关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法。


背景技术：

2.在集成电路制造领域，随着工艺尺寸的不断缩小，产品种类越来越复杂，尤其是针对于线宽小，图案(pattern)比较密集(dense)的产品，对于ye(yield enhancement，良率改善)检测机台和菜单的要求越来越高，如何有效的提高ye检测扫描菜单对于产品良率提升至关重要。


技术实现要素：

3.针对上述情况，为了克服现有技术的缺陷，本发明提供一种关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法。
4.本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法，其特征在于，其包括以下步骤：
5.步骤一，首先对晶圆进行预扫描，确认重复矩阵图案密集区的走向；
6.步骤二，改变扫描方向，保持扫描方向与重复矩阵图案走向平行，保证收集更多的散射光，使缺陷在偏振光下能够产生并增强信号、强化缺陷信号；
7.步骤三，运用傅立叶滤光器并通过相干衍射的原理，减少背景噪扰，更大程度的弱化背景从而增强信号。
8.优选地，所述晶圆包括多个芯片，多个芯片为多行多列的形式存在，呈阵列的形式布局在所述晶圆上。
9.优选地，所述步骤一利用暗场缺陷扫描机台对晶圆进行预扫描。
10.优选地，所述暗场缺陷扫描机台利用傅立叶滤光器针对晶圆表面相同裸片的重复单元进行滤波。
11.优选地，所述步骤二根据当层图形走向，对晶圆进行转角处理，从而改变扫描方向。
12.优选地，所述傅立叶变换将一个函数分解为其频率成分的连续频谱。
13.优选地，所述步骤一将晶圆的每一待检测区域划分为重复矩阵图案密集区和重复矩阵图案非密集区。
14.本发明的积极进步效果在于：本发明针对于不同重复矩阵型图案走向的产品，采用晶圆(wafer)扫描方向来改变图案走向，运用暗场机台扫描收集散射光以及增加傅立叶进行相干衍射减少背景噪声(noise)的方法，对于重复矩阵型图案中小尺寸的缺陷(defect)具有较强的抓获能力，可以提高缺陷的信噪比，在当站检测出该种类型的缺陷进行工艺优化，降低低良风险。
附图说明
15.图1为本发明关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法的流程图。
具体实施方式
16.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
17.如图1所示，本发明关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法包括以下步骤：
18.步骤一，首先对晶圆进行预扫描，确认重复矩阵图案(pattern)比较密集(dense)区域的走向；其中，步骤一利用暗场缺陷扫描机台对晶圆进行预扫描，暗场缺陷扫描机台利用傅立叶滤光器针对晶圆表面相同裸片的重复单元进行滤波，提高检测准确度。步骤一将晶圆的每一待检测区域划分为重复矩阵图案密集区和重复矩阵图案非密集区，方便区分和后续扫描。
19.步骤二，改变扫描方向，保持扫描方向与重复矩阵图案(pattern)走向平行，保证收集更多的散射光，使缺陷在偏振光下能够产生并增强信号、强化缺陷信号；步骤二根据当层图形走向，对晶圆进行转角处理，比如通过转动平台对晶圆转动，从而改变扫描方向，使用方便。
20.步骤三，运用傅立叶滤光器(filter)并通过相干衍射的原理，减少背景噪扰(nuisance)，更大程度的弱化背景从而增强信号；具体来说，傅立叶变换将一个函数分解为其频率成分的连续频谱，晶圆扫描后，衍射峰被棒子阻挡时，光强会下降，从而达到降低背景噪扰的目的，提高信噪比，获得信噪比较高的缺陷数据，降低低良风险，从而提高产品的良率。
21.本实施例中，所述晶圆包括多个芯片，多个芯片为多行多列的形式存在，呈阵列的形式布局在所述晶圆上。每一个芯片中存在各种功能器件的布图设计(design)，针对于线宽较小且重复单元图形排布比较密集的区域，要求缺陷检测的灵敏度较高，因此对于机台的要求较高，首先本发明选择保持晶圆扫描方向和重复矩阵图案走向一致(即平行)，可以收集更多的散射光。
22.上述具体实施方式为本发明的优选实施例，并不能对本发明进行限定，其他的任何未背离本发明的技术方案而所做的改变或其它等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。


技术特征：
1.一种关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤一，首先对晶圆进行预扫描，确认重复矩阵图案密集区的走向；步骤二，改变扫描方向，保持扫描方向与重复矩阵图案走向平行，保证收集更多的散射光，使缺陷在偏振光下能够产生并增强信号、强化缺陷信号；步骤三，运用傅立叶滤光器并通过相干衍射的原理，减少背景噪扰，更大程度的弱化背景从而增强信号。2.如权利要求1所述的关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法，其特征在于，所述晶圆包括多个芯片，多个芯片为多行多列的形式存在，呈阵列的形式布局在所述晶圆上。3.如权利要求1所述的关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法，其特征在于，所述步骤一利用暗场缺陷扫描机台对晶圆进行预扫描。4.如权利要求3所述的关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法，其特征在于，所述暗场缺陷扫描机台利用傅立叶滤光器针对晶圆表面相同裸片的重复单元进行滤波。5.如权利要求1所述的关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法，其特征在于，所述步骤二根据当层图形走向，对晶圆进行转角处理，从而改变扫描方向。6.如权利要求1所述的关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法，其特征在于，所述傅立叶变换将一个函数分解为其频率成分的连续频谱。7.如权利要求1所述的关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法，其特征在于，所述步骤一将晶圆的每一待检测区域划分为重复矩阵图案密集区和重复矩阵图案非密集区。

技术总结
本发明公开了一种关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法，其包括以下步骤：步骤一，首先对晶圆进行预扫描，确认重复矩阵图案密集区的走向；步骤二，改变扫描方向，保持扫描方向与重复矩阵图案走向平行，保证收集更多的散射光，使缺陷在偏振光下能够产生并增强信号强化缺陷信号；步骤三，运用傅立叶滤光器并通过相干衍射的原理，减少背景噪扰，更大程度的弱化背景从而增强信号。本发明对于重复矩阵型图案中小尺寸的缺陷具有较强的抓获能力，可以提高缺陷的信噪比，在当站检测出该种类型的缺陷进行工艺优化，降低低良风险。降低低良风险。降低低良风险。


技术研发人员：刘青青 米琳 宁威
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2021.12.06
技术公布日：2022/4/1