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液晶显示面板及其制备方法、显示设备与流程

2022-03-26 16:49:12 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种液晶显示面板的制备方法,其特征在于,包括:在阵列基板的一侧制备第一初始取向层;利用第一摩擦件和第二摩擦件,依次对所述第一初始取向层进行摩擦,形成第一取向层;所述第一摩擦件和所述第二摩擦件中的至少一种包括棉质材料;在所述第一取向层远离所述阵列基板的一侧滴注负性液晶,形成负性液晶层;在彩膜基板的一侧制备第二初始取向层,利用第三摩擦件和第四摩擦件进行摩擦,形成第二取向层;所述第三摩擦件和所述第四摩擦件中的至少一种包括棉质材料;将所述阵列基板承载有所述负性液晶层的一侧与所述彩膜基板设置有所述第二取向层的一侧对盒,形成液晶显示面板。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一摩擦件包括棉布,第二摩擦件包括尼龙布;或者,所述第一摩擦件包括尼龙布,所述第二摩擦件包括棉布;或者,所述第一摩擦件和所述第二摩擦件均包括棉布。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述第三摩擦件包括棉布,第四摩擦件包括尼龙布;或者,所述第三摩擦件包括尼龙布,所述第四摩擦件包括棉布;或者,所述第三摩擦件和所述第四摩擦件均包括棉布。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在阵列基板的一侧制备第一初始取向层之前,还包括:制备阵列基板;所述制备阵列基板包括:制备存储电容结构,所述存储电容结构的电容值不小于设计电容值。5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述制备存储电容结构包括:在薄膜晶体管膜层远离基板的一侧制备第一电极,并使得所述的第一电极与所述薄膜晶体管膜层的源漏极结构电连接;在所述第一电极和所述薄膜晶体管膜层的一侧制备第一介质层,所述第一介质层的厚度为2500埃-3500埃;在所述第一介质层远离所述第一电极的一侧制备第二电极。6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,在所述制备存储电容结构之前,还包括:制备薄膜晶体管膜层;所述制备薄膜晶体管膜层包括:在所述基板的一侧制备第一导电层,所述第一导电层包括公共电极和栅极结构。7.一种液晶显示面板,由权利要求1-6中任一制备方法得到,其特征在于,包括:阵列基板和彩膜基板;第一取向层,设置在所述阵列基板靠近所述彩膜基板的一侧,所述第一取向层是利用第一摩擦件和第二摩擦件依次对第一初始取向层进行摩擦形成的;所述第一摩擦件和所述第二摩擦件中的至少一种包括棉质材料;第二取向层,设置在所述彩膜基板靠近所述阵列基板的一侧;所述第二取向层是利用第三摩擦件和第四摩擦件依次对第二初始取向层进行摩擦形成的;所述第三摩擦件和所述第四摩擦件中的至少一种包括棉质材料;
负性液晶层,设置于所述第一取向层和所述第二取向层之间。8.根据权利要求7所述的液晶显示面板,其特征在于,所述阵列基板包括存储电容结构,所述存储电容结构的电容值不小于设计电容值。9.根据权利要求8所述的液晶显示面板,其特征在于,所述存储电容结构包括:第一电极,位于薄膜晶体管膜层远离基板的一侧,并与所述薄膜晶体管膜层的源漏极结构电连接;第一介质层,位于所述第一电极和所述薄膜晶体管膜层的一侧,所述第一介质层的厚度为2500埃-3500埃;第二电极,位于所述第一介质层远离所述第一电极的一侧。10.根据权利要求8所述的液晶显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管膜层包括:第一导电层,位于所述基板的一侧,所述第一导电层包括公共电极和栅极结构。11.一种显示设备,包括权利要求8-10中任一所述的液晶显示面板。

技术总结
本申请提供了一种液晶显示面板及其制备方法、显示设备,该制备方法包括在阵列基板的一侧制备第一初始取向层;利用第一摩擦件和第二摩擦件,依次对第一初始取向层进行摩擦,形成第一取向层,第一摩擦件和第二摩擦件中的至少一种包括棉质材料;在第一取向层远离阵列基板的一侧滴注负性液晶,形成负性液晶层;在彩膜基板的一侧制备第二初始取向层,利用第三摩擦件和第四摩擦件进行摩擦,形成第二取向层,第三摩擦件和第四摩擦件中的至少一种包括棉质材料;将阵列基板承载有液晶的一侧与彩膜基板设置有第二取向层的一侧对盒,形成液晶显示面板。本申请利用棉质材料至少部分地替代尼龙材料,有效地减少摩擦产生的离子碎屑,有利于改善残像问题。改善残像问题。改善残像问题。


技术研发人员:沈仰灿 胡松 杨丹琴 李潭 王为旺 张亚娇 陈立行 郑逸 封叶南
受保护的技术使用者:福州京东方光电科技有限公司
技术研发日:2021.12.22
技术公布日:2022/3/25
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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