异质光功率分配器/组合器的制作方法

技术特征：
1.一种光功率分配器/组合器的结构，该结构包括：第一波导芯，包括第一端面以及向该第一端面锥形化的第一锥形段；第二波导芯，位于邻近该第一波导芯，该第二波导芯包括第二端面以及向该第二端面锥形化的第二锥形段；以及第三波导芯，位于与该第一波导芯及该第二波导芯不同的层级中，该第三波导芯包括第三端面以及向该第三端面锥形化的第三锥形段，且该第三锥形段包括横向位于该第一波导芯的该第一锥形段与该第二波导芯的该第二锥形段之间的第一部分。2.如权利要求1所述的结构，其中，该第一锥形段及该第二锥形段分别沿第一方向纵向锥形化，且该第三锥形段沿与该第一方向相反的第二方向纵向锥形化。3.如权利要求1所述的结构，其中，该第三波导芯位于该第一波导芯及该第二波导芯下方。4.如权利要求3所述的结构，其中，该第三波导芯包括第一材料，且该第一波导芯及该第二波导芯包括具有与该第一材料不同组成的第二材料。5.如权利要求1所述的结构，其中，该第三波导芯位于该第一波导芯及该第二波导芯之上。6.如权利要求5所述的结构，其中，该第三波导芯包括第一材料，且该第一波导芯及该第二波导芯包括具有与该第一材料不同组成的第二材料。7.如权利要求1所述的结构，还包括：介电层，部分位于该第三波导芯与该第一波导芯之间且部分位于该第二波导芯与该第一波导芯之间。8.如权利要求1所述的结构，其中，该第一锥形段包括终止于该第一端面的部分，该第二锥形段包括终止于该第二端面的部分，该第三锥形段的该第一部分终止于该第三端面，且该第三锥形段的该第一部分横向位于该第一锥形段的该部分与该第二锥形段的该部分之间。9.如权利要求8所述的结构，其中，该第一锥形段的该部分与该第二锥形段的该部分相对于该第三锥形段的该第一部分对称布置。10.如权利要求8所述的结构，其中，该第一锥形段的该部分与该第二锥形段的该部分相对于该第三锥形段的该第一部分不对称布置。11.如权利要求1所述的结构，还包括：第四波导芯，包括第四端面以及向该第四端面锥形化的第四锥形段，该第四锥形段位于邻近该第一锥形段。12.如权利要求11所述的结构，还包括：第五波导芯，包括第五端面以及向该第五端面锥形化的第五锥形段，该第五锥形段位于邻近该第二锥形段，该第一锥形段及该第二锥形段横向位于该第四锥形段与该第五锥形段之间。13.如权利要求1所述的结构，其中，该第三波导芯包括第二部分，该第一部分纵向位于该第一端面与该第二部分之间，且还包括：锥形介电层，仅位于该第三波导芯的该第二部分上方。14.一种形成光功率分配器/组合器的结构的方法，该方法包括：
形成第一波导芯，该第一波导芯包括第一端面以及向该第一端面锥形化的第一锥形段；形成第二波导芯，该第二波导芯位于邻近该第一波导芯，且包括第二端面以及向该第二端面锥形化的第二锥形段；以及形成第三波导芯，该第三波导芯位于与该第一波导芯及该第二波导芯不同的层级中，且包括第三端面以及向该第三端面锥形化的第三锥形段，其中，该第三锥形段包括横向位于该第一波导芯的该第一锥形段与该第二波导芯的该第二锥形段之间的部分。15.如权利要求14所述的方法，其中，该第一锥形段及该第二锥形段沿第一方向纵向锥形化，且该第三锥形段沿与该第一方向相反的第二方向纵向锥形化。16.如权利要求14所述的方法，其中，该第三波导芯位于该第一波导芯及该第二波导芯下方，该第三波导芯自第一材料层图案化，且该第一波导芯及该第二波导芯自具有与该第一材料不同组成的第二材料层图案化。17.如权利要求14所述的方法，其中，该第三波导芯位于该第一波导芯及该第二波导芯之上，该第三波导芯自第一材料层图案化，且该第一波导芯及该第二波导芯自具有与该第一材料不同组成的第二材料层图案化。18.如权利要求14所述的方法，还包括：沉积介电层，该介电层部分位于该第三波导芯与该第一波导芯之间且部分位于该第二波导芯与该第一波导芯之间。19.如权利要求14所述的方法，其中，该第一锥形段包括终止于该第一端面的部分，该第二锥形段包括终止于该第二端面的部分，该第三锥形段的该部分终止于该第三端面，且该第三锥形段的该部分横向位于该第一锥形段的该部分与该第二锥形段的该部分之间。20.如权利要求14所述的方法，还包括：形成第四波导芯，该第四波导芯包括第四端面以及向该第四端面锥形化的第四锥形段，其中，该第四锥形段位于邻近该第一锥形段。

技术总结
本发明涉及异质光功率分配器/组合器，揭示了光功率分配器/组合器的结构以及形成光功率分配器/组合器的结构的方法。第一波导芯位于邻近第二波导芯。该第一波导芯包括第一端面以及向该第一端面锥形化的第一锥形段。该第二波导芯包括第二端面以及向该第二端面锥形化的第二锥形段。第三波导芯位于与该第一波导芯及该第二波导芯不同的层级中。该第三波导芯包括第三端面以及向该第三端面锥形化的第三锥形段。该第三锥形段包括横向位于该第一波导芯的该第一锥形段与该第二波导芯的该第二锥形段之间的部分。段之间的部分。段之间的部分。


技术研发人员：卞宇生
受保护的技术使用者：格芯（美国）集成电路科技有限公司
技术研发日：2021.09.18
技术公布日：2022/3/29