带有两层级蒸汽腔室的冷却装置的制作方法

1.本公开总体上涉及计算机系统的领域，更具体而言涉及包括两层级蒸汽腔室(two-tier vapor chamber)的冷却装置。


背景技术：

2.计算机系统可利用蒸汽腔室对处理器或者包含处理器的芯片封装(例如，包括中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)和/或其他类型处理器的片上系统(soc))进行热冷却。蒸汽腔室可利用腔室内部的相变现象来使热量扩散并且降低结点温度。在薄型移动设备中，由于相对较薄的竖直堆叠尺寸，当前的蒸气腔室设计可能导致设备的外表面上的温度高于期望温度。在一些情况下，可能需要处理器扼制来降低这种温度。然而，这也会导致设备中的计算性能降低。


技术实现要素：

3.根据本公开的第一方面，提供了一种两层级蒸汽腔室装置，包括：密封第一空腔，至少部分由第一金属壁和第二金属壁界定，其中，所述密封第一空腔的内部压力低于所述密封第一空腔外部的环境压力；以及密封第二空腔，至少部分由平坦的第三金属壁和所述第二金属壁界定的，其中，所述密封第二空腔包括设置在其中的液体和与所述第三金属壁的内表面耦合的芯子材料。
4.根据本公开的第二方面，提供了一种装置，包括：用于计算机的冷却系统，其中，所述冷却系统包括两层级蒸汽腔室，并且所述两层级蒸汽腔室包括：密封第一空腔，至少部分由第一金属壁和第二金属壁界定，其中，所述密封第一空腔的内部压力低于所述密封第一空腔外部的环境压力；以及密封第二空腔，至少部分由平坦的第三金属壁和所述第二金属壁界定，其中，所述密封第二空腔包括设置在其中的液体和与所述第三金属壁的内表面耦合的芯子材料。
5.根据本公开的第三方面，提供了一种系统，包括：包括处理器的芯片封装；以及蒸汽腔室装置，包括：第一空腔，至少部分由第一金属壁和第二金属壁界定，其中，所述第一空腔的内部压力低于所述第一空腔外部的环境压力；以及第二空腔，至少部分由平坦的第三金属壁和所述第二金属壁界定，其中，所述第二空腔包括设置在其中的液体和与所述第三金属壁的内表面耦合的芯子材料，并且所述芯片封装被定位成使得其耦合到所述蒸汽腔室的平坦的第三金属壁。
附图说明
6.图1图示了移动设备的示例堆叠的简化视图。
7.图2图示了两层级蒸汽腔室装置的示例实施例。
8.图3a-3b图示了两层级蒸汽腔室装置的另一示例实施例。
9.图4a-4b图示了两层级蒸汽腔室装置的另一示例实施例。
10.图5a-5b图示了在冷却解决方案和顶层之间具有气隙的示例移动设备堆叠的简化视图。
11.图6是图示出空气的导热率与压力之间的示例关系的图表。
12.图7a-7b分别图示了单层级和两层级冷却装置的示例热点。
13.图8是示出铜热板、单层级蒸汽腔室和两层级蒸汽腔室冷却装置的示例性能差异的图表。
14.图9是示出基于真空和基于气凝胶的两层级蒸汽腔室装置的示例性能差异的图表。
15.图10是示出根据本公开的实施例的制造两层级蒸汽腔室冷却装置的示例过程的流程图。
16.图11a-11g图示了根据本公开的实施例的两层级蒸汽腔室冷却装置的制造过程期间的示例步骤。
17.图12图示了嵌入式两层级蒸汽腔室装置的示例实施例。
18.图13a-13b分别图示了单层级和嵌入式两层级冷却装置的示例热点。
19.图14是示出单层级蒸汽腔室装置和嵌入式两层级蒸汽腔室冷却装置的示例性能差异的图表。
20.图15是根据一个实施例的处理器的示例图示。
21.图16是根据一个实施例的被设置为点对点(ptp)配置的计算系统。
22.在各个附图中相似的附图标号和命名指示相似的元素。
具体实施方式
23.在下面的描述中，阐述了许多具体细节，例如具体配置、结构、架构细节等等的示例，以便提供对本公开的透彻理解。然而，本领域技术人员将会清楚，实现本公开的实施例并不需要采用这些具体细节。在一些情况下，可利用公知的组件或方法，并且为了避免不必要地模糊本公开的实施例，没有详细描述这种细节。
24.对于某些计算设备，例如移动计算设备(膝上型电脑、移动电话、平板设备，等等)，可能非常想要薄且轻的设计。这些系统的持续性能可能受到“皮肤”(skin)温度限制(例如，～45-46c)所限，而“极速”(turbo)性能(例如，重度计算场景)可能受到芯片封装(例如，包括诸如中央处理单元(cpu)或图形处理单元(gpu)之类的处理器设备的片上系统(soc)或其他类型的芯片)的结点温度(例如，～100c)所限。由于这些设备的竖直堆叠高度更薄，所以在达到持续工作负载的结点温度(tj)极限(例如，热设计功率(thermal design power，tdp))之前，“皮肤”可能被加热到超过其极限。就本文使用的而言，“皮肤”可以指竖直设备堆叠的外层，例如，移动设备(例如，移动电话或平板设备)的顶部玻璃层或后盖层。另外，持续性能可以指在长期预期稳态功率消耗(例如，pl1)期间的性能，而极速性能可以指在短期最大功率消耗(例如，pl2)期间的性能。
25.另外，在更薄的设备中，皮肤热点可能不大取决于芯片封装上的热扩散器的类型(例如，铜与热管与蒸汽腔室)，因为在更薄的系统中，热量可能无视扩散而向皮肤传播。通过在芯片封装顶部的热解决方案和皮肤(例如，玻璃/后盖)上方之间提供热气隙，可避免皮肤加热。然而，更厚的气隙会增大系统的堆叠(即，整体高度)，并且可能增大tj，这降低了封
装的极速性能能力。
26.可利用蒸汽腔室作为无源器件结点温度冷却的有效解决方案。蒸汽腔室可利用腔室内部的相变现象来扩散热量并且降低结点温度(tj)。然而，在当前的设计中，皮肤温度(t
皮肤
)可能与其他解决方案(例如铜扩散器或热管)大致相同。
27.因此，本公开的实施例包括两层级蒸汽腔室(two-tier vapor chamber，2t-vc)结构，它可提供一个或多个优于当前冷却解决方案的益处，包括减少皮肤热点。两层级蒸汽腔室设计可包括两个层或层级：(1)在蒸汽腔室的顶部区域中有薄的真空层(例如，～0.1-0.2mm厚)，(2)在真空层下面有第二层，其中利用了液体充电。这两个区域可由薄的铜层分隔开。在一些实施例中，可以用导热率小于空气的绝缘材料(例如，气凝胶)而不是真空来填充顶层。2t-vc结构的顶部腔室可有助于降低皮肤温度，从而提高系统的持续能力(pl1极限)(在一些情况下提高～15-20％)。在将气凝胶绝缘材料用于顶部腔室中的实施例中，与铜板解决方案相比，pl1性能可提高13％，与当前的蒸汽腔室结构相比，可提高11％。另外，对于短时突发(例如，～5-10秒)，与主流的铜扩散器解决方案相比，具有2t-vc结构的产品的极速性能可提高大约15-20％，并且可保持与当前蒸汽腔室结构大致相同。
28.图1图示了移动设备的示例堆叠100的简化视图。示例堆叠100包括顶层102、热解决方案104、芯片封装106、印刷电路板(pcb)108、以及底层110。堆叠100可包括比所示出的更多的层。顶层102和底层110可以是设备的外层。顶层102可由玻璃或其他适当的材料形成，或者包括玻璃或其他适当的材料，以提供与用户的外层界面，而底层可由金属、塑料或其他适当的材料形成，或者包括金属、塑料或其他适当的材料，以包装移动设备。pcb 108可由电绝缘材料形成，例如硅，并且可包括一个或多个迹线或其他电气组件。pcb 108可容纳一个或多个芯片封装(例如，106)，这些芯片封装包括处理器、存储器或者其他计算机组件。在所示出的示例中，芯片封装106包括一个或多个处理器(例如，cpu或gpu)。在一些情况下，芯片封装106是片上系统(soc)。
29.热解决方案104去除芯片封装106在操作期间生成的热量。在当前的系统中，热解决方案104可包括单层级蒸汽腔室、热管或者散热器。然而，在本公开的某些实施例中，热解决方案104包括如本文所述的两层级蒸汽腔室设计。如图所示，虽然热解决方案104从芯片封装106去除热量，但一些热量可能从热解决方案104耗散到热解决方案104与顶层102之间的气隙中，导致顶层102的温度上升。顶层102中的温度在此可被称为皮肤温度(t
皮肤
)，而芯片封装106与热解决方案104之间的结点处的温度可被称为结点温度(tj)。
30.在某些系统中(例如，薄/轻外形设备，例如膝上型电脑或平板设备，或者高性能计算机系统，例如游戏系统)，持续功率能力可能受到皮肤温度的限制。作为示例，这些系统的皮肤温度极限可能是大约45-48c，而结点温度极限可能是大约100c。一个流行的降低皮肤温度的解决方案是在热解决方案104和顶层102之间提供气隙(由于空气的低传导性，约为0.026w/mk)。堆叠中的总气隙由两个成分组成，一个成分是由于内部部件的机械公差而需要保持标称气隙，另一个成分是满足皮肤温度极限的热要求(即，气隙将热量从热解决方案104隔离开，以降低皮肤温度)。虽然气隙可提供绝缘层并且捕获热量，但较厚的气隙可能会不可取地增大堆叠厚度，并且可能增大结点温度，降低芯片封装的极速性能能力。在一些情况下，器件的pl1性能限制可能是由于t
皮肤
造成的，并且可能不太取决于热解决方案的类型，而pl2限制可能是由于结点温度造成的，并且可能主要取决于所使用的热解决方案的有效
性。
31.图2图示了两层级蒸汽腔室装置200的示例实施例。具体地，图2图示了该装置的截面图。示例装置200包括两个层级210、220。第一层级210包括密封的空腔211，该空腔由壁212、213界定。在一些实施例中，壁212、213可以是金属(例如，铜、钛、铝、合金或者其他导热金属)。第一层级210还包括支撑结构214，该支撑结构与壁212、213接触并正交，并且可为空腔211提供结构支撑。支撑结构214可由金属、塑料、石墨或者任何其他适当的材料制成，为空腔211提供结构支撑。另外，支撑结构214的形状或位置可采取与图2中所示不同的另一种方式。
32.空腔211可被抽空，使其内部压力小于环境压力。例如，在一些实施例中，空腔211被抽空到真空或接近真空的压力，例如压力小于0.1托(例如，0.05-0.1托)。在其他实施例中，空腔211被填充有导热率小于空气的热绝缘材料，例如气凝胶。空腔211中的真空或热绝缘材料可提供与设备堆叠中的其他层(例如，图1的顶层102)的热绝缘，这可降低皮肤温度，并且提供如上文或本文别处所述的一个或多个优点。
33.装置200的第二层级220包括密封的空腔221，该空腔由壁213、222界定。在所示出的示例中，壁222是平坦的，以便它可被定位得靠近(或者经由热界面材料(thermal interface material，tim)耦合到)芯片封装来冷却该芯片封装。如图2所示，壁212、213在某些区域中可以是平坦的，或者可具有其他形状。在某些实施例中，空腔221中的组件可作为蒸汽腔室，由此，空腔221中的液体被芯片封装通过壁222加热并且蒸发成蒸汽，然后随着热量被从蒸汽中耗散到壁213中而冷凝。
34.在所示出的示例中，空腔221的内表面(即，壁213、222的内表面)包括芯子材料224。芯子材料224可包括烧结金属(例如，铜)或其他类型的材料。示例芯子材料224包括两个区域224a、224b。区域224a可被认为是蒸发/蒸发器芯子(例如，可以是发生液体蒸发的芯子区域)，而区域224b可被认为是冷凝/冷凝器芯子(例如，可以是发生液体冷凝(以及如图2中箭头所示的流动)的芯子区域)。在一些实施例中，区域224a、224b都可以是烧结金属，但可具有不同的结构或孔隙率。
35.例如，在一些实施例中，区域224a可包括粗分级网(例如，孔隙率在40-70％之间，例如，～50-60％)，而区域224b可包括细分级网(例如，孔隙率在30-50％之间，例如，～40-45％)。粗分级网不仅为液体蒸发创造了额外的液体-蒸汽界面，而且还扰乱了液体膜中的温度梯度，以减小饱和的芯吸结构的热阻，并且增大了跨界面的蒸发率。蒸汽腔室的总热通量因此可由以下公式给出
[0036][0037]
其中是与界面表面面积成正比的蒸发的液体的质量。从而，粗分级网可帮助提高两层级蒸汽腔室的临界热通量(critical heat flux，chf)能力。另外，冷凝器芯子区域处的细分级网结构可产生更高的毛细管压力，使冷凝液流回到蒸发器部分。蒸发器芯子的毛细管压力可由以下公式给出：
[0038][0039]
其中σ是工作流体的表面张力，并且r
eff
是芯子中的弯液面的曲率半径。增大蒸发
器的热负载会增大系统中的质量流速和总压力下降，从而增大2t-vc的整体htc。采用上述混合芯子方案(即，使用具有不同孔隙率的芯子部分)，基于上述公式，与整个蒸汽腔室的均匀芯子材料相比，2t-vc装置的热性能可提高5-10％。
[0040]
在所示出的示例中，空腔221还包括支撑结构228，它可为空腔221提供结构支撑。支撑结构228的形成可类似于空腔211中的结构214，或者可按不同的方式来形成。
[0041]
在所示出的示例中，两个空腔211、221的截面区域都是矩形的。然而，空腔211、221的截面区域的形状可采取其他形式(例如，如图3a或4a所示)。另外，在所示出的示例中，空腔211、221的截面区域基本相似。然而，空腔211、221的截面区域可以是不同的(例如，如图3a、3b中所示)。
[0042]
图3a-3b图示了两层级蒸汽腔室装置300的另一示例实施例。具体地，图3a图示了该装置的截面图，而图3b图示了该装置的顶视图。与装置200一样，示例装置300包括两个层级310、320。第一层级310包括密封的空腔311，该空腔由壁312、313界定。在一些实施例中，壁312、313可以是金属(例如，铜、钛、铝、合金或者其他导热金属)。第一层级310还包括支撑结构314，该支撑结构与壁312、313接触并正交，并且可为空腔311提供结构支撑。支撑结构314可由金属、塑料、石墨或者任何其他适当的材料制成，为空腔311提供结构支撑。另外，支撑结构314的形状或位置可采取与图3a中所示不同的另一种方式。
[0043]
空腔311可被抽空，使其内部压力小于环境压力。例如，在一些实施例中，空腔311被抽空到真空或接近真空的压力，例如压力小于0.1托(例如，0.05-0.1托)。在其他实施例中，空腔311被填充有导热率小于空气的热绝缘材料，例如气凝胶。空腔311中的真空或热绝缘材料可提供与设备堆叠中的其他层(例如，图1的顶层102)的热绝缘，这可降低皮肤温度，并且提供如上文或本文别处所述的一个或多个优点。
[0044]
装置300的第二层级320包括密封的空腔321，该空腔由壁313、322界定。在所示出的示例中，壁322是平坦的，以便它可被定位得靠近(或者经由tim耦合到)芯片封装来冷却该芯片封装。如图3a所示，壁312、313在某些区域中可以是平坦的，或者可具有其他形状。在某些实施例中，空腔321中的组件可作为蒸汽腔室，由此，空腔321中的液体被芯片封装通过壁322加热并且蒸发成蒸汽，然后随着热量被从蒸汽中耗散到壁313中而冷凝。
[0045]
在所示出的示例中，空腔321的内表面(即，壁313、322的内表面)包括芯子材料324。芯子材料324可包括烧结金属(例如，铜)或其他类型的材料。示例芯子材料324包括两个区域324a、324b。区域324a可被认为是蒸发/蒸发器芯子(例如，可以是发生液体蒸发的芯子区域)，而区域324b可被认为是冷凝/冷凝器芯子(例如，可以是发生液体冷凝(以及如图3a中箭头所示的流动)的芯子区域)。在一些实施例中，区域324a、324b都可以是烧结金属，但可具有不同的结构或孔隙率。例如，在一些实施例中，区域324a可包括粗分级网(例如，孔隙率为～50-60％)，而区域324b可包括细分级网(例如，孔隙率为～40-45％)。
[0046]
在所示出的示例中，第一空腔311的截面区域是梯形的，第二空腔321的截面区域是矩形的。然而，空腔311、321的截面区域的形状可采取其他形式。另外，在所示出的示例中，空腔311的截面区域小于空腔321的截面区域。
[0047]
图4a-4b图示了两层级蒸汽腔室装置400的另一示例实施例。具体地，图4a图示了该装置的截面图，而图4b图示了该装置的顶视图。与装置200和300一样，示例装置400包括两个层级410、420。第一层级410包括密封的空腔411，该空腔由壁412、413界定。在一些实施
例中，壁412、413可以是金属(例如，铜、钛、铝、合金或者其他导热金属)。第一层级410还包括支撑结构414，该支撑结构与壁412、413接触并正交，并且可为空腔411提供结构支撑。支撑结构414可由金属、塑料、石墨、复合材料(例如，碳纤维)或者任何其他适当的材料制成，为空腔411提供结构支撑。另外，支撑结构414的形状或位置可采取与图4a中所示不同的另一种方式。
[0048]
空腔411可被抽空，使其内部压力小于环境压力。例如，在一些实施例中，空腔411被抽空到真空或接近真空的压力，例如压力小于0.1托(例如，0.05-0.1托)。在其他实施例中，空腔411被填充有导热率小于空气的热绝缘材料，例如气凝胶。空腔411中的真空或热绝缘材料可提供与设备堆叠中的其他层(例如，图1的顶层102)的热绝缘，这可降低皮肤温度，并且提供如上文或本文别处所述的一个或多个优点。
[0049]
装置400的第二层级420包括密封的空腔421，该空腔由壁413、422界定。在所示出的示例中，壁422是平坦的，以便它可被定位得靠近(或者经由tim耦合到)芯片封装来冷却该芯片封装。如图4a所示，壁412、413在某些区域中可以是平坦的，或者可具有其他形状。在某些实施例中，空腔421中的组件可作为蒸汽腔室，由此，空腔421中的液体被芯片封装通过壁422加热并且蒸发成蒸汽，然后随着热量被从蒸汽中耗散到壁413中而冷凝。
[0050]
在所示出的示例中，空腔421的内表面(即，壁413、422的内表面)包括芯子材料424。芯子材料424可包括烧结金属(例如，铜)或其他类型的材料。示例芯子材料424包括两个区域424a、424b。区域424a可被认为是蒸发/蒸发器芯子(例如，可以是发生液体蒸发的芯子区域)，而区域424b可被认为是冷凝/冷凝器芯子(例如，可以是发生液体冷凝(以及如图4a中箭头所示的流动)的芯子区域)。在一些实施例中，区域424a、424b都可以是烧结金属，但可具有不同的结构或孔隙率。例如，在一些实施例中，区域424a可包括粗分级网(例如，孔隙率为～50-60％)，而区域424b可包括细分级网(例如，孔隙率为～40-45％)。
[0051]
在所示出的示例中，空腔421还包括支撑结构428，它可为空腔421提供结构支撑。支撑结构428的形成可类似于空腔411中的结构414，或者可按不同的方式来形成。
[0052]
在所示出的示例中，空腔411、421的截面区域是矩形的。然而，空腔411、421的截面区域的形状可采取其他形式。另外，在所示出的示例中，空腔411的截面区域小于空腔421的截面区域。
[0053]
在一些实施例中，两层级装置可被用于被动冷却配置中，其中没有其他热交换器被用于冷却。然而，在其他实施例中，两层级装置可被用于使用热交换器(例如，风扇)来辅助进一步冷却的主动冷却配置中。例如，两层级装置上的真空腔室上的开放区域可起到将蒸汽冷却回饱和液体或亚冷却蒸汽的作用，而热交换器(例如，430)可被安装在用于主动冷却的蒸汽腔室的背面作为冷凝器。例如，在所示出的示例中，热交换器430被定位在靠近层级420的蒸汽腔室之处。具体地，热交换器430被定位在靠近壁422的外表面的外部部分之处。在一些实施例中，热交换器可被定位在壁422的外表面的如下区域中：该区域在壁422的耦合了芯片封装的区域之外(该区域可例如竖直地位于顶层级410的区域下方)。在其他实施例中，热交换器430可被定位在装置400的另一个区域中。
[0054]
图5a-5b图示了在冷却解决方案和顶层之间具有气隙的示例移动设备堆叠的简化视图。该堆叠可包括比图示更多的层级(例如，可包括下面示例中描述的一个或多个层)。参考图5a，示例移动设备堆叠500包括顶层502、冷却装置504、芯片封装506、以及pcb 508，它
们都可分别类似于图1的顶层102、热解决方案104、芯片封装106、以及pcb 108。在图5a所示出的示例中，冷却装置504是铜板或者单层级蒸汽腔室冷却装置。
[0055]
参考图5b，示例移动设备堆叠510包括顶层512、冷却装置514、芯片封装516、以及pcb 518，它们都可分别类似于图1的顶层102、热解决方案104、芯片封装106、以及pcb 108。在图5b所示出的示例中，冷却装置514是两层级蒸汽腔室装置，它的形成可类似于上文关于图2、图3a-3b和图4a-4b描述的示例装置，或者按如本文所述的其他方式。
[0056]
在图5a-5b所示出的示例中，芯片封装和顶层之间的空间可以是相同的。然而，冷却装置的总厚度可以是不同的。例如，在一个示例中，气隙503可具有大约0.8mm的厚度，并且冷却装置504可具有大约0.5mm的厚度，而气隙513可具有大约0.5mm的厚度，并且冷却装置514可具有大约0.8mm的厚度(图5b的a b)。两层级冷却装置的每一层级的厚度(即，图5b中的厚度a和b)可以是相同或不同的。例如，在上述的示例中，两层级冷却装置的每一层级可以是大约0.4mm。在一些情况下，两层级冷却装置可被形成为使得低层级具有0.4mm的总厚度(即，图5b中的厚度a)，而顶层级具有0.2mm的顶部金属壁厚度和0.2mm的空腔厚度。从而，在一些实施例中，总的堆叠高度可保持与传统冷却技术相同，因为两层级冷却装置的增大的厚度可通过减小的气隙厚度来得到补偿(同时仍然满足热要求)。
[0057]
模拟和测试
[0058]
在下面的模型中，真空被模拟成具有辐射的低传导率物体。传导率值取决于在液体充注阶段之前腔室中维持的抽空压力。在本文使用的建模中，基于0.05-0.1托的空气压力的抽空范围，从0.005w/mk至0.001w/mk取得传导率值，而发射率被取为0.9，以捕捉真空中的辐射。图6是图示出空气的导热率与压力之间的示例关系的图表600。在一些实施例中，可在图6中所示的示例抽空压力范围602中选择顶层级空腔的抽空压力。
[0059]
在下面描述的模型中使用了以下示例设备堆叠。在表格1-2中按其竖直顺序列出了示例堆叠层，由此，列出的第一项是堆叠的顶层，列出的最后一项是堆叠的底层。如表格1-2所示，在每种情况下，总堆叠厚度是相同的，但顶部气隙和冷却装置的厚度不同。
[0060]
[0061][0062]
表格1：第一示例设备堆叠
[0063][0064]
表格2：第二示例设备堆叠
[0065]
表格3所示的模拟结果是基于5秒时的pl1＝7w(tdp)和pl2＝10w(1ct)。热模拟是针对三种不同的热解决方案执行的，即(a)0.5mm铜板，带有0.8mm气隙，(b)0.5mm单层级蒸汽腔室(vc)装置，带有0.8mm气隙，(c)0.8mm两层级vc(2t-vc)，带有0.5mm气隙，以及(d)0.8mm 2t-vc，带有0.5mm气隙，但其中顶层级真空腔室的面积比(c)减小15％。
[0066][0067]
表格3：示例模拟结果
[0068]
如表格3中所示，铜板的pl1能力略低于相同尺寸和厚度的单层级vc，因为该系统受到皮肤温度的限制。然而，在单层级vc情况下，tj减小了～18c，并且在其表面扩散了热点，这使得vc的顶盖温度减小了～0.4c。在第一个2t-vc(c)的情况下，由于真空层在从2t-vc到皮肤的传热路径中产生的阻力，皮肤温度降低了～3c，与铜板和单层级vc相比，这有助于将pl1极限提高～15％。转到第二个2t-vc(d)，可通过优化系统来缓解tj的增大，例如，在pcb下面提供更厚的石墨和/或只在核心区域上方使用真空腔室(例如，将真空尺寸减小15％)。
[0069]
图7a-7b分别图示了单层级和两层级冷却装置的示例热点。如图7a-7b所示，主要的热点位置被移位到图表的右下方(如虚线椭圆所示)，这里的热量是从led面板而不是芯片封装发出的，因为与芯片封装有关的热点(在图表的相对中间位置)被减小了。在所示出的示例中，pl1能力增大了大约20-25％。
[0070]
图8是示出铜热板装置(图表中的“cu”)、单层级蒸汽腔室装置(图表中的“vc”)和两层级蒸汽腔室冷却装置(图表中的“2t-vc”)的示例性能差异的图表800。如图所示，单层级vc和2t-vc配置的5秒的pl2能力几乎相同，与铜板配置相比，增大了～23％(例如，由于蒸汽腔室内部的相变容量更好)。
[0071]
图9是示出基于真空和基于气凝胶的两层级蒸汽腔室装置的示例性能差异的图表900。表格4也图示了这种性能差异，基于k＝0.017w/mk和e＝0.9的气凝胶属性(gore数据)。
[0072]
热解决方案t
皮肤
(c)pl1能力铜热板43.57.6单层级vc43.17.7基于气凝胶的2t-vc41.98.6基于真空的2t-vc40.39.2
[0073]
表格4：基于真空和基于气凝胶的2t-vc的性能差异
[0074]
在一些实施例中，气凝胶传导率可能位于0.016-0.018w/mk的范围内，因此，与基于真空的2t-vc相比，基于气凝胶的2t-vc的热阻可能较小，但仍高于空气。如图所示，基于气凝胶的2t-vc的顶部玻璃温度为41.9c，而基于真空的2t-vc为40.5c。基于气凝胶的2t-vc的pl1性能与铜板相比增大了13％，与单层级vc相比增大了11％。
[0075]
在一些实施例中，每个层级的壁可由不同的金属组成。在一些实施例中，装置的顶壁(例如，图2的212)可以是与底层级壁(例如，图2的213、222)相同的金属。然而，在其他实施例中，装置的顶壁(例如，图2的212)可以是与底层级壁(例如，图2的213、222)不同的金属。金属的选择可取决于实现细节，包括成本约束或厚度约束。下面的表格5中示出了示例结点温度(tj)、皮肤温度(t
皮肤
)、装置厚度、和相对成本。如图所示，在某些壁中使用钛可提供较低的整体装置厚度和较低的tj，但成本较高并且t
皮肤
较高。在其他实施例中可使用另一种类型的金属，例如铝或合金。
[0076][0077]
表格5：铜和钛壁金属选择的示例测量结果
[0078]
图10是示出根据本公开的实施例的制造两层级蒸汽腔室冷却装置的示例过程1000的流程图，并且图11a-11g图示了制造过程1000期间的示例步骤。该示例过程可包括额外的或不同的操作，并且可按示出的顺序或者另外的顺序来执行这些操作。在一些情况下，图10中所示的操作中的一个或多个被实现为包括多个操作、子过程或其他类型的例程的过程。在一些情况下，操作可被组合，被按另外的顺序执行，被并行执行，被迭代，或者被以其他方式重复，或者被以另一种方式执行。
[0079]
在1002，挤压金属以形成装置，该装置包括由第一壁和第二壁(至少部分)界定的第一空腔，以及由第二壁和第三壁(至少部分)界定的第二空腔。例如，参考图11a-11b，挤压的装置1100包括第一空腔1102和第二空腔1104。第一空腔1102由壁1106和壁1108界定，而第二空腔由壁1108和壁1110界定。虽然在图11b中示出了特定的截面轮廓，但也可挤压出其他的截面轮廓(例如，图2、图3b和图4b中所示的那些)。
[0080]
在1004，挤压的装置被切割成期望的形状。例如，参考图11c所示的示例(装置1100的顶视图)，装置1100被切割成所示出的形状。在一些实施例中，可使用激光切割工艺执行切割。
[0081]
在1006，装置的空腔被部分密封，例如，经由摩擦焊接。例如，参考图11d所示出的示例，装置1100沿着虚线1112被焊接以部分密封装置的空腔。
[0082]
在1008，支撑结构装置被插入到装置的第一空腔中。支撑结构装置可由塑料、石墨、金属、复合材料(例如，碳纤维)或者其他类型的材料形成。作为示例，支撑结构装置的形成可类似于图11e所示出的示例支撑结构装置1120，它可被插入到图11d所示的切割和焊接的装置1100的顶部空腔中。
[0083]
在1010，芯子材料被插入到装置的第二空腔中。芯子材料可包括烧结金属、铜纤维或者其他类型的芯子材料。在一些情况下，芯子材料可被形成在预制的芯子结构上，该结构将被插入到切割和焊接的挤压装置中。例如，芯子材料可被形成在与图11f所示出的示例装置1130类似的预制结构上，该结构可被插入到图11d所示的切割和焊接装置1100的底部空腔中。在一些情况下，一旦插入了装置1130，就可能需要额外的准备步骤(例如，加热)来准备芯子材料。
[0084]
在1012，装置的顶部和底部空腔被准备和密封。在一些情况下，顶部空腔的准备可包括气凝胶插入或空气抽空(以形成真空)，而底部空腔的准备可能包括插入将在蒸汽腔室中使用的液体。一旦准备好空腔，它们就可被完全密封，例如，经由进一步的摩擦焊接。例如，参考图11g所示出的示例，装置1100可沿着虚线1114被焊接，以完全密封装置的空腔。在密封过程之后，该装置可在使用(例如，安装在设备堆叠中以冷却芯片封装)之前被测试、检查和/或质检。
[0085]
图12图示了嵌入式两层级蒸汽腔室装置1200的示例实施例。具体地，图12图示了装置1200的截面图。与图4a的装置400一样，示例装置1200包括两个层级1210、1220。然而，层级1210的密封空腔1211被设置在层级1220的空腔1221内，而空腔411在示例装置400的空腔421之外。
[0086]
密封空腔1211由壁1212、1213界定。在一些实施例中，壁1212、1213可以是金属(例如，铜、钛、铝、合金或者其他导热金属)。密封空腔包括支撑结构1214，该支撑结构与壁1212、1213接触并正交，并且可为空腔1211提供结构支撑。支撑结构1214可由金属、塑料、石墨、复合材料(例如，碳纤维)或者任何其他适当的材料制成，为空腔1211提供结构支撑。另外，支撑结构1214的形状或位置可采取与图12中所示不同的另一种方式。
[0087]
空腔1211可被抽空，以使其内部压力小于环境压力(在空腔1221内或者在装置1200外)。例如，在一些实施例中，空腔1211被抽空到真空或接近真空的压力，例如压力小于0.1托(例如，0.05-0.1托)。在其他实施例中，空腔1211被填充有导热率小于空气的热绝缘材料，例如气凝胶。空腔1211中的真空或热绝缘材料可提供与设备堆叠中的其他层(例如，图1的顶层102)的热绝缘，这可降低皮肤温度，并且提供如上文或本文别处所述的一个或多个优点。
[0088]
装置1200的第二层级1220包括密封的空腔1221，该空腔由壁1213、1222界定。在所示出的示例中，壁1222是平坦的，以便它可被定位得靠近(或者经由tim耦合到)芯片封装来冷却该芯片封装。如图12所示，壁1212、1213在某些区域中可以是平坦的，或者可具有其他
形状。在某些实施例中，空腔1221中的组件可作为蒸汽腔室，由此，空腔1221中的液体被芯片封装通过壁1222加热并且蒸发成蒸汽，然后随着热量被从蒸汽中耗散到壁1213中而冷凝。
[0089]
在所示出的示例中，空腔1221的内表面(即，壁1213、1222的内表面)包括芯子材料1224。芯子材料1224可包括烧结金属(例如，铜)或其他类型的材料。示例芯子材料1224包括两个区域1224a、1224b。区域1224a可被认为是蒸发/蒸发器芯子(例如，可以是发生液体蒸发的芯子区域)，而区域1224b可被认为是冷凝/冷凝器芯子(例如，可以是发生液体冷凝(以及如图12中箭头所示的流动)的芯子区域)。在一些实施例中，区域1224a、1224b都可以是烧结金属，但可具有不同的结构或孔隙率。例如，在一些实施例中，区域1224a可包括粗分级网(例如，孔隙率为～50-60％)，而区域1224b可包括细分级网(例如，孔隙率为～40-45％)。
[0090]
在所示出的示例中，空腔1221还包括支撑结构1228，它可为空腔1221提供结构支撑。支撑结构1228的形成可类似于空腔1211中的结构1214，或者可按不同的方式来形成。
[0091]
在所示出的示例中，空腔1211、1221的截面区域是矩形的。然而，空腔1211、1221的截面区域的形状可采取其他形式。另外，在所示出的示例中，空腔1211的截面区域小于空腔1221的截面区域。
[0092]
图13a-13b分别图示了单层级和嵌入式两层级冷却装置的示例热点。如图13a-13b所示，主要热点位置被移位(如虚线椭圆所示)，因为与芯片封装有关的热点(在图表的相对中间位置)被减小了。在所示出的示例中，pl1能力增大了大约15-20％。
[0093]
可利用图12所示的嵌入式结构来获得上述两层级装置的一个或多个优点，同时维持与单层级冷却装置类似或相同的堆叠高度。在下面的表格6中示出了这两种场景的示例模拟结果。
[0094][0095]
表格6：示例模拟结果
[0096]
图14是示出单层级蒸汽腔室装置(图表中的“1-vc”)和嵌入式两层级蒸汽腔室冷却装置(图表中的“2t-vc”)的示例性能差异的图表1400。如图所示，对于单层级vc和嵌入式2t-vc配置，5秒的pl2能力几乎相同。
[0097]
可使用与上文关于图10-图11所述类似的过程来制造嵌入式两层级vc装置。
[0098]
图15-图16是根据本文公开的实施例可使用的示例计算机架构的框图。例如，在一些实施例中，如上所述的两层级蒸汽腔室装置可被用于冷却包含图15-图16所示的一个或多个方面(例如，图15的处理器核心1500或者图16的处理器1670、1680中的一者或两者)的芯片封装，例如soc。在一些实施例中，计算机架构可被实现在移动设备系统内，例如移动电话或者台式计算机系统。也可使用本领域中已知的用于处理器和计算系统的其他计算机架构设计。一般而言，用于本文公开的实施例的适当的计算机架构可包括但不限于图15-图16中图示的配置。
[0099]
图15是根据一个实施例的处理器的示例图示。处理器1500是可以与上面的实现方式联系使用的硬件设备的类型的示例。处理器1500可以是任何类型的处理器，例如微处理器、嵌入式处理器、数字信号处理器(dsp)、网络处理器、多核处理器、单核处理器、或者其他执行代码的设备。虽然在图15中只图示了一个处理器1500，但处理元件可改为包括多于一个图15中所示的处理器1500。处理器1500可以是单线程核心，或者对于至少一个实施例，处理器1500可以是多线程的，因为其对于每个核心可包括多于一个硬件线程情境(或者说“逻辑处理器”)。
[0100]
图15还图示了根据一个实施例与处理器1500耦合的存储器1502。存储器1502可以是本领域技术人员已知的或者以其他方式可获得的各种存储器(包括存储器层次体系的各种层)中的任何一者。这种存储器元件可包括但不限于随机访问存储器(ram)、只读存储器(rom)、现场可编程门阵列(fpga)的逻辑块、可擦除可编程只读存储器(eprom)、以及电可擦除可编程rom(eeprom)。
[0101]
处理器1500可执行与本文详述的算法、过程或操作相关联的任何类型的指令。一般而言，处理器1500可将元素或物品(例如，数据)从一个状态或事物变换到另一状态或事物。
[0102]
代码1504可以是要由处理器1500执行的一个或多个指令，可被存储在存储器1502中，或者可被存储在软件、硬件、固件或者其任何适当组合中，或者在适当时基于特定需要被存储在任何其他内部或外部组件、设备、元素或物体中。在一个示例中，处理器1500可遵循由代码1504指示的指令的程序序列。每个指令进入前端逻辑1506并且被一个或多个解码器1508处理。解码器可生成诸如预定格式的固定宽度微操作之类的微操作作为其输出，或者可生成其他指令、微指令或者反映原始代码指令的控制信号。前端逻辑1506还包括寄存器重命名逻辑1510和调度逻辑1512，它们一般分配资源并且对与指令相对应的操作进行排队以便执行。
[0103]
处理器1500还可包括具有一组执行单元1516a、1516b、1516n等等的执行逻辑1514。一些实施例可包括专用于特定功能或功能集合的若干个执行单元。其他实施例可只包括一个执行单元或者可执行特定功能的一个执行单元。执行逻辑1514执行由代码指令所指定的操作。
[0104]
在代码指令所指定的操作的执行完成之后，后端逻辑1518可以让代码1504的指令引退。在一个实施例中，处理器1500允许指令的无序执行，但要求指令的有序引退。引退逻辑1520可采取各种已知的形式(例如，重排序缓冲器之类的)。这样，处理器1500在代码1504的执行期间被变换，至少就由解码器生成的输出、被寄存器重命名逻辑1510利用的硬件寄存器和表格以及被执行逻辑1514修改的任何寄存器(未示出)而言。
[0105]
虽然在图15中没有示出，但处理元件可包括与处理器1500一起在芯片上的其他元件。例如，处理元件可包括与处理器1500一起的存储器控制逻辑。处理元件可包括i/o控制逻辑和/或可包括与存储器控制逻辑相集成的i/o控制逻辑。处理元件也可包括一个或多个缓存。在一些实施例中，非易失性存储器(例如，闪存或熔丝)也可与处理器1500一起被包括在芯片上。
[0106]
图16图示了一种计算系统1600，其根据一个实施例被设置成点对点(ptp)配置。具体地，图16示出了一种系统，其中处理器、存储器和输入/输出设备通过若干个点对点接口来相互连接。一般而言，可以按与计算系统1500相同或类似的方式来配置本文描述的计算系统中的一个或多个。
[0107]
处理器1670和1680也可各自包括集成存储器控制器逻辑(memory controller，mc)1672和1682，以与存储器元件1632和1634通信。在替换实施例中，存储器控制器逻辑1672和1682可以是与处理器1670和1680分开的分立逻辑。存储器元件1632和/或1634可存储各种数据，以被处理器1670和1680用于实现本文概述的操作和功能。
[0108]
处理器1670和1680可以是任何类型的处理器，例如联系其他附图论述的那些。处理器1670和1680可经由点对点(ptp)接口1650分别使用点对点接口电路1678和1688交换数据。处理器1670和1680可各自经由个体的点对点接口1652和1654使用点对点接口电路1676、1686、1694和1698与芯片组1690交换数据。芯片组1690也可经由接口1639与协处理器1638交换数据，例如高性能图形电路、机器学习加速器或者其他协处理器1638，其中该接口1639可以是ptp接口电路。在替换实施例中，图16中图示的任何或所有ptp链路可被实现为多点分支总线而不是ptp链路。
[0109]
芯片组1690可经由接口电路1696与总线1620进行通信。总线1620可具有一个或多个通过它进行通信的设备，例如总线桥1618和i/o设备1116。经由总线1610，总线桥1618可与其他设备进行通信，所述其他设备例如是用户界面1612(例如键盘、鼠标、触摸屏或者其他输入设备)、通信设备1626(例如调制解调器、网络接口设备或者其他类型的可通过计算机网络1660通信的通信设备)、音频i/o设备1616、和/或数据存储单元1628。数据存储设备1628可存储代码1630，该代码可被处理器1670和/或1680执行。在替换实施例中，可以用一个或多个ptp链路来实现总线架构的任何部分。
[0110]
图16中描绘的计算机系统是可被利用来实现本文论述的各种实施例的计算系统的实施例的示意性图示。将会明白，图16中描绘的系统的各种组件可在片上系统(soc)架构中或者在能够实现本文提供的示例和实现方式的功能和特征的任何其他适当的配置中被组合。
[0111]
虽然本文描述和图示的一些系统和解决方案已被描述为包含多个元素或与多个元素相关联，但可能并非在本公开的每个替换实现方式中都要利用所有明确图示或描述的元素。此外，本文描述的一个或多个元素可位于系统外部，而在其他情况下，某些元素可被包括在一个或多个其他描述的元素以及在图示的实现方式中未描述的其他元素之内或作为其一部分。此外，某些元素可被与其他组件相组合，以及用于除本文描述的目的之外的替换或额外目的。
[0112]
另外，应当明白，上面提出的示例是非限制性的示例，只是为了说明某些原理和特征而提供的，而不一定限制或约束本文描述的概念的潜在实施例。例如，可利用本文描述的
特征和组件的各种组合来实现各种不同的实施例，包括通过本文描述的组件的各种实现方式来实现的组合。从本说明书的内容中应当明白其他实现方式、特征和细节。
[0113]
虽然是就某些实现方式和一般关联的方法来描述本公开的，但这些实现方式和方法的更改和置换对于本领域技术人员而言是显而易见的。例如，本文描述的动作可按与所描述的不同的顺序被执行，而仍实现期望的结果。作为一个示例，附图中描绘的过程要实现期望的结果并非必然要求所示出的特定顺序或者先后顺序。在某些实现方式中，多任务和并行处理可能是有利的。此外，还可支持其他用户界面布局和功能。其他变化在所附权利要求的范围内。
[0114]
一般而言，本说明书中描述的主题的一个方面可被体现在方法和执行的指令中，这些方法和执行的指令包括或导致以下动作：识别包括软件代码的样本，为样本中包括的多个函数中的每一个生成控制流图，以及在每个函数中识别与一组控制流片段类型的实例相对应的特征。所识别的特征可被用于从所识别的特征为样本生成特征集合。
[0115]
这些和其他实施例可各自可选地包括以下特征中的一个或多个。为每个函数识别的特征可被组合以为样本生成合并的字符串，并且可从合并的字符串生成特征集合。可为每个函数生成字符串，每个字符串描述为该函数识别的各自特征。组合特征可包括识别多个函数中的一个特定函数对多个函数中的另一函数的调用，并且用该另一函数的字符串的内容替换该特定函数的引用该另一函数的字符串的部分。识别特征可包括抽象化函数的每个字符串，以便在字符串中只描述控制流片段类型的集合的特征。控制流片段类型的集合可包括函数进行的存储器访问和函数进行的函数调用。识别特征可包括识别每个函数进行的存储器访问的实例和识别每个函数进行的函数调用的实例。特征集合可识别为每个函数识别的每个特征。特征集合可以是n图。
[0116]
另外，这些和其他实施例可各自选择性地包括以下一个或多个特征。特征集合可被提供用于对样本进行分类。例如，对样本进行分类可包括基于样本的相应特征来将样本与其他样本进行聚类。对样本进行分类可进一步包括确定与样本的聚类相关的一组特征。对样本进行分类还可包括确定是否将样本分类为恶意软件和/或确定样本是否可能是一个或多个恶意软件家族之一。识别特征可包括抽象化每个控制流图，以便在控制流图中只描述控制流片段类型的集合的特征。可接收包括该样本在内的多个样本。在一些情况下，可从多个来源接收多个样本。特征集合可识别样本的函数的控制流图中识别的特征的子集。该特征子集可对应于样本代码中的存储器访问和函数调用。
[0117]
虽然本说明书包含许多具体实现细节，但这些细节不应被解释为对任何发明的范围或可请求保护的范围的限制，而是对特定发明的特定实施例的具体特征的描述。本说明书中在分开的实施例的上下文中描述的某些特征也可在单个实施例中被组合实现。相反，在单个实施例的上下文中描述的各种特征也可被分开地或者按任何适当的子组合在多个实施例中实现。另外，虽然以上可将特征描述为按某些组合来动作，或者甚至最初权利要求是这样记载的，但来自要求保护的组合的一个或多个特征在一些情况下可被从该组合中删去，并且要求保护的组合可指向子组合或子组合的变体。
[0118]
类似地，虽然在附图中是按特定顺序描绘操作的，但这不应当被理解为为了实现期望的结果要求按所示出的特定顺序或按先后顺序执行这种操作，或者要求执行所有示出的操作。在某些情况中，多任务和并行处理可能是有利的。另外，在以上描述的实施例中各
种系统组件的分离不应当被理解为在所有实施例中都要求这种分离，并且应当理解所描述的程序组件和系统一般可被一起集成在单个软件产品中或被封装到多个软件产品中。
[0119]
以下示例属于根据本说明书的实施例。将会理解，在某些实施例中，可将某些示例与某些其他示例相组合。
[0120]
示例1包括一种两层级蒸汽腔室装置，包括：至少部分由第一金属壁和第二金属壁界定的密封第一空腔，其中所述密封第一空腔的内部压力低于所述密封第一空腔外部的环境压力；以及至少部分由平坦的第三金属壁和所述第二金属壁界定的密封第二空腔，其中所述第二空腔包括设置在其中的液体和与所述第三壁的内表面耦合的芯子材料。
[0121]
示例2包括如示例1和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，其中所述密封第一空腔被设置在所述密封第二空腔内。
[0122]
示例3包括如示例1或2和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，其中所述第一空腔的内部压力低于0.1托。
[0123]
示例4包括如示例1-3中的任一项和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，还包括所述第一空腔内的具有小于空气的导热率的材料。
[0124]
示例5包括如示例4和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，其中所述材料是气凝胶。
[0125]
示例6包括如示例1-5中的任一项和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，还包括所述第一空腔中的一个或多个支撑结构，所述支撑结构与所述第一金属壁和所述第二金属壁接触。
[0126]
示例7包括如示例6和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，其中所述支撑结构与所述第一金属壁和所述第二金属壁是至少部分正交的。
[0127]
示例8包括如示例6和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，其中所述支撑结构由以下各项中的一个或多个组成：塑料、石墨、金属、以及复合材料。
[0128]
示例9包括如示例1-8中的任一项和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，还包括与所述第二金属壁的内表面耦合的额外芯子材料。
[0129]
示例10包括如示例1-9中的任一项和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，其中所述芯子材料包括烧结金属。
[0130]
示例11包括如示例10和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，其中所述芯子材料包括第一部分和第二部分，所述第一部分的烧结金属具有比所述第二部分的烧结金属更高的孔隙率。
[0131]
示例12包括如示例11和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，其中所述第一部分的烧结金属具有大约40％到70％之间的孔隙率，并且所述第二部分的烧结金属具有大约30％到50％之间的孔隙率。
[0132]
示例13包括一种装置，包括：用于计算机的冷却系统，其中所述冷却系统包括两层级蒸汽腔室，并且所述两层级蒸汽腔室包括：至少部分由第一金属壁和第二金属壁界定的密封第一空腔，其中所述密封第一空腔的内部压力低于所述密封第一空腔外部的环境压力；以及至少部分由平坦的第三金属壁和所述第二金属壁界定的密封第二空腔，其中所述第二空腔包括设置在其中的液体和与所述第三壁的内表面耦合的芯子材料。
[0133]
示例14包括如示例13和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，其中
所述密封第一空腔被设置在所述密封第二空腔内。
[0134]
示例15包括如示例13或14和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，其中所述第一空腔的截面区域是基本上矩形的和基本上梯形中的一种。
[0135]
示例16包括如示例13或14和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，其中所述第二空腔的截面区域是基本上矩形的。
[0136]
示例17包括如示例13、15或16和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，其中所述第一空腔的截面区域小于所述第二空腔的截面区域。
[0137]
示例18包括如示例13-17中的任一项和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，其中所述第一金属壁包括以下之一：铜、钛、以及铝。
[0138]
示例19包括如示例13-17中的任一项和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，其中所述第三壁包括以下之一：铜、钛、以及铝。
[0139]
示例20包括一种系统，包括：包括处理器的芯片封装；以及蒸汽腔室装置，包括：至少部分由第一金属壁和第二金属壁界定的第一空腔，其中所述第一空腔的内部压力低于所述第一空腔外部的环境压力；以及至少部分由平坦的第三金属壁和所述第二金属壁界定的第二空腔，其中所述第二空腔包括设置在其中的液体和与所述第三壁的内表面耦合的芯子材料，并且所述芯片封装被定位成使得其耦合到所述蒸汽腔室的平坦的第三金属壁。
[0140]
示例21包括如示例20和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，其中所述第一空腔被设置在所述第二空腔内。
[0141]
示例22包括如示例20或21和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，还包括与所述蒸汽腔室装置耦合的热交换器。
[0142]
示例23包括如示例20-22中的任一项和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，其中所述芯片封装包括中央处理单元和图形处理单元之一。
[0143]
示例24包括如示例20-23中的任一项和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，还包括：容纳所述芯片封装的印刷电路板，其中所述蒸汽腔室装置在所述芯片封装的与所述印刷电路板相反的表面上耦合到所述芯片封装；以及包括玻璃的顶盖，其中所述顶盖和蒸汽腔室装置被定位成使得在所述顶盖的内表面和所述蒸汽腔室装置的与所述芯片封装相反的表面之间有气隙。
[0144]
示例25包括如示例20-24中的任一项和/或(一个或多个)其他示例所述的主题，并且可选地，其中所述系统是移动电话或平板计算机设备之一。
[0145]
这样，已描述了主题的特定实施例。其他实施例在所附权利要求的范围内。在一些情况下，权利要求中记载的动作可按不同的顺序被执行，而仍实现期望的结果。此外，附图中描绘的过程要实现期望的结果并非必然要求所示出的特定顺序或者先后顺序。