一绝缘层bp1上。在本实施例中，桥接结构be与像素电极pe属于相同的导电层。换句话说，借由一次图案化制程(例如微影及蚀刻制程)以形成桥接结构be与像素电极pe。桥接结构be与像素电极pe包括相同材料。
86.在本实施例中，第二信号线vg与第一信号线hg不直接接触，且桥接结构be电性连接第二信号线vg至第一信号线hg的连接部hgb。在本实施例中，桥接结构be通过贯穿第一绝缘层bp1的通孔th4而电性连接至第二信号线vg，且桥接结构be通过贯穿第一绝缘层bp1以及栅极绝缘层gi的通孔th5而电性连接至第一信号线hg。通孔th4与通孔th5例如是于同一道蚀刻制程形成，且第一信号线hg以及第二信号线vg可作为前述蚀刻制程的蚀刻停止层，借此减少制程所需的光罩数量，以缩减制造成本。
87.基于上述，借由第二信号线vg的设置，电路基板20上的芯片或驱动电路可以设置的较为集中，借此减少电路基板20的周边区宽度。此外，借由遮蔽电极sm的设置能改善第一信号线hg与第二信号线vg的连接处出现信号干扰的问题。
88.图4a至图4c是依照本发明的一实施例的一种电路基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图4a至图4c的实施例沿用图1至图2d的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
89.图4a至图4c的电路基板30与图2a至图2d的电路基板10的差异在于：电路基板30还包括平坦层pl。
90.请参考图4a至图4c，第一绝缘层bp1位于主动元件t、遮蔽电极sm以及第二信号线vg上。平坦层pl位于第一绝缘层bp1上。第一绝缘层bp1具有重叠于主动元件t的漏极d的通孔o1，且于平坦层pl具有重叠于主动元件t的漏极d的通孔o2。通孔o1重叠于通孔o2。在一些实施例中，通孔o2小于通孔o1，且平坦层pl选择性地部分填入通孔o1中，但本发明不以此为限。在其他实施例中，通孔o2大于通孔o1，且平坦层pl未填入通孔o1中。
91.像素电极pe位于平坦层pl上，且像素电极pe通过贯穿第一绝缘层bp1的通孔o1以及贯穿平坦层pl的通孔o2而电性连接至主动元件t的漏极d。
92.在一些实施例中，平坦层pl为适用于超高开口技术(ultra/super high aperture,uha/sha)的有机绝缘层，且所述有机绝缘层可以增加像素电极pe与金属导线(例如漏极d)之间的距离，借此减少电容并增加像素结构的开口率。
93.第二绝缘层bp2位于平坦层pl以及像素电极pe上。共用电极ce位于第二绝缘层bp2上。共用电极通过贯穿第二绝缘层bp2的通孔th8、贯穿平坦层pl的通孔th7以及贯穿第一绝缘层bp1的通孔th6而电性连接至遮蔽电极sm。在一些实施例中，通孔th7小于通孔th6，且平坦层pl选择性地部分填入通孔th6中，但本发明不以此为限。在其他实施例中，通孔th7大于通孔th6，且平坦层pl未填入通孔th6中。在一些实施例中，第一绝缘层bp1与第二绝缘层bp2为有机绝缘层或无机绝缘层。
94.基于上述，借由第二信号线vg的设置，电路基板30上的芯片或驱动电路可以设置的较为集中，借此减少电路基板30的周边区宽度。此外，借由遮蔽电极sm的设置能改善第一信号线hg与第二信号线vg的连接处出现信号干扰的问题。
95.图5是依照本发明的一实施例的一种电路基板的局部上视示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图3a至图3c的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
96.图5的电路基板40与图3a至图3c的电路基板20的差异在于：电路基板40的遮蔽电极sm为l字形。
97.请参考图5，在本实施例中，遮蔽电极sm在基板的法线方向重叠于第一信号线hg的连接部hgb以及部分主体部hga，借此进一步减少第一信号线hg与像素电极pe之间的电场。
98.基于上述，借由第二信号线vg的设置，电路基板40上的芯片或驱动电路可以设置的较为集中，借此减少电路基板40的周边区宽度。此外，借由遮蔽电极sm的设置能改善第一信号线hg与第二信号线vg的连接处出现信号干扰的问题。
99.图6是依照本发明的一实施例的一种电路基板的局部上视示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图3a至图3c的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
100.图6的电路基板50与图3a至图3c的电路基板20的差异在于：电路基板50的遮蔽电极sm为t字形。
101.请参考图6，在本实施例中，遮蔽电极sm在基板的法线方向重叠于第一信号线hg的连接部hgb以及部分主体部hga，借此进一步减少第一信号线hg与像素电极pe之间的电场。
102.基于上述，借由第二信号线vg的设置，电路基板50上的芯片或驱动电路可以设置的较为集中，借此减少电路基板50的周边区宽度。此外，借由遮蔽电极sm的设置能改善第一信号线hg与第二信号线vg的连接处出现信号干扰的问题。
103.图7是依照本发明的一实施例的一种电路基板的局部上视示意图。图7是依照本发明的一实施例的一种电路基板的局部上视示意图。在此必须说明的是，图7的实施例沿用图6的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，
并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
104.图7的电路基板60与图6的电路基板50的差异在于：电路基板60的第二信号线vg在靠近遮蔽电极sm处具有多个弯折bd。
105.请参考图7，在本实施例中，电路基板60包括基板、主动元件t、第一信号线hg、第二信号线vg、遮蔽电极sm、数据线dl、像素电极pe以及共用电极ce。
106.主动元件t位于基板上。第一信号线hg沿着第一方向dr1延伸，且电性连接主动元件t。第二信号线vg位于基板上，且沿着第二方向dr2延伸。第二信号线vg电性连接至第一信号线hg。在本实施例中，第二信号线vg直接连接至第一信号线hg沿着第一方向dr1延伸的部分。
107.遮蔽电极sm相邻于第二信号线vg，且在基板的法线方向上重叠于第一信号线hg。在本实施例中，由于遮蔽电极sm与第二信号线vg属于相同导电层，第二信号线vg在靠近遮蔽电极sm处具有多个弯折bd，使第二信号线vg与遮蔽电极sm不直接接触。在本实施例中，第二信号线vg直接连接第一信号线hg。在一些实施例中，遮蔽电极sm为t字形或l字形。
108.数据线dl电性连接主动元件t。像素电极pe电性连接主动元件t。共用电极ce重叠于像素电极pe，且电性连接至遮蔽电极sm。
109.基于上述，借由第二信号线vg的设置，电路基板60上的芯片或驱动电路可以设置的较为集中，借此减少电路基板60的周边区宽度。此外，借由遮蔽电极sm的设置能改善第一信号线hg与第二信号线vg的连接处出现信号干扰的问题。
110.图8是依照本发明的一实施例的一种电路基板的局部上视示意图。图8是依照本发明的一实施例的一种电路基板的局部上视示意图。在此必须说明的是，图8的实施例沿用图7的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
111.图8的电路基板70与图7的电路基板60的差异在于：电路基板70还包括桥接结构be。
112.在本实施例中，桥接结构be与像素电极pe属于相同的导电层。换句话说，借由一次图案化制程(例如微影及蚀刻制程)以形成桥接结构be与像素电极pe。桥接结构be与像素电极pe包括相同材料。
113.在本实施例中，第二信号线vg与第一信号线hg不直接接触，且桥接结构be电性连接第二信号线vg至第一信号线hg。在本实施例中，桥接结构be通过贯穿第一绝缘层bp1的通孔th4(类似于图3c的通孔)而电性连接至第二信号线vg，且桥接结构be通过贯穿第一绝缘层bp1以及栅极绝缘层gi的通孔th5(类似于图3c的通孔)而电性连接至第一信号线hg。通孔th4与通孔th5例如是于同一道蚀刻制程形成，且第一信号线hg以及第二信号线vg可作为前述蚀刻制程的蚀刻停止层，借此减少制程所需的光罩数量，以缩减制造成本。
114.在本实施例中，桥接结构be在靠近遮蔽电极sm处具有弯折bd，使桥接结构be得以避开遮蔽电极sm上的通孔th3。
115.基于上述，借由第二信号线vg的设置，电路基板70上的芯片或驱动电路可以设置的较为集中，借此减少电路基板70的周边区宽度。此外，借由遮蔽电极sm的设置能改善第一信号线hg与第二信号线vg的连接处出现信号干扰的问题。
116.图9是依照本发明的一实施例的一种电路基板的局部上视示意图。图9是依照本发
明的一实施例的一种电路基板的局部上视示意图。在此必须说明的是，图9的实施例沿用图7的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
117.图9的电路基板80与图7的电路基板60的差异在于：电路基板80的遮蔽电极sm为l字形。
118.在本实施例中，遮蔽电极sm为l字形，且第二信号线vg在靠近遮蔽电极sm处具有多个弯折bd，以使第二信号线vg避开遮蔽电极sm。在本实施例中，第二信号线vg直接连接第一信号线hg。举例来说，第二信号线vg通过栅极绝缘层的通孔th1而直接连接第一信号线hg。
119.基于上述，借由第二信号线vg的设置，电路基板80上的芯片或驱动电路可以设置的较为集中，借此减少电路基板80的周边区宽度。此外，借由遮蔽电极sm的设置能改善第一信号线hg与第二信号线vg的连接处出现信号干扰的问题。