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带有两层级蒸汽腔室的冷却装置的制作方法

2022-03-31 07:42:11 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种两层级蒸汽腔室装置,包括:密封第一空腔,至少部分由第一金属壁和第二金属壁界定,其中,所述密封第一空腔的内部压力低于所述密封第一空腔外部的环境压力;以及密封第二空腔,至少部分由平坦的第三金属壁和所述第二金属壁界定的,其中,所述密封第二空腔包括设置在其中的液体和与所述第三金属壁的内表面耦合的芯子材料。2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述密封第一空腔设置在所述密封第二空腔内。3.根据权利要求1或2所述的装置,其中,所述第一空腔的内部压力低于0.1托。4.根据权利要求1-3中任一项所述的装置,还包括所述第一空腔内的具有小于空气的导热率的材料。5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述材料是气凝胶。6.根据权利要求1-5中任一项所述的装置,还包括所述第一空腔中的一个或多个支撑结构,所述支撑结构与所述第一金属壁和所述第二金属壁接触。7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述支撑结构与所述第一金属壁和所述第二金属壁是至少部分正交的。8.根据权利要求6所述的装置,其中,所述支撑结构由以下各项中的一个或多个组成:塑料、石墨、金属、以及复合材料。9.根据权利要求1-8中任一项所述的装置,还包括与所述第二金属壁的内表面耦合的额外芯子材料。10.根据权利要求1-9中任一项所述的装置,其中,所述芯子材料包括烧结金属。11.根据权利要求10所述的装置,其中,所述芯子材料包括第一部分和第二部分,所述第一部分的烧结金属具有比所述第二部分的烧结金属更高的孔隙率。12.根据权利要求11所述的装置,其中,所述第一部分的烧结金属具有大约40%到70%之间的孔隙率,并且所述第二部分的烧结金属具有大约30%到50%之间的孔隙率。13.一种装置,包括:用于计算机的冷却系统,其中,所述冷却系统包括两层级蒸汽腔室,并且所述两层级蒸汽腔室包括:密封第一空腔,至少部分由第一金属壁和第二金属壁界定,其中,所述密封第一空腔的内部压力低于所述密封第一空腔外部的环境压力;以及密封第二空腔,至少部分由平坦的第三金属壁和所述第二金属壁界定,其中,所述密封第二空腔包括设置在其中的液体和与所述第三金属壁的内表面耦合的芯子材料。14.根据权利要求13所述的装置,其中,所述密封第一空腔设置在所述密封第二空腔内。15.根据权利要求13或14所述的装置,其中,所述第一空腔的截面区域是基本上矩形的和基本上梯形的中的一种。16.根据权利要求13或14所述的装置,其中,所述第二空腔的截面区域是基本上矩形的。17.根据权利要求13、15或16所述的装置,其中,所述第一空腔的截面区域小于所述第二空腔的截面区域。18.根据权利要求13-17中任一项所述的装置,其中,所述第一金属壁包括以下项之一:
铜、钛、以及铝。19.根据权利要求13-17中任一项所述的装置,其中,所述第三金属壁包括以下项之一:铜、钛、以及铝。20.一种系统,包括:包括处理器的芯片封装;以及蒸汽腔室装置,包括:第一空腔,至少部分由第一金属壁和第二金属壁界定,其中,所述第一空腔的内部压力低于所述第一空腔外部的环境压力;以及第二空腔,至少部分由平坦的第三金属壁和所述第二金属壁界定,其中,所述第二空腔包括设置在其中的液体和与所述第三金属壁的内表面耦合的芯子材料,并且所述芯片封装被定位成使得其耦合到所述蒸汽腔室的平坦的第三金属壁。21.根据权利要求20所述的系统,其中,所述第一空腔被设置在所述第二空腔内。22.根据权利要求20或21所述的系统,还包括与所述蒸汽腔室装置耦合的热交换器。23.根据权利要求20-22中任一项所述的系统,其中,所述芯片封装包括中央处理单元和图形处理单元之一。24.根据权利要求20-23中任一项所述的系统,还包括:容纳所述芯片封装的印刷电路板,其中,所述蒸汽腔室装置在所述芯片封装的与所述印刷电路板相反的表面上耦合到所述芯片封装;以及包括玻璃的顶盖,其中,所述顶盖和蒸汽腔室装置被定位成使得在所述顶盖的内表面和所述蒸汽腔室装置的与所述芯片封装相反的表面之间有气隙。25.根据权利要求20-24中任一项所述的系统,其中,所述系统是移动电话或平板计算机设备之一。

技术总结
本申请公开了带有两层级蒸汽腔室的冷却装置。在一个实施例中,一种系统包括芯片封装和与该芯片封装耦合的冷却装置。芯片封装包括一个或多个处理器,并且冷却装置包括至少部分由第一金属壁和第二金属壁界定的第一空腔和至少部分由平坦的第三金属壁和第二金属壁限定的第二空腔。第一空腔的内部压力低于密封的第一空腔外部的环境压力。第二空腔包括设置在其内的液体和与第三壁的内表面耦合的芯子材料,并且芯片封装被定位成使得其耦合到冷却装置的平坦的第三金属壁。置的平坦的第三金属壁。置的平坦的第三金属壁。


技术研发人员:贾维德
受保护的技术使用者:英特尔公司
技术研发日:2021.08.25
技术公布日:2022/3/29
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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