一种偏置试验板的制作方法

1.本实用新型涉及半导体测试领域，特别是涉及一种偏置试验板。


背景技术：

2.功率mosfet模块(双芯合封，lmos芯片和hmos芯片合封)，以下简称模块，模块内集成两类相同或不同规格功率mosfet芯片，在光伏或风电等电力管理系统中具有广泛的应用。为保证模块应用的可靠性，模块考核时需要对内部两芯片都进行考核。目前的功率mosfet芯片偏置考核用试验板常见为三孔安装座，外接两个电源接口，80个工位。其中安装座的三孔分别对接g栅极、d漏极、s源极，两个电源接口板内对接g和d、s(栅极偏置时ds短接)或d和g、s(反向偏置时gs短接)，外接电源的正、负级，而80个工位可以保证一次性执行同等偏置条件下最多60-80颗器件偏置试验，但仅限于单芯器件。采用的偏置试验考核方式：将模块内部lmos芯片、hmos芯片分别放在两个偏置试验板中，用两路不同的电源(可能相同)施加不同的电压进行考核。这种考核方式具有以下缺点：1、每次只有一个芯片考核，无法准确模拟实际应用环境，包括散热、功耗等；2、无法同板考核，影响模块考核的一致性；3、每个偏置试验项目均增加了一次考核，同一个htgb项目对模块需做两次；4、增加了考核用板，考核效率较低，产能利用率不高。由此可以看出，目前的模块内部两芯片独立或匹配工作，但没有一体化考核引出端的应用设计特点，导致目前通用的功率mosfet芯片偏置试验板在偏置试验等加电考核时无法高效的适配该类型模块试验考核，必须分别进行模块内部lmos芯片、hmos芯片的分别考核，极大的影响了考核效率、产能释放和试验模拟考核的准确性。
3.因此，如何一体化考核双芯合封类的功率mosfet模块已经成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。


技术实现要素：

4.鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种偏置试验板，用于解决现有技术中双芯合封类的功率mosfet模块无法一体化考核的问题。
5.为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种偏置试验板，包括：以阵列排布的多个工位、第一接线柱、第二接线柱、第三接线柱、第一微带线、第二微带线及第三微带线；
6.各所述工位均设置有第一固定电阻、第一快熔保险丝、第二固定电阻、第二快熔保险丝及纵向设置的第一源极接触点、第一漏极接触点、第一栅极接触点、第二源极接触点、第二漏极接触点、第二栅极接触点；
7.所述第一源极接触点、所述第一漏极接触点、所述第二源极接触点及所述第二漏极接触点均连接于第一微带线；
8.所述第一微带线通过所述第一接线柱连接第一外部电源端；
9.所述第一栅极接触点依次经由所述第一固定电阻及所述第一快熔保险丝连接于
第二微带线；
10.所述第二微带线通过所述第二接线柱连接第二外部电源端；
11.所述第二栅极接触点依次经由所述第二固定电阻及所述第二快熔保险丝连接于第三微带线；
12.所述第三微带线通过所述第三接线柱连接第三外部电源端。
13.一种偏置试验板包括：以阵列排布的多个工位、第一接线柱、第二接线柱、第三接线柱、第一微带线、第二微带线及第三微带线；
14.各所述工位均设置有第一固定电阻、第一快熔保险丝、第二固定电阻、第二快熔保险丝及纵向设置的第一源极接触点、第一栅极接触点、第一漏极接触点、第二源极接触点、第二栅极接触点、第二漏极接触点；
15.所述第一源极接触点、所述第一栅极接触点、所述第二源极接触点及所述第二栅极接触点均连接于第一微带线；
16.所述第一微带线通过所述第一接线柱连接第一外部电源端；
17.所述第一栅极接触点依次经由所述第一固定电阻及所述第一快熔保险丝连接于第二微带线；
18.所述第二微带线通过所述第二接线柱连接第二外部电源端；
19.所述第二栅极接触点依次经由所述第二固定电阻及所述第二快熔保险丝连接于第三微带线；
20.所述第三微带线通过第三接线柱连接第三外部电源端。
21.可选地，所述阵列包括3行15列。
22.可选地，所述第一快熔保险丝及所述第二快熔保险丝通过保险丝取拔器取出。
23.可选地，所述第一快熔保险丝及所述第二快熔保险丝的熔断电流为100ma。
24.可选地，所述第一快熔保险丝及所述第二快熔保险丝采用陶瓷封装。
25.可选地，所述第一快熔保险丝及所述第二快熔保险丝的底座镀金。
26.可选地，所述偏置试验板表面设置有绝缘层。
27.可选地，所述偏置试验板表面设置有三防涂层。
28.如上所述，本实用新型的偏置试验板，具有以下有益效果：
29.1，本实用新型的偏置试验板适用于双芯合封类功率mosfet模块的偏置试验一体化考核项目，考核效率高，产能利用率高。
30.2，本实用新型的偏置试验板能够相对准确的模拟双芯合封类功率mosfet模块的应用环境。
31.3，本实用新型的偏置试验板能够节省双芯合封类功率mosfet模块的偏置试验板的用量。
32.4，本实用新型的偏置试验板在现有试验板体积尺寸不变的基础上，能够完整匹配目前的试验箱。
附图说明
33.图1显示为本实用新型的工位结构示意图。
34.图2显示为本实用新型的偏置试验板结构示意图。
35.元件标号说明
[0036]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一接线柱
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第二接线柱
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第三接线柱
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第一源极接触点
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第一漏极接触点
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第一栅极接触点
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第二源极接触点
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第二漏极接触点
[0044]9ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二栅极接触点
[0045]
10
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第一快熔保险丝
[0046]
11
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第二快熔保险丝
[0047]
12
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第一微带线
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13
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第二微带线
[0049]
14
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第三微带线
具体实施方式
[0050]
以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。
[0051]
请参阅图1-图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0052]
实施例一
[0053]
本实施例提供一种偏置试验板，包括以阵列排布的多个工位、第一接线柱1、第二接线柱2、第三接线柱3、第一微带线12、第二微带线13及第三微带线14。
[0054]
如图2所示，本实施例以高温门极试验(htgb)试验板为例，在实际考核中，根据需要相应的变更漏极接触点或栅极接触点的位置或者调整源漏栅的连接关系，在此不一一赘述。所述工位以阵列排布的，所述阵列为3行15列。需要说明的是，现有常见的功率mosfet芯片偏置试验板为80个工位，本实用新型是在现有试验板最多80个工位尺寸不变的前提下，最多设置的45个工位，完整匹配目前的试验箱。在实际的生产制造中，可根据具体试验板的尺寸设置所需要数量的工位，不以本实施例为限。
[0055]
具体地，如图1所示为本实用新型的任意一个工位的结构示意图，所述工位纵向设置有第一源极接触点4、第一漏极接触点5、第一栅极接触点6、第二源极接触点7、第二漏极接触点8及第二栅极接触点9。所述工位还设置有第一固定电阻r1、第一快熔保险丝10、第二固定电阻r2及第二快熔保险丝11。
[0056]
需要说明的是，本实用新型所述的第一源极接触点4、第一漏极接触点5、第一栅极
接触点6、第二源极接触点7、第二漏极接触点8及第二栅极接触点9纵向设置是指这六个接触点的排布方式是纵向的，并不限定各触点的排布顺序，可根据需要进行调整。作为示例，纵向设置的第一个接触点为第一栅极接触点，第二个接触点为第一漏极接触点，第三个接触点为第一源极接触点，第四个接触点为第二栅极接触点，第五个接触点为第二漏极接触点，第六个接触点为第二源极接触点，不以本实施例为限。
[0057]
具体地，本实施例以栅极偏置为例，所述第一源极接触点4、所述第一漏极接触点5、所述第二源极接触点7及所述第二漏极接触点8均连接于第一微带线12。各所述工位的所述第一微带线12连接至所述第一接线柱1，通过所述第一接线柱1连接第一外部电源端。
[0058]
具体地，所述第一栅极接触点6依次经由所述第一固定电阻r1及所述第一快熔保险丝10连接于第二微带线13。所有所述工位的所述第二微带线13连接在一起至所述第二接线柱2，通过所述第二接线柱2连接第二外部电源端。
[0059]
具体地，所述第二栅极接触点9依次经由所述第二固定电阻r2及所述第二快熔保险丝11连接于第三微带线14。所有所述工位的所述第三微带线14连接在一起至所述第三接线柱3，通过所述第三接线柱3连接第三外部电源端。
[0060]
更具体地，所述第一快熔保险丝10及第二快熔保险丝11起过流保护的目的，可以通过保险丝取拔器取出，进而达到可更换的目的。
[0061]
更具体地，所述第一快熔保险丝10及所述第二快熔保险丝11的熔断电流为100ma，根据实际需要可以选择熔断电流为其他数值的快熔保险丝，不以本实施例为限。
[0062]
作为本实用新型的另一种示例，所述第一快熔保险丝10及第二快熔保险丝11采用陶瓷封装，在过流极端的情况下不会爆掉，更安全。
[0063]
作为本实用新型的另一种示例，所述第一快熔保险丝10及第二快熔保险丝11的底座镀金，可以对通过的电流进行降噪，使得传输电流稳定，传输准确。
[0064]
如图2所示，在本实施例中，所述第一接线柱1(ps-)连接第一外部电源及第二外部电源的负极(参考地)，所述第二接线柱2连接所述第一外部电源的正极，所述第三接线柱3(ps )连接所述第二外部电源的正极，从而使得两个mos管同时加电，同时考核。在实际工作中，可根据需要进行电源正负极的调换，在此不一一赘述。
[0065]
具体地，所述偏置试验板表面设置有绝缘层，增加绝缘度，提高了安全性。
[0066]
作为本实用新型的另一种示例，所述偏置试验板表面设置有三防涂层，可以防潮，防盐雾和防霉。
[0067]
本实用新型的一种偏置试验板，所述第一源极接触点、所述第一漏极接触点及所述第一栅极接触点焊接第一mos管，所述第二源极接触点、所述第二漏极接触点及所述第二栅极接触点焊接第二mos管，两个mos管集成在一个工位上，通过所述第一接线柱1、所述第二接线柱2及所述第三接线柱3连接外部电源，从而可以一体化偏置试验考核，考核效率高，产能利用率高。由于本实新型中两个mos管可以同时考核，进而能够相对准确的模拟双芯合封类功率mosfet模块的应用环境。相比于现有的偏置试验板，两个mos管不能一次性同时考核，需要分开放置试验板、分开考核来说，本实用新型减少了双芯合封类功率mosfet模块的偏置试验板的用量。
[0068]
实施例二
[0069]
本实施例提供一种偏置试验板，与实施例一的不同在于，本实施例为反偏试验的
结构连接方式，所述第一源极接触点4、所述第一栅极接触点6、所述第二源极接触点7及所述第二栅极接触点9均连接于第一微带线；所述第一微带线12连接至所述第一接线柱1，通过所述第一接线柱1连接外部电源；所述第一栅极接触点6依次经由所述第一固定电阻r1及所述第一快熔保险丝10连接于第二微带线13；所述第二微带线13连接至所述第二接线柱2，通过所述第二接线柱2连接外部电源；所述第二栅极接触点9依次经由所述第二固定电阻r2及所述第二快熔保险丝11连接于第三微带线14；所述第三微带线14连接至第三接线柱3，通过第三接线柱3连接外部电源。
[0070]
需要说明的是，其余结构、原理等特征均与实施例一中相似，在此不一一赘述。
[0071]
综上所述，本实用新型提供一种偏置试验板，包括以阵列排布的多个工位、第一接线柱、第二接线柱、第三接线柱、第一微带线、第二微带线及第三微带线；各所述工位均设置有第一固定电阻、第一快熔保险丝、第二固定电阻、第二快熔保险丝及纵向设置的第一源极接触点、第一漏极接触点、第一栅极接触点、第二源极接触点、第二漏极接触点、第二栅极接触点；所述第一源极接触点、所述第一漏极接触点、所述第二源极接触点及所述第二漏极接触点均连接于第一微带线；所述第一微带线通过所述第一接线柱连接第一外部电源端；所述第一栅极接触点依次经由所述第一固定电阻及所述第一快熔保险丝连接于第二微带线；所述第二微带线通过所述第二接线柱连接第二外部电源端；所述第二栅极接触点依次经由所述第二固定电阻及所述第二快熔保险丝连接于第三微带线；所述第三微带线通过第三接线柱连接第三外部电源端。本实用新型的一种偏置试验板能够同时考核两类mos管，考核效率高，产能利用率高。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0072]
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。