一种短波长用低损耗保偏光纤及其应用和制备方法与流程

技术特征：
1.一种短波长用低损耗保偏光纤，其特征在于，包括纤芯层、应力层、内包层和外包层；所述纤芯层嵌设于所述内包层中心，所述外包层包裹在所述内包层外周，所述应力层成对设置并嵌设在所述内包层上，且两所述应力层对称设置在所述纤芯层两侧；所述纤芯层中羟基含量为100～1000ppm，所述内包层中羟基含量为500～2000ppm。2.根据权利要求1所述的短波长用低损耗保偏光纤，其特征在于，所述短波长用低损耗保偏光纤在500nm波长处的衰减系数小于28db/km；其在600nm波长处的衰减系数小于18db/km；其在700nm波长处的衰减系数小于5db/km。3.根据权利要求1所述的短波长用低损耗保偏光纤，其特征在于，所述短波长用低损耗保偏光纤在0.1gy/s剂量率和10kgy总剂量辐照后的附加衰减小于等于0.5db/100m。4.根据权利要求1所述的短波长用低损耗保偏光纤，其特征在于，所述纤芯层的直径d1为2～4.5μm，其相对折射率差δ1％为-0.02％～-0.32％；所述应力层的直径d2为20～40μm，相对折射率差δ2％为-0.80％～-1.3％；所述内包层直径d3为30～90μm，相对折射率差δ3％为-0.20％～-0.70％；所述外包层直径d5为80～125μm。5.根据权利要求4中所述的短波长用低损耗保偏光纤，其特征在于，所述短波长用低损耗保偏光纤的模式双折射率不小于3.0*10-4
。6.根据权利要求1所述的短波长用低损耗保偏光纤，其特征在于，所述短波长用低损耗保偏光纤在10mm弯曲半径下绕圈一圈时，在500nm波长处的宏弯1小于0.1db，在600nm波长处的宏弯损耗小于0.2db，在700nm波长处的宏弯损耗小于2db。7.一种如权利要求1～6中任意一项所述的短波长用低损耗保偏光纤的应用，其特征在于，所述短波长用低损耗保偏光纤的应用波长为400～700nm。8.一种短波长用低损耗保偏光纤的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)采用pcvd工艺分别制备内包层和芯棒；(2)采用pcvd工艺制备硼棒，将衬管进行打磨；(3)在芯棒层外套设内包层和外包层，制得母棒，在母棒中心对称开设两个与应力层相吻合的应力通孔，将应力层穿设到母棒中，得到光纤预制棒；(4)将光纤预制棒放入高温炉进行熔融拉丝，通过拉丝机涂覆丙烯酸树脂，然后进行光固化制得光纤。9.根据权利要求8所述的短波长用低损耗保偏光纤的制备方法，其特征在于，所述pcvd工艺中采用sicl4、sihcl3、c2f6、o2为原料制备芯棒层，所述sihcl3采用流量计进行控制，且其流量为0.1～5sccm。10.根据权利要求8所述的短波长用低损耗保偏光纤的制备方法，其特征在于，所述熔融拉丝工序中熔融的温度为1800℃～2200℃。11.根据权利要求8所述的短波长用低损耗保偏光纤的制备方法，其特征在于，所述拉丝机的拉制速度为100m/min～1000m/min；拉制张力为40g～180g。

技术总结
本发明公开了一种短波长用低损耗保偏光纤及其应用和制备方法，属于光通信技术领域，包括纤芯层、应力层、内包层和外包层，并且纤芯层嵌设在内包层的中心，外包层包裹在内包层外周；该应力层成对设置并嵌设在内包层上，并且两应力层对称设置在纤芯层的两侧。本申请通过对原料流量控制，纤芯层、应力层、内包层及外包层直径控制、熔融拉丝温度、拉丝速率和拉丝张力等进行控制，以获得具备低损耗性能、抗辐照、抗宏弯性能的400～700nm用的短波长保偏光纤。抗宏弯性能的400～700nm用的短波长保偏光纤。抗宏弯性能的400～700nm用的短波长保偏光纤。


技术研发人员：骆城 杨坤 胡小龙 张翼菲 张承炎 常华峰 曹蓓蓓 杨晨
受保护的技术使用者：长飞光纤光缆股份有限公司
技术研发日：2021.12.27
技术公布日：2022/4/1