小容量存储阵列的擦除校验方法、擦除方法和解码电路与流程

1.本技术涉及半导体集成电路技术领域，具体而言，涉及一种小容量存储阵列的擦除校验方法、擦除方法和解码电路。


背景技术：

2.传统字线解码器将n位地址解码成2n条字线。
3.在实际需求中，还存在存储阵列容量对应字线介于2n和2
n-1
之间的情况，如12*32bits（48bytes），该存储阵列存在12条字线，在8和16之间，仍需要设置4位字线地址进行解码，但若全部采用四位字线解码则会产生24共16个四输入与门进行解码，多出来的4条字线会引入其他问题，如：在擦除校验时，字线地址会从0000遍历到1111。在字线地址遍历到1100时，存储单元阵列没有了与地址对应的字线 ，即没有对应的存储单元，会使校验步骤中无法比较1100-1111地址存储单元阈值电压与校验电压的大小，导致擦除校验步骤永远不能通过。
4.针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。


技术实现要素：

5.本技术的目的在于提供一种小容量存储阵列的小容量存储阵列的擦除校验方法、擦除方法和解码电路，使小容量存储阵列能顺利进行擦除校验。
6.第一方面，本技术提供了一种小容量存储阵列的擦除校验方法，用于校验存储单元的阈值电压，所述擦除校验方法包括以下步骤：建立映射关系，所述映射关系用于将对不存在于所述小容量存储阵列的字线地址的处理操作映射为对所述小容量存储阵列的真实字线地址的处理操作；根据所述映射关系对所述小容量存储阵列进行擦除校验。
7.本技术的一种小容量存储阵列的擦除校验方法，通过建立不存在于小容量存储阵列的字线地址与小容量存储阵列的真实字线地址的映射关系，使得对该小容量存储阵列进行擦除校验时，遍历的所有地址均有对应的真实字线地址，即有对应真实存在的存储单元，从而使得擦除校验步骤能顺利执行。
8.第二方面，本技术还提供了一种小容量存储阵列的擦除方法，用于擦除存储阵列，所述擦除方法包括以下步骤：建立映射关系，所述映射关系用于将对不存在于所述小容量存储阵列的字线地址的处理操作映射为对所述小容量存储阵列的真实字线地址的处理操作；根据所述映射关系对所述小容量存储阵列进行擦除校验；若擦除校验不通过，对所述小容量存储阵列进行预编程处理；对所述小容量存储阵列进行擦除操作，以使所述小容量存储阵列通过所述擦除校验。
9.本技术的一种小容量存储阵列的擦除方法，通过建立不存在于小容量存储阵列的
字线地址与小容量存储阵列的真实字线地址的映射关系，使得对该小容量存储阵列进行擦除校验时，遍历的所有地址均有对应的真实字线地址，即有对应真实存在的存储单元，从而使得擦除校验步骤能顺利执行，进而使得整个存储阵列的擦除过程能顺利完成。
10.所述的一种小容量存储阵列的擦除方法，其中，所述预编程处理在取消映射关系下进行。
11.在该示例的擦除方法中，在取消映射关系的情况下进行预编程处理，即遍历存储阵列的真实字线地址而对相应的存储单元进行预编程处理，而不存在于小容量存储阵列的字线地址不存在相应的存储单元，遍历该部分地址时不会对对应于真实字线地址的存储单元产生影响。
12.所述的一种小容量存储阵列的擦除方法，其中，所述对所述小容量存储阵列进行擦除操作，以使所述小容量存储阵列通过擦除校验的步骤包括：对所述小容量存储阵列进行第一擦除操作和第一轻编程操作，以使所述小容量存储阵列通过第一校验电压的擦除校验；对所述小容量存储阵列进行第二轻编程操作，以使所述小容量存储阵列通过第二校验电压的擦除校验。
13.所述的一种小容量存储阵列的擦除方法，其中，所述第一轻编程操作和所述第二轻编程操作在取消所述映射关系下进行。
14.在该示例的擦除方法中，在取消映射关系的情况下进行第一轻编程操作和第二轻编程操作，使得不存在于小容量存储阵列的字线地址不存在相应的存储单元，从而在一次轻编程操作中，不会对真实字线地址对应的存储单元进行重复轻编程。
15.第三方面，本技术还提供了一种小容量存储阵列的解码电路，用于存储单元的字线解码，所述解码电路包括：若干第一字线解码器，用于解码所述小容量存储阵列的部分真实字线地址，所述第一字线解码器的输出端与所述部分真实字线地址连接；若干映射电路，用于解码不存在于所述小容量存储阵列的字线地址和用于解码所述小容量存储阵列的余下真实字线地址，并将所述不存在于所述小容量存储阵列的字线地址映射至所述余下真实字线地址；所述第一字线解码器和所述映射电路均连接于相同的地址线以进行字线解码。
16.本技术的一种小容量存储阵列的解码电路，利用映射电路建立映射辨析，将不存在于小容量存储阵列的字线地址映射至余下真实字线地址，使得对该小容量存储阵列进行擦除校验时，遍历的所有地址均有对应的真实字线地址，即有对应真实存在的存储单元，从而使得擦除校验步骤能顺利执行，进而使得整个存储阵列的擦除过程能顺利完成。
17.所述的一种小容量存储阵列的解码电路，其中，所述映射电路包括:第二字线解码器，用于解码所述余下真实字线地址；虚拟字线解码器，用于解码所述不存在于所述小容量存储阵列的字线地址；第一映射器，用于将所述不存在于所述小容量存储阵列的字线地址映射至所述余下真实字线地址。
18.在该示例的解码电路中，第一映射器能将原本对不存在于小容量存储阵列的字线地址进行的操作映射为对余下真实字线地址进行的操作，还能将原本对余下真实字线地址
进行的操作保持为对余下真实字线地址进行的操作。
19.所述的一种小容量存储阵列的解码电路，其中，所述第一映射器包括:第一与非门，所述第一与非门的一输入端与第一编程信号端连接；第一或门，所述第一或门的一输入端与一所述第二字线解码器的输出端连接；第一与门，所述第一与门的两输入端分别与所述第一与非门的输出端和所述第一或门的输出端连接，所述第一与门的输出端与一所述余下真实字线地址连接；一所述虚拟字线解码器的输出端与所述第一与非门的另一输入端及所述第一或门的另一输入端连接。
20.在该示例的解码电路中，第一映射器通过设置第一与非门、第一或门和第一与门建立了虚拟字线解码器和第二字线解码器之间的映射关系，同时利用第一与非门获取编程状态信号，使得本技术的解码电路能根据编程状态信号建立和取消映射关系。
21.所述的一种小容量存储阵列的解码电路，其中，当所述第一字线解码器为四位字线解码器时，所述映射电路包括:第三字线解码器，所述第三字线解码器为二位字线解码器，用于解码对应于所述四位字线解码器的最左位电平和最右位电平以获取解码结果；第二映射器，用于解码对应于所述四位字线解码器的余下两位电平，并根据所述解码结果将所述不存在于所述小容量存储阵列的字线地址映射至所述余下真实字线地址。
22.所述的一种小容量存储阵列的解码电路，其中，所述第二映射器包括：第二或门，所述第二或门的两输入端用于分别获取所述余下两位电平；第二与门，所述第二与门一输入端与所述第二或门的输出端连接，另一输入端用于获取所述最左位电平；第二与非门，所述第二与非门两输入端分别与第二与门的输出端和第二编程信号端连接；第三与门，所述第三与门两输入端分别与所述第二与非门的输出端和所述第三字线解码器的输出端连接，所述第三与门的输出端与一所述余下真实字线地址连接。
23.在该示例的解码电路中，第二映射器通过设置第二或门、第二与门、第二与非门和第三与门建立了映射关系，同时利用第二与非门获取编程状态信号，使得本技术实施例的解码电路能根据编程状态信号建立和取消映射关系。
24.由上可知，本技术提供了一种小容量存储阵列的擦除校验方法、擦除方法和解码电路，其中，擦除校验方法通过建立不存在于小容量存储阵列的字线地址与小容量存储阵列的真实字线地址的映射关系，使得对该小容量存储阵列进行擦除校验时，遍历的所有地址均有对应的真实字线地址，即有对应真实存在的存储单元，从而使得擦除校验步骤能顺利执行。
附图说明
25.图1为本技术实施例提供的一种小容量存储阵列的擦除校验方法的流程图。
26.图2为本技术实施例提供的一种小容量存储阵列的擦除方法的流程图。
27.图3为本技术实施例提供的一种小容量存储阵列的解码电路实施例1的结构示意图。
28.图4为本技术实施例提供的一种小容量存储阵列的解码电路实施例2的结构示意图。
29.标号说明:100、第一字线解码器；200、第二字线解码器；301、第一与非门；302、第一或门；303、第一与门；401、第三字线解码器；402、第二或门；403、第二与门；404、第二与非门；405、第三与门；500、虚拟字线解码器。
具体实施方式
30.下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
31.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
32.传统字线解码器将n位地址解码成2n条字线，小容量存储阵列指存储单元较少的存储阵列，泛指存储容量在1kb以下的存储阵列；在实际需求中，还存在存储阵列容量对应的字线数量介于2
n-1
和2n之间的情况，以n=4为例，字线数量为9-15条（在23和24之间）的存储阵列，仍需要设置4位字线地址进行解码，但若全部采用四位字线解码则会产生24共16个四输入与门进行解码，相应地，会多出来的7至1个字线地址，按照一般使用方式使用该存储阵列会引入其他问题，如：以容量为12*32bits（48bytes）的存储阵列为例，该存储阵列存在12条字线，设置4位字线地址进行解码会多出4个字线地址，在擦除校验时，字线地址会从0000遍历到1111。在字线地址遍历到1100时，存储单元阵列没有了与地址对应的字线 ，即没有对应的存储单元，会使校验步骤中无法比较1100-1111地址存储单元阈值电压与校验电压的大小，导致擦除校验步骤永远不能通过。
33.第一方面，请参照图1，图1是本技术一些实施例中的一种小容量存储阵列的擦除校验方法，用于校验存储单元的阈值电压，擦除校验方法包括以下步骤：a1、建立映射关系，映射关系用于将对不存在于小容量存储阵列的字线地址的处理操作映射为对小容量存储阵列的真实字线地址的处理操作；具体地，不存在于小容量存储阵列的字线地址为存储阵列中没有对应真实字线地址的高位字线地址，真实字线地址为存在于小容量存储阵列的字线地址，如：对应于0000-1111（对应于字线《0》-《15》）的四位二进制地址，该小容量存储阵列含有的地址为0000-1001（对应于字线《0》-《9》），则真实字线地址为0000-1001，则不存在于该小容量存储阵列的字线地址为0000-1001以外的地址，而四位二进制地址仅涉及0000-1111，故不存在于该小容量存储阵列的字线地址为1010-1111（对应于字线《10》-《15》）。
34.更具体地，建立映射关系后，对映射关系中的不存在于小容量存储阵列的字线地址进行的处理操作，均映射为对映射关系中对应的小容量存储阵列的真实字线地址进行的处理操作；如建立了地址1111与地址1001的映射关系，对地址1111执行的处理操作命令会
映射为对地址1001执行的处理操作命令。
35.更具体地，映射关系不影响真实字线地址自身指向，即建立映射关系后，对映射关系中的小容量存储阵列的真实字线地址的处理操作，为正常地对该小容量存储阵列的真实字线地址进行的处理操作。
36.a2、根据映射关系对小容量存储阵列进行擦除校验。
37.具体地，在建立了映射关系后，对真实字线地址进行的擦除校验仍为对相应的真实字线地址进行的擦除校验，对不存在于小容量存储阵列的字线地址进行的擦除校验为对映射关系下相应的真实字线地址进行的擦除校验，从而使得不存在于小容量存储阵列的字线地址的擦除校验结果为映射关系下相应的真实字线地址进行的擦除校验结果。
38.本技术实施例的一种小容量存储阵列的擦除校验方法，通过建立不存在于小容量存储阵列的字线地址与小容量存储阵列的真实字线地址的映射关系，使得对该小容量存储阵列进行擦除校验时，遍历的所有地址均有对应的真实字线地址，即有对应真实存在的存储单元，从而使得擦除校验步骤能顺利执行。
39.在一些优选的实施方式中，每个不存在于小容量存储阵列的字线地址映射至不同的真实字线地址，对每个不存在于小容量存储阵列的字线地址进行的操作均能映射至不同的真实字线地址中进行操作。
40.在别的实施方式中，不存在于小容量存储阵列的字线地址还可以是映射至相同的真实字线地址。
41.第二方面，请参照图2，图2是本技术一些实施例中提供的一种小容量存储阵列的擦除方法，用于擦除存储阵列，擦除方法包括以下步骤：b1、建立映射关系，映射关系用于将对不存在于小容量存储阵列的字线地址的处理操作映射为对小容量存储阵列的真实字线地址的处理操作；b2、根据映射关系对小容量存储阵列进行擦除校验；具体地，由于步骤b1建立了映射关系，步骤b2对该小容量存储阵列进行擦除校验时，遍历的所有地址均有对应的真实字线地址，即有对应真实存在的存储单元，从而使得擦除校验步骤能顺利执行。
42.b3、若擦除校验不通过，对小容量存储阵列进行预编程处理；具体地，擦除校验一般是采用校验电压测试存储阵列中存储单元的数据情况，其目的是检验存储阵列中所有存储单元的阈值电压是否低于校验电压，即通过施加校验电压测试存储阵列中所有字线地址数据是否均表现为1，若擦除校验不通过则表明存储阵列在校验电压校验下存在数据0；由于步骤b2是根据映射关系进行擦除校验的，擦除校验依然会遍历所有真实字线地址，且仅在真实字线地址对应的存储单元的阈值电压高于校验电压才会出现擦除校验不通过的情况。
43.更具体地，若擦除校验通过，则表明小容量存储阵列的存储单元的阈值电压均在校验电压之下。
44.更具体地，在擦除校验不通过时，表明存储阵列中至少存在一个阈值电压高于校验电压的存储单元，需要进行擦除操作使全部存储单元均处于擦除状态，若直接擦除容易导致已为擦除状态的存储单元产生过擦除现象，因此需要对存储阵列进行预编程处理，保持存储阵列中存储单元的阈值电压相近，使存储阵列中所有存储单元均写入数据后再进行
擦除。
45.b4、对小容量存储阵列进行擦除操作，以使小容量存储阵列通过擦除校验。
46.具体地，对存储阵列完成擦除操作后，再次根据映射关系对小容量存储阵列进行擦除校验，若校验依然不通过则继续执行擦除操作，直至该小容量存储阵列根据映射关系通过擦除校验。
47.本技术实施例的一种小容量存储阵列的擦除方法，通过建立不存在于小容量存储阵列的字线地址与小容量存储阵列的真实字线地址的映射关系，使得对该小容量存储阵列进行擦除校验时，遍历的所有地址均有对应的真实字线地址，即有对应真实存在的存储单元，从而使得擦除校验步骤能顺利执行，进而使得整个存储阵列的擦除过程能顺利完成。
48.在一些优选的实施方式中，预编程处理在取消映射关系下进行。
49.具体地，在建立了映射关系的情况下，对不存在于小容量存储阵列的字线地址的操作均映射为对相应的真实字线地址的操作，而预编程处理为遍历所有字线地址进行的编程操作，若在映射关系下进行预编程处理，具有映射关系的真实字线地址则至少进行了两次编程操作，从而会导致存储阵列的一部分区域被编程的程度较深，依然会使得存储阵列的阈值电压分布较广，存在一致性不好的问题；因此，本技术实施例的擦除方法，在取消映射关系的情况下进行预编程处理，即遍历存储阵列的真实字线地址而对相应的存储单元进行预编程处理，而不存在于小容量存储阵列的字线地址不存在相应的存储单元，遍历该部分地址时不会对对应于真实字线地址的存储单元产生影响。
50.在一些优选的实施方式中，对小容量存储阵列进行擦除操作，以使小容量存储阵列通过擦除校验的步骤包括：b41、对小容量存储阵列进行第一擦除操作和第一轻编程操作，以使小容量存储阵列通过第一校验电压的擦除校验；具体地，第一擦除操作用于降低存储阵列的存储单元的阈值电压，第一轻编程操作用于拉高存储阵列的存储单元的阈值电压，使得存储阵列的存储单元具有合适的阈值电压，即在第一校验电压之下并防止存在阈值电压过低的存储单元。
51.b42、对小容量存储阵列进行第二轻编程操作，以使小容量存储阵列通过第二校验电压的擦除校验。
52.具体地，第二轻编程操作用于修复存储阵列中的过擦除的存储单元，从而使得存储阵列的阈值电压在第二校验电压和第一校验电压之间，以提高存储阵列阈值电压的一致性。
53.在一些优选的实施方式中，步骤b2采用第一校验电压进行擦除校验。
54.在一些优选的实施方式中，若步骤b2擦除校验通过，对小容量存储阵列进行第二轻编程操作，以使小容量存储阵列通过第二校验电压的擦除校验，从而使得存储阵列的阈值电压在第二校验电压和第一校验电压之间，以提高存储阵列阈值电压的一致性。
55.在一些优选的实施方式中，第一轻编程操作和第二轻编程操作在取消映射关系下进行。
56.具体地，第一轻编程操作和第二轻编程操作与预编程类似，均为对字线地址对应的存储单元进行编程操作，若在映射关系下进行预编程处理，对需要进行第一轻编程操作或第二轻编程操作的具有映射关系的真实字线地址至少进行了两次编程操作，会导致存储
阵列的一部分区域被编程的程度较深，会使得存储阵列的阈值电压分布较广，存在一致性不好的问题；因此，本技术实施例的擦除方法，在取消映射关系的情况下进行第一轻编程操作和第二轻编程操作，使得不存在于小容量存储阵列的字线地址不存在相应的存储单元，从而在一次轻编程操作中，不会对真实字线地址对应的存储单元进行重复轻编程。
57.第三方面，请参照图3和图4，图3和图4是本技术一些实施例中提供的一种小容量存储阵列的解码电路，用于存储单元的字线解码，解码电路包括：若干第一字线解码器100，用于解码小容量存储阵列的部分真实字线地址，第一字线解码器100的输出端与部分真实字线地址连接；若干映射电路，用于解码不存在于小容量存储阵列的字线地址和用于解码小容量存储阵列的余下真实字线地址，并将不存在于小容量存储阵列的字线地址映射至余下真实字线地址；第一字线解码器和映射电路均连接于相同的地址线以进行字线解码。
58.具体地，第一字线解码器和映射电路均连接相同数量的地址线，通过区分地址线的电平高低确定字线地址解码进而确定字线，即地址线完全满足电平高低特性时导通相应的第一字线解码器或映射电路而确定字线，以一个四位字线地址0011为例，该电平特性仅满足对应于字线wl《3》的第一字线解码器的导通需求，此时仅有对应于字线wl《3》的第一字线解码器导通，从而完成该字线地址的解码；其中，附图中addrb《0》-addrb《3》表示地址线为低电平，addr《0》-addr《3》表示地址线为高电平。
59.具体地，余下真实字线地址为该小容量存储阵列中若干划分出来用于建立映射关系的真实字线地址；为了通过擦除校验，需要建立映射关系的不存在于小容量存储阵列的字线地址数量在2
n-2
n-1
之间，n大于2的情况下，小容量存储阵列中的真实字线地址数量多于不存在于小容量存储阵列的字线地址数量，故无需采用所有真实字线地址建立映射关系，因此，在本实施例中，除去存储阵列中用于建立映射关系的余下真实字线地址后，剩下的部分真实字线地址可正常进行解码，故采用第一字线解码器100进行解码，余下真实字线地址用于建立映射关系，故采用映射电路进行解码。
60.更具体地，由于不同的不存在于小容量存储阵列的字线地址可以映射在同一真实字线地址上，所以不存在于小容量存储阵列的字线地址的数量大于或等于余下真实字线地址的数量，部分真实字线地址的数量由余下真实字线地址的数量进行确定，即不建立映射关系的真实字线地址的数量由参与建立映射关系的真实字线地址的数量进行计算确定；一般来说，部分真实字线地址的数量为字线解码器位数的整倍数，如：以容量为12*32bits（48bytes）的存储阵列为例，该存储阵列存在12条字线，需设置4位字线地址进行解码，不存在于小容量存储阵列的字线地址的数量为4个，需确保余下真实字线地址数量小于或等于4，且保证部分真实字线地址的数量为4的整倍数，由此可确定余下真实字线地址数量为4，部分真实字线地址的数量为8。
61.具体地，第一字线解码器100用于解码存储阵列中一部分真实字线地址，映射电路用于解码存储阵列中余下真实字线地址和不存在于小容量存储阵列的字线地址。
62.本技术实施例的一种小容量存储阵列的解码电路，利用映射电路建立映射辨析，将不存在于小容量存储阵列的字线地址映射至余下真实字线地址，使得对该小容量存储阵列进行擦除校验时，遍历的所有地址均有对应的真实字线地址，即有对应真实存在的存储
单元，从而使得擦除校验步骤能顺利执行，进而使得整个存储阵列的擦除过程能顺利完成。
63.在一些优选的实施方式中，映射电路包括:第二字线解码器200，用于解码余下真实字线地址；虚拟字线解码器500，用于解码不存在于小容量存储阵列的字线地址；第一映射器，用于将不存在于小容量存储阵列的字线地址映射至余下真实字线地址。
64.具体地，第二字线解码器200的输出端和虚拟字线解码器500的输出端均与第一映射器的输入端连接。
65.具体地，第一映射器用于获取第二字线解码器200和虚拟字线解码器500的解码结果，当第二字线解码器200或虚拟字线解码器500解码成功时，第一映射器均会对应输出余下真实字线地址的解码结果；如：第二字线解码器200用于解码字线《11》，而虚拟字线解码器500用于解码字线《15》，第一映射器用于将字线《15》映射为《11》，因此，该用于解码字线《11》的解码器成功解码时，该第一映射器输出字线《11》的解码结果，而该用于解码字线《15》的虚拟字线解码器500成功解码时，该第一映射器也输出字线《11》的解码结果，从而实现字线《15》至字线《11》的映射。
66.更具体地，第一映射器能将原本对不存在于小容量存储阵列的字线地址进行的操作映射为对余下真实字线地址进行的操作，还能将原本对余下真实字线地址进行的操作保持为对余下真实字线地址进行的操作。
67.在一些优选的实施方式中，第一映射器包括:第一与非门301，第一与非门301的一输入端与第一编程信号端连接；第一或门302，第一或门302的一输入端与一第二字线解码器200的输出端连接；第一与门303，第一与门303的两输入端分别与第一与非门301的输出端和第一或门302的输出端连接，第一与门303的输出端与一余下真实字线地址连接；一虚拟字线解码器500的输出端与第一与非门301的另一输入端及第一或门302的另一输入端连接。
68.具体地，第一编程信号端用于获取编程状态信号，如编程状态信号为program_flag，当program_flag为1时，表明该存储阵列在进行编程操作（包括预编程处理、第一轻编程操作、第二轻编程操作），当program_flag为0时，表明该存储阵列在进行编程操作以外的操作，如擦除操作、擦除校验操作等。
69.更具体地，当program_flag为0时，第一与非门301的输出结果必然为1，从而启动映射关系，当program_flag为1时，虚拟字线解码器500成功解码输出1时，第一与非门301的输出结果为0，不会产生映射；因此，本技术实施例的解码电路能根据编程状态自动进行映射关系的建立和取消。
70.更具体地，第一映射器设置第一与非门301、第一或门302和第一与门303建立了虚拟字线解码器500和第二字线解码器200之间的映射关系，同时利用第一与非门301获取编程状态信号，使得本技术实施例的解码电路能根据编程状态信号建立和取消映射关系。
71.在一些优选的实施方式中，当第一字线解码器100为四位字线解码器时，映射电路包括:第三字线解码器401，第三字线解码器401为二位字线解码器，用于解码对应于四
位字线解码器的最左位电平和最右位电平以获取解码结果；第二映射器，用于解码对应于四位字线解码器的余下两位电平，并根据解码结果将不存在于小容量存储阵列的字线地址映射至余下真实字线地址。
72.具体地，第二映射器用于根据四位字线解码器的四位电平分析解码结果，将一不存在于小容量存储阵列的字线地址与一真实字线地址建立映射关系，即将至少两种解码结果合并输出为一种解码结果，如将地址1010地址的解码结果映射至地址1000的解码结果，即将字线原本《10》的结果映射至字线《8》上，即第二映射器根据第三字线解码器401对最左位电平和最右位电平的解码结果和余下两位电平进行解码，在电平表现为1010和1000的字线地址时输出字线《8》作为解码结果。
73.在一些优选的实施方式中，第二映射器包括：第二或门402，第二或门402的两输入端分别用于获取余下两位电平；第二与门403，第二与门403一输入端与第二或门402的输出端连接，另一输入端用于获取最左位电平；第二与非门404，第二与非门404两输入端分别与第二与门403的输出端和第二编程信号端连接；第三与门405，第三与门405两输入端分别与第二与非门404的输出端和第三字线解码器401的输出端连接，第三与门405的输出端与一余下真实字线地址连接。
74.具体地，第二编程信号端用于获取编程状态信号，如编程状态信号为program_state，当program_state为1时，表明该存储阵列在进行编程操作（包括预编程处理、第一轻编程操作、第二轻编程操作），当program_state为0时，表明该存储阵列在进行编程操作以外的操作，如擦除操作、擦除校验操作等。
75.更具体地，当program_state为0时，第二与非门404的输出结果必然为1，从而启动映射关系，当program_state为1时，第二或门402输出1时且使得第二与门403也输出为1时，第二与非门404的输出结果才为0，不会产生映射，只需要保证第二或门402输出为1时，其两输入端的电平与被映射的真实地址对应的电平存在不同即可避免不存在于小容量存储阵列的字线地址映射至真实字线地址；因此，本技术实施例的解码电路能根据编程状态自动进行映射关系的建立和取消。
76.更具体地，第二映射器通过设置第二或门402、第二与门403、第二与非门404和第三与门405建立了映射关系，同时利用第二与非门404获取编程状态信号，使得本技术实施例的解码电路能根据编程状态信号建立和取消映射关系。
77.实施例1针对一12*32bits（48bytes）的存储阵列进行解码时，该存储阵列存在12条字线，故需要设置4位字线地址。
78.在擦除校验操作过程中，该存储阵列的具有字线wl《0》-wl《11》，不存在字线wl《12》-wl《15》，与字线地址0000-1111无法完全对应，一般情况下进行擦除校验会无法通过，故采用如图3所示的解码电路针对该存储阵列进行解码；其中，图3中右侧采用8个四输入与门作为第一字线解码器100，用于解码字线wl《0》-wl《7》，对应字线地址为0000-0111；采用4个四输入与门作为第二字线解码器200，用于输出wl_1《8》
‑ꢀ
wl_1《11》；采用4个四输入与门作为虚拟字线解码器500，用于输出wl_1《12》
‑ꢀ
wl_1《15》；采用4个由第一与非门301、第一或
门302和第一与门303构成第一映射器，用于输出wl《8》-wl《11》，其中，program_flag为编程状态信号。
79.分析可知，无论编程状态信号program_flag如何，地址0000-1011均能顺利解码为wl《0》-wl《11》。
80.当编程状态信号program_flag为0时，地址1100-1111解码情况如下：表1 编程状态信号program_flag=0时，地址1100-1111解码表其中，addr为字线地址，当编程状态信号program_flag为0时，虚拟字线解码器500输出的字线wl_1《12》
‑ꢀ
wl_1《15》会映射为字线wl《8》-wl《11》。
81.因此，由上表可见，在非编程状态下，不存在于小容量存储阵列的字线地址对应的字线解码结果能映射至真实字线地址对应的字线解码结果上，使得擦除校验能顺利进行。
82.当编程状态信号program_flag为1时，地址1100-1111解码情况如下：表2编程状态信号program_flag=1时，地址1100-1111解码表其中，当编程状态信号program_flag为1时，虚拟字线解码器500输出的字线wl_1《12》
‑ꢀ
wl_1《15》没有相应的映射对象。
83.因此，由上表可见，在编程状态下，不存在于小容量存储阵列的字线地址取消映射关系，没有对应的字线，使编程操作不会对真实字线重复进行。
84.实施例2针对一10*32bits（40bytes）的存储阵列进行解码时，该存储阵列存在10条字线，故需要设置4位字线地址。
85.在擦除校验操作过程中，该存储阵列的具有字线wl《0》-wl《9》，不存在字线wl《10》-wl《15》，与字线地址0000-1111无法完全对应，一般情况下进行擦除校验会无法通过，故采用如图4所示的解码电路针对该存储阵列进行解码；其中，图4中右侧采用8个四输入与门作为第一字线解码器100，用于解码字线wl《0》-wl《7》，对应字线地址为0000-0111；采用由2个二输入与门作为第三字线解码器401，第三字线解码器401用于对最左位电平和最右位电平进行解码，其中最左位电平可用于判断该字线地址，仅在该最左位电平为高电平时通过（最左位电平为高电平时对应于字线地址1000-1111），最右位电平用于将字线地址分别分配至对应的第三字线解码器401进行解码，由此可根据地址递增顺序交替地将地址交替区分，并产生对应的字线准备信号wl_pre《9》和wl_pre《8》；采用由第二或门402、第二与门403、第二与非门404、第三与门405构成的第二映射器；字线准备信号wl_pre《9》和wl_pre《8》（两种信号整合简写为wl_pre《9:8》）均接入至第二映射器中的第三与门中，第二映射器通
过第二或门402和第二与门403确定字线地址是否为真实字线地址（接入至第三字线解码器401的地址包括1000-1111，故第二映射器判断的真实地址为1000和1001），然后将对应字线地址结合wl_pre《9》和wl_pre《8》映射为wl 《9》和wl 《8》；其中，program_state为编程状态信号。
86.分析可知，无论编程状态信号program_state如何，地址0000-1001均能顺利解码为wl《0》-wl《9》。
87.当编程状态信号program_state为0时，地址1010-1111解码情况如下：表3 编程状态信号program_state=0时，地址1010-1111解码表其中，addr为字线地址，当编程状态信号program_flag为0时，字线地址1010-1111对应交替输出字线wl《8》和wl《9》。
88.因此，由上表可见，在非编程状态下，不存在于小容量存储阵列的字线地址对应的字线解码结果能映射至真实字线地址对应的字线解码结果上，使得擦除校验能顺利进行。
89.当编程状态信号program_state为1时，地址1010-1111解码情况如下：表4编程状态信号program_state=1时，地址1010-1111解码表其中，当编程状态信号program_flag为1时，字线地址1010-1111没有相应的映射对象。
90.因此，由上表可见，在编程状态下，不存在于小容量存储阵列的字线地址取消映射关系，没有对应的字线，使编程操作不会对真实字线重复进行。
91.综上，本技术实施例提供了一种小容量存储阵列的擦除校验方法、擦除方法和解码电路，其中，擦除校验方法通过建立不存在于小容量存储阵列的字线地址与小容量存储阵列的真实字线地址的映射关系，使得对该小容量存储阵列进行擦除校验时，遍历的所有地址均有对应的真实字线地址，即有对应真实存在的存储单元，从而使得擦除校验步骤能顺利执行。
92.在本技术所提供的实施例中，应该理解到，所揭露电路和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的电路实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间
的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，电路或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
93.另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
94.再者，在本技术各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
95.在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
96.以上所述仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。