一种接触孔的刻蚀方法及DRAM的制造方法与流程

一种接触孔的刻蚀方法及dram的制造方法
技术领域
1.本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种接触孔的刻蚀方法及dram的制造方法。


背景技术：

2.存储器是数字系统中用以存储大量信息的设备或部件，是计算机和数字设备中的重要组成部分。存储器可分为随机存取存储器(ram)和只读存储器(rom)两大类。ram包括dram、pram、mram等，导电部件是制造这些ram的关键部件之一。金属接触塞用于将导电部件与其他导体电连接。
3.在制造半导体时，接触塞广泛地用于连接导体与导体间的连接结构其中，利用接触孔来形成该接触塞。干刻蚀工具可以设置有epd(end point detector，被称为端点检测装置或端点检测)系统。epd是在刻蚀期间，根据感应到的膜层材料的变化，停止刻蚀的装置。大部分的刻蚀工艺都是使用时间刻蚀与epd刻蚀。但是现有的harc(high aspect ratio contact，高深宽比接触孔，又称为高纵横比接触孔)刻蚀配方没有epd刻蚀步骤，只有时间刻蚀步骤，其中，harc刻蚀是刻蚀高深宽比的孔的工艺。金属接触孔刻蚀为harc刻蚀工艺，接触孔只形成在晶圆的外围区域中，所以在刻蚀的时候，放射出的波长信号太小，导致epd刻蚀不起作用。


技术实现要素：

4.鉴于上述的分析，本发明实施例旨在提供一种接触孔的刻蚀方法及dram的制造方法，用以解决现有harc刻蚀配方只有时间刻蚀步骤而没有epd刻蚀步骤，和在刻蚀接触孔时，放射出的波长信号太小而导致epd刻蚀不起作用的问题。
5.一方面，本发明实施例提供了一种接触孔的刻蚀方法，所述接触孔为高深宽比孔，所述刻蚀方法包括：提供半导体衬底，其中，所述半导体衬底中形成有导电部件；在所述半导体衬底上方由下至上顺序形成刻蚀停止层、待刻蚀层、第一掩模层和第二掩模层；对所述第二掩模层进行光刻工艺以形成第二掩模层图案；将所述第二掩模层图案转移到所述第一掩模层中以形成第一掩模层图案；以及以所述第一掩模层图案为掩模，刻蚀所述待刻蚀层和所述刻蚀停止层以形成接触孔并露出所述导电部件，其中，所述待刻蚀层的刻蚀中采用端点检测epd。
6.上述技术方案的有益效果如下：在harc刻蚀期间使用epd刻蚀实施转移步骤和刻蚀步骤，能够克服现有技术中所存在的harc刻蚀配方只有时间刻蚀步骤而没有epd刻蚀步骤的技术偏见。
7.基于上述方法的进一步改进，所述高深宽比为大于10:1-100:1。
8.基于上述方法的进一步改进，在所述第一掩模层和所述刻蚀停止层的刻蚀中也采用epd，其中，所述epd包括：在刻蚀所述第一掩模层、所述待刻蚀层或所述刻蚀停止层期间，通过所述epd实时检测刻蚀材料的特定波长强度；以及根据所述刻蚀材料的特定波长强度
的变化判断当前刻蚀材料的刻蚀点到端点的距离，其中，不同的刻蚀材料具有不同的特定波长强度。
9.基于上述方法的进一步改进，根据所述刻蚀材料的特定波长强度的变化判断当前刻蚀材料的刻蚀点到端点的距离进一步包括：计算当前时刻的特定波长强度与先前时刻的特定波长强度的比率；将所述比率放大10,000倍以上；以及当所述比率的变化时，确定所述当前刻蚀材料的刻蚀点到端点的距离。
10.基于上述方法的进一步改进，接触孔的刻蚀方法进一步包括：在所述刻蚀点到达所述当前刻蚀材料的端点之前，预先停止当前epd刻蚀，以利用剩余刻蚀气体对所述当前刻蚀材料继续进行刻蚀；以及在停止当前epd刻蚀之后，根据刻蚀菜单，调整接下来的epd刻蚀的刻蚀参数。
11.基于上述方法的进一步改进，所述第一掩模层包括：非晶碳acl掩模层；氮氧化硅掩模层，位于所述非晶碳acl掩模层上方；以及底部抗反射涂层，位于所述氮氧化硅掩模层上方，其中，所述抗反射涂层接触所述第二掩模层并位于所述第二掩模层下方。
12.基于上述方法的进一步改进，将所述第二掩模层图案转移到所述第一掩模层中以形成第一掩模层图案进一步包括：以所述第二掩模层图案为掩模，在第一刻蚀参数的条件下刻蚀所述底部抗反射涂层和所述氮氧化硅掩模层以形成氮氧化硅掩模层图案，其中，所述第一刻蚀参数包括：刻蚀压力为30-70mt，刻蚀功率为600-1000w60或100-300w27，cf4的流量为50-150sccm，chf3的流量为20-80sccm，ch2f2的流量为10-30sccm和o2的流量为5-15sccm；以及在所述当前刻蚀材料从氮氧化硅改变为acl之前，预先停止当前epd刻蚀并根据刻蚀菜单，将所述第一刻蚀参数调整为第二刻蚀参数，以所述氮氧化硅掩模层图案为掩模，刻蚀所述acl掩模层以形成acl掩模层图案作为所述第一掩模层图案，其中，第二刻蚀参数包括：刻蚀压力为10-20mt，刻蚀功率为500-1500w60或50-150w27，o2的流量为100-200sccm和羰基硫(cos)的流量为30-70sccm。
13.基于上述方法的进一步改进，将所述刻蚀停止层设置在所述半导体衬底上方，其中，所述刻蚀停止层的材料为氮化硅；以及将所述待刻蚀层设置在所述刻蚀停止层上方，其中，所述待刻蚀层的材料为氧化物。
14.基于上述方法的进一步改进，以所述第一掩模层图案为掩模，刻蚀所述待刻蚀层以形成接触孔图案进一步包括：在所述当前刻蚀材料从所述acl改变为氧化物之前，预先停止当前epd刻蚀并根据刻蚀菜单，将刻蚀参数调整为第一氧化物层刻蚀参数，以所述第一掩模层图案为掩模刻蚀所述氧化物层；以及在确定刻蚀点超出所述氧化物层的厚度的2/3之前，预先停止当前epd刻蚀并根据所述刻蚀菜单，将所述第一氧化物层刻蚀参数改变为第二氧化物层刻蚀参数，其中，所述第一氧化物层刻蚀参数包括：刻蚀压力为10-30mt，刻蚀功率为2000-3000w60、300-700w27或5000-9000w2，c4f8的流量为10-50sccm，c4f6的流量为10-40sccm，ch2f2的流量为10-30sccm，o2的流量为20-60sccm，和ar的流量为100-300sccm，以及所述第二氧化物层刻蚀参数包括：刻蚀压力为10-30mt，刻蚀功率为1000-4000w60、200-800w27或5000-9000w2，c4f8的流量为10-50sccm，c4f6的流量为10-40sccm，o2的流量为10-60sccm，和ar的流量为100-300sccm。
15.基于上述方法的进一步改进，接触孔的刻蚀方法还包括：在所述当前刻蚀材料从所述氧化物改变为所述氮化硅之前，预先停止当前epd刻蚀并根据所述刻蚀菜单，将刻蚀参
数调整为第三刻蚀参数，快速去除刻蚀表面的光刻胶和聚合物；以及在快速去除所述刻蚀表面的光刻胶和聚合物之后，将所述第三刻蚀参数调整为刻蚀停止层刻蚀参数；以及对所述刻蚀停止层进行刻蚀，在通过所述epd确定当前刻蚀材料改变为导电部件材料之前预先停止刻蚀，其中，所述第三刻蚀参数包括：刻蚀压力为10-30mt，刻蚀功率为100-300w60或100-300w27，o2的流量为10-30sccm，ar的流量为50-150sccm和刻蚀时间为5-30秒，以及所述刻蚀停止层刻蚀参数包括：刻蚀压力为10-50mt，刻蚀功率为200-600w60或100-300w2，cf4的流量为50-150sccm，chf3的流量为10-50sccm，o2的流量为2-8sccm和ar的流量为100-300sccm。
16.另一方面，本发明实施例提供了一种dram的制造方法，包括以上所述的接触孔的刻蚀方法的步骤。
17.基于上述方法的进一步改进，dram的制造方法还包括：在所述接触孔中形成导电材料以形成接触塞；以及在所述接触塞上方形成与所述接触塞接触的金属连线。
18.与现有技术相比，本发明至少可实现如下有益效果之一：
19.1、在harc刻蚀期间使用epd刻蚀实施转移步骤和刻蚀步骤，能够克服现有技术中所存在的harc刻蚀配方只有时间刻蚀步骤而没有epd刻蚀步骤的技术偏见。
20.2、在刻蚀高深宽比接触孔时，通过计算当前时刻的特定波长强度与先前时刻的特定波长强度的比率并将比率放大10,000倍以上，使得在epd刻蚀期间，比率变化显著足以确定当前刻蚀材料，进而通过这种改进的epd刻蚀能够及时调整刻蚀参数或者停止刻蚀。
21.3、通过该epd刻蚀配方能够控制非打开刻蚀(not open，即，under etch欠刻蚀)或过刻蚀(over etch)。
22.4、通过在氮氧化硅掩模层上方形成底部抗反射涂层，使得降低光刻时的光反射效应，便于光刻工艺。
23.本发明中，上述各技术方案之间还可以相互组合，以实现更多的优选组合方案。本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分优点可从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过说明书以及附图中所特别指出的内容中来实现和获得。
附图说明
24.附图仅用于示出具体实施例的目的，而并不认为是对本发明的限制，在整个附图中，相同的参考符号表示相同的部件。
25.图1为根据本发明实施例的接触孔的刻蚀方法的中间阶段的截面示意图；
26.图2为根据本发明实施例的接触孔的刻蚀方法的中间阶段的截面示意图；
27.图3为根据本发明实施例的接触孔的刻蚀方法的中间阶段的截面示意图；
28.图4为根据本发明实施例的接触孔的刻蚀方法的中间阶段的截面示意图；
29.图5为根据本发明实施例的接触孔的刻蚀方法的中间阶段的截面示意图；以及
30.图6为根据本发明实施例的接触孔的刻蚀方法的中间阶段的截面示意图。
31.附图标记：
32.102-半导体衬底；104-导电部件；106-刻蚀停止层；108-氧化物层；110-非晶碳掩模层；112-氮氧化硅掩模层；114-底部抗反射涂层；116-第二掩模层；118-底部抗反射涂层
图案；120-氮氧化硅掩模层图案；122-开口；124-开口；126-非晶碳掩模层图案；128-开口；130-第一氧化物层图案；132-第一接触孔；134-第二接触孔；136-第二氧化物层图案；138-第三接触孔；140-刻蚀停止层图案
具体实施方式
33.以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
34.在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
35.在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
36.本发明的一个具体实施例，公开了一种接触孔的刻蚀方法。下文中，参考图1至图6，对接触孔的刻蚀方法进行详细描述。参考图1，接触孔的刻蚀方法应用于接触孔为高深宽比孔，例如，高深宽比为大于10:1-100:1。
37.参考图1，可以提供半导体衬底102，其中，半导体衬底102中可以形成有多个导电部件104。例如，导电部件104的材料可以为钨(w)。
38.参考图1，可以在半导体衬底102上方由下至上顺序形成刻蚀停止层106、待刻蚀层108、第一掩模层和第二掩模层116。将刻蚀停止层(etch stop layer，其缩写为esl)106设置在半导体衬底102上方，其中，刻蚀停止层106的材料为氮化硅；以及将待刻蚀层108设置在刻蚀停止层106上方，其中，待刻蚀层108的材料为氧化物。第一掩模层可以包括：非晶碳(amorphous carbon，其缩写为acl)掩模层110；氮氧化硅掩模层112，位于非晶碳掩模层110上方；以及底部抗反射涂层(bottom anti-reflective coating，其缩写为barc)114，位于氮氧化硅掩模层112上方，其中，该抗反射涂层114接触第二掩模层116并位于第二掩模层116下方。例如，第二掩模层116可以为光刻胶(photo resist，其缩写为pr)。
39.再次参考图1，在形成待刻蚀层、第一掩模层和第二掩模层之后，可以对第二掩模层116进行光刻工艺以形成第二掩模层图案。具体地，第二掩模层图案可以包括与半导体衬底102中的多个导电部件104相对应的多个开口。由于抗反射涂层114设置在第二掩模层116下方，所以能够降低了对第二掩模层116进行光刻而产生的光反射效应，从而抗反射涂层114有益于光刻工艺。
40.参考图2至图3，在光刻工艺之后，将第二掩模层图案转移到第一掩模层中以形成第一掩模层图案。具体地，以第二掩模层图案为掩模，刻蚀第一掩模层以形成第一掩模层图案，其中，在第一掩模层的刻蚀中可以采用epd。第一掩模层自下而上顺序包括：非晶碳掩模层110、氮氧化硅掩模层112和底部抗反射涂层114。例如，参考图2，该图案转移步骤按顺序
对上部的底部抗反射涂层114、中间的氮氧化硅掩模层112和底部的非晶碳掩模层110进行刻蚀，以顺序形成底部抗反射涂层图案118、氮氧化硅掩模层图案120和非晶碳掩模层图案126(参考图3)。底部抗反射涂层图案118可以包括开口124，氮氧化硅掩模层图案120可以包括开口122，以及非晶碳掩模层图案126可以包括开口128(参考图3)。
41.在本实施例中，epd可以包括：在刻蚀第一掩模层期间，通过epd实时检测刻蚀材料的特定波长强度；以及根据刻蚀材料的特定波长强度的变化判断当前刻蚀材料的刻蚀点到端点的距离，其中，不同的刻蚀材料具有不同的特定波长强度。在刻蚀点到达当前刻蚀材料的端点之前，预先停止当前epd刻蚀，以利用剩余刻蚀气体继续刻蚀当前刻蚀材料；以及在停止当前epd刻蚀之后，根据刻蚀菜单，调整接下来的epd刻蚀的刻蚀参数。例如，在第一掩模层的刻蚀过程中，并且在刻蚀点到达acl掩模层之前，预先停止当前epd刻蚀；然后根据刻蚀菜单，调整接下来的epd刻蚀的刻蚀参数。下文中，参考图2和图3，对第一掩模层的刻蚀过程中的参数调整进行详细描述。
42.具体地，将第二掩模层图案转移到第一掩模层中以形成第一掩模层图案进一步包括：参考图2，以第二掩模层图案为掩模，在第一刻蚀参数的条件下刻蚀底部抗反射涂层和氮氧化硅掩模层以形成氮氧化硅掩模层图案，其中，第一刻蚀参数包括：刻蚀压力为30-70mt，刻蚀功率为600-1000w60或100-300w27，cf4的流量为50-150sccm，chf3的流量为20-80sccm，ch2f2的流量为10-30sccm和o2的流量为5-15sccm；以及在当前刻蚀材料从氮氧化硅改变为acl之前，预先停止当前epd刻蚀，能够利用剩余的刻蚀气体继续刻蚀氮氧化硅掩模层。然后，参考图3，根据刻蚀菜单，将第一刻蚀参数调整为第二刻蚀参数，以氮氧化硅掩模层图案为掩模，刻蚀acl掩模层以形成acl掩模层图案作为第一掩模层图案。例如，第二刻蚀参数可以包括：刻蚀压力为10-20mt，刻蚀功率为500-1500w60或50-150w27，o2的流量为100-200sccm和羰基硫(cos)的流量为30-70sccm。在barc/sion膜刻蚀步骤中，随着刻蚀期间，需要控制临界尺寸(cd)，以能够在接下来的步骤中形成高精度的acl掩模层图案。
43.与现有技术相比，本实施例提供的刻蚀方法中，在当前刻蚀材料(氮氧化硅)的刻蚀完成之前，预先停止epd刻蚀(即，预先断开刻蚀电源，停止供应刻蚀气体)，从而能够利用剩余的刻蚀气体继续刻蚀剩余的当前刻蚀材料(氮氧化硅)。因此，由于断开电源后剩余的刻蚀气体能够继续进行刻蚀，所以通过预先停止刻蚀能够避免过刻蚀，而且通过控制预先停止epd刻蚀的时间，能够避免欠刻蚀。另外，在停止epd刻蚀之后，在剩余的刻蚀气体继续刻蚀剩余的当前刻蚀材料的时间段内，有足够的时间及时调整刻蚀参数，因此能够节省调整时间或停止时间，提高了刻蚀效率。
44.参考图4至图6，在形成第一掩模层图案之后，以第一掩模层图案为掩模，刻蚀待刻蚀层108和刻蚀停止层106以形成接触孔并露出导电部件104，其中，待刻蚀层108的刻蚀中采用端点检测epd。例如，参考图4至图6，该刻蚀步骤按顺序对上部的氧化物层108和下部的刻蚀停止层106进行刻蚀以顺序形成氧化物层图案和刻蚀停止层图案。第一氧化物层图案130可以包括第一接触孔132(参考图4)，第二氧化物层图案136可以包括第二接触孔134(参考图5)以及刻蚀停止层图案140可以包括第三接触孔138(参考图6)。
45.在本实施例中，epd可以包括：在刻蚀待刻蚀层或刻蚀停止层期间，通过epd实时检测刻蚀材料的特定波长强度；以及根据刻蚀材料的特定波长强度的变化判断当前刻蚀材料的刻蚀点到端点的距离，其中，不同的刻蚀材料具有不同的特定波长强度。在刻蚀待刻蚀层
或刻蚀停止层期间，根据刻蚀材料的特定波长强度的变化判断当前刻蚀材料的刻蚀点到端点的距离可以进一步包括：计算当前时刻的特定波长强度与先前时刻的特定波长强度的比率；将比率放大10,000倍以上，优选地，将比率放大10,000倍至1,000,000,000倍，即，(10,000～1,000,000,000)*(第一特定波长强度/第二特定波长强度)；以及当比率的变化时，确定当前刻蚀材料的刻蚀点到端点的距离。在刻蚀点到达当前刻蚀材料的端点之前，预先停止当前epd刻蚀，以利用剩余刻蚀气体对当前刻蚀材料继续进行刻蚀；以及在停止当前epd刻蚀之后，根据刻蚀菜单，调整接下来的epd刻蚀的刻蚀参数。下文中，参考图4至图6，对待刻蚀层和刻蚀停止层的刻蚀过程中的参数调整进行详细描述。
46.具体地，以第一掩模层图案为掩模，刻蚀待刻蚀层以形成第二接触孔图案进一步包括：参考图4，在当前刻蚀材料从acl改变为氧化物之前，预先停止epd刻蚀，能够利用剩余的刻蚀气体继续刻蚀acl掩模层。在预先停止epd刻蚀之后，根据刻蚀菜单，将刻蚀参数调整为第一氧化物层刻蚀参数，以第一掩模层图案为掩模刻蚀氧化物层。例如，第一氧化物层刻蚀参数可以包括：刻蚀压力为10-30mt，刻蚀功率为2000-3000w60、300-700w27或5000-9000w2，c4f8的流量为10-50sccm，c4f6的流量为10-40sccm，ch2f2的流量为10-30sccm，o2的流量为20-60sccm，和ar的流量为100-300sccm。参考图5，在确定刻蚀点超出氧化物层的厚度的2/3之前，预先停止epd刻蚀，能够利用剩余的刻蚀气体继续刻蚀剩余的第一氧化物层。在预先停止epd刻蚀之后，根据刻蚀菜单，将第一氧化物层刻蚀参数改变为第二氧化物层刻蚀参数。例如，第二氧化物层刻蚀参数包括：刻蚀压力为10-30mt，刻蚀功率为1000-4000w60、200-800w27或5000-9000w2，c4f8的流量为10-50sccm，c4f6的流量为10-40sccm，o2的流量为10-60sccm，和ar的流量为100-300sccm。
47.在刻蚀待刻蚀层(氧化物)完成之前或者在当前刻蚀材料从第二氧化物改变为氮化硅之前，预先停止epd刻蚀，能够利用剩余的刻蚀气体继续刻蚀剩余的第二氧化物层。在预先停止epd刻蚀之后，根据刻蚀菜单，将第二氧化物层刻蚀参数调整为第三刻蚀参数，快速去除刻蚀表面的光刻胶和聚合物。例如，第三刻蚀参数包括：刻蚀压力为10-30mt，刻蚀功率为100-300w60或100-300w27，o2的流量为10-30sccm，ar的流量为50-150sccm和刻蚀时间为5-30秒。在快速去除刻蚀表面的光刻胶和聚合物之后，将第三刻蚀参数调整为刻蚀停止层刻蚀参数。例如，刻蚀停止层刻蚀参数包括：刻蚀压力为10-50mt，刻蚀功率为200-600w60或100-300w2，cf4的流量为50-150sccm，chf3的流量为10-50sccm，o2的流量为2-8sccm和ar的流量为100-300sccm。参考图6，对刻蚀停止层进行刻蚀，在通过epd确定当前刻蚀材料改变为导电部件材料之前预先停止epd刻蚀，即，在预先停止刻蚀氮化硅之后，可以利用剩余的刻蚀气体继续刻蚀剩余的氧化硅。例如，刻蚀停止层刻蚀参数可以包括：刻蚀压力为10-50mt，刻蚀功率为200-600w60或100-300w2，cf4的流量为50-150sccm，chf3的流量为10-50sccm，o2的流量为2-8sccm和ar的流量为100-300sccm。
48.与现有技术相比，本实施例提供的刻蚀方法中，该epd刻蚀能够通过计算当前时刻的特定波长强度与先前时刻的特定波长强度的比率并将比率放大10,000倍以上，使得在epd刻蚀期间，比率变化显著足以确定当前刻蚀材料，进而能够及时调整刻蚀参数或者停止刻蚀。另外，通过在刻蚀完成当前刻蚀材料之前，预先停止刻蚀，能够及时调整刻蚀参数，进而能够控制欠刻蚀或过刻蚀。
49.本发明的另一个具体实施例，公开了一种dram的制造方法，包括上文中所述的接
触孔的刻蚀方法的各个步骤。此外，dram的制造方法，还包括：在接触孔中形成金属材料以形成接触塞；以及在接触塞上方形成与接触塞接触的金属连线。例如，通过该接触塞与金属连线电连接，能够为下面的导电部件提供电源。
50.与现有技术相比，本发明至少可实现如下有益效果之一：
51.1、在harc刻蚀期间使用epd刻蚀实施转移步骤和刻蚀步骤，能够克服现有技术中所存在的harc刻蚀配方只有时间刻蚀步骤而没有epd刻蚀步骤的技术偏见。
52.2、在刻蚀高深宽比接触孔时，通过计算当前时刻的特定波长强度与先前时刻的特定波长强度的比率并将比率放大10,000倍以上，使得在epd刻蚀期间，比率变化显著足以确定当前刻蚀材料，进而通过这种改进的epd刻蚀能够及时调整刻蚀参数或者停止刻蚀。
53.3、通过该epd刻蚀配方能够控制非打开刻蚀(not open，即，under etch欠刻蚀)或过刻蚀(over etch)。
54.4、通过在氮氧化硅掩模层上方形成底部抗反射涂层，使得降低光刻时的光反射效应，便于光刻工艺。
55.在以上的描述中，对于各层的构图、刻蚀等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。
56.以上对本公开的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本公开的范围。本公开的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本公开的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本公开的范围之内。