具有改进的栅极结构的场效应晶体管的制作方法

1.本公开大体涉及场效应晶体管，更具体地，涉及具有如下栅极结构的fets，当这种栅极结构与基于镶嵌铜的互连接触并连接时，其具有低电容和低电阻。


背景技术：

2.如本领域所知，场效应晶体管器件尺寸的几何比例缩小对高频性能有很大影响。通常情况下，当晶体管的尺寸缩小时，栅极长度和源极漏极间距都会减少。随着尺寸的缩小，栅极被更多地放在源漏区的位置上，通过将栅极放在比漏极更接近源极的位置来实现最大的潜在性能提升。同时，电阻的大小会增加，特别是栅极的电阻会增加，这会对晶体管的频率响应和噪声系数产生不利影响。此外，靠近栅极电极的电介质负载也会对晶体管的频率响应产生不利影响。
3.正如本领域所熟知的，gan hemt晶体管器件和集成电路的制造已经在硅cmos"类似"单或双镶嵌晶圆工艺中得到证明(参见laroche等人的"towards a si foundry-compatible,high-performance,≤0.25μm gate,gan-on-si mmic process on high-resistivity《111》si with a cu damascene beol",cs man tech conference may 16th-19th,miami,fl)。由于cmos集成工艺和金属化方案与gan集成电路工艺的兼容性，这一点是可能的。为此，如上所述，当使用cmos"类似"工艺时，由于gan hemt的栅极长度在尺寸上向下扩展，并且电介质负载最小，因此必须注意栅极的尺寸、位置、电阻和靠近栅极的电介质负载。
4.在cmos类似工艺中，用传统的光刻或电子束(e-beam)光刻方法对比例(尺寸)较大的fet的细线几何形状进行光刻定义，可以限制源漏区域中的栅极的尺寸、长宽比和位置。侧壁图像传输技术，即在牺牲性核心或芯模上定义薄膜侧壁，通常用于纳米cmos工艺中。此外，cmos工艺中的镶嵌互连，通常使用金属化的气隙来改善无源互连的频率响应，例如参见"multilevel interconnect with air-gap structure for next-generation interconnections"junji noguchi等，ieee transactions on electron devices vol.56,issue 11,nov 2009。然而，晶体管本身仍然被镶嵌氧化物所电荷化，这降低了其频率响应。


技术实现要素：

5.根据本公开，提供了一种场效应晶体管，其具有形成竖直结构的栅极触点和栅极金属，该竖直结构具有被气隙所包围的侧面和顶部，所述气隙被形成在场效应晶体管的源极电极和漏极电极之间。
6.在一个实施例中，源极电极和漏极电极是镶嵌(damascene)结构。
7.在一个实施例中，栅极触点和栅极金属形成竖直结构，该竖直结构具有被气隙所包围的侧面和顶部，该气隙竖直延伸到与该镶嵌结构的顶部平行的水平。
8.在一个实施例中，栅极触点包括多个堆叠的镶嵌金属层。
9.在一个实施例中，栅极触点包括多个堆叠的镶嵌金属层，其竖直延伸至与该镶嵌结构的顶部平行的水平。
10.在一个实施例中，场效应晶体管是台面(mesa)结构，并且其中栅极触点和栅极金属形成竖直结构，该竖直结构具有被气隙所包围的侧面和顶部，所述气隙被形成在源极和漏极电极之间以及与栅极方向垂直的台面边缘之间。
11.在一个实施例中，提供了一种场效应晶体管结构，其包括：iii-n缓冲层；设置在iii-n缓冲层上的iii-n沟道层；设置在沟道层上的阻隔层；其中在沟道层中形成了2deg(二维电子气体)；设置在iii-n缓冲层上的均匀厚度的、水平延伸的掺杂gan(氮化镓)层，该均匀厚度的掺杂gan层具有竖直延伸穿过的孔，该孔具有终止于iii-n缓冲层的水平延伸的上表面部分的竖直延伸的侧壁；栅极电极，其包括：延伸到该孔中的竖直茎部分，其包括：iii-n缓冲层的一部分、iii-n沟道层的一部分和缓冲层(阻隔层)的一部分，所述iii-n缓冲层的一部分、iii-n沟道层的一部分和缓冲层的一部分形成了所述iii-n缓冲层的一部分、iii-n沟道层的一部分和缓冲层的一部分的竖直堆栈(堆叠)；其中，该竖直堆栈竖直向上延伸到该孔中，并位于该孔的竖直延伸的侧壁之间；以及设置在该堆栈上的栅极金属；与均匀厚度的、水平延伸的掺杂gan层的上表面部分进行欧姆接触的源极和漏极触点；并且其中，栅极电极被设置在源极和漏极电极之间。
12.在一个实施例中，栅极触点被设置在栅极金属上，并且其中源极和漏极触点具有下部部分；并且其中栅极触点和源极及漏极触点的下部部分具有设置在共同平面内的上表面。
13.在一个实施例中，源极和漏极电极是镶嵌结构。
14.在一个实施例中，栅极触点和栅极金属形成竖直结构，该竖直结构具有被气隙包围的侧面和顶部，该气隙竖直延伸到与镶嵌结构的顶部平行的水平。
15.在一个实施例中，栅极触点和栅极金属形成竖直结构，该竖直结构具有被气隙包围的侧面和顶部。
16.在一个实施例中，栅极触点包括多个堆叠的镶嵌金属层。
17.在一个实施例中，栅极触点包括多个堆叠的镶嵌金属层，其竖直延伸至与镶嵌结构的顶部平行的水平。
18.在一个实施例中，栅极触点包括多个堆叠的镶嵌金属层，这些金属层周围设置有非顺形氧化物，从而在这些金属层旁边形成竖直延伸到与镶嵌结构的顶部平行的水平的气隙。
19.在一个实施例中，提供了一种用于形成场效应晶体管的方法，其包括：在半导体主体的表面上形成芯模；形成第一电介质间隔层，该第一电介质间隔层具有位于芯模的外侧壁上的内侧壁并具有位于半导体主体上的底部；形成栅极电极，该栅极电极具有位于第一电介质间隔层的外侧壁上的内侧壁并具有位于半导体主体上的底部；形成第二电介质层，该第二电介质层具有位于栅极电极的外侧壁上的内侧壁并具有位于半导体主体上的底部；其中，第一电介质间隔层的宽度与第二电介质间隔层的宽度不同；以及，在形成第一电介质层和第二电介质层之后，移除芯模，同时将栅极电极的底部留在半导体上。
20.在一个实施例中，提供了一种用于形成场效应晶体管的方法，该场效应晶体管具有一对电互连的栅极电极，该对栅极电极中的一个被设置于第一源极电极和漏极电极之
间，该对栅极电极中的另一个被设置于漏极电极和第二源极电极之间，所述方法包括：在半导体主体的表面上形成芯模；形成第一对电介质间隔层，其中每个电介质间隔层具有位于芯模的一对相对的外侧壁中的相应外侧壁上的内侧壁；形成该对栅极电极，该对栅极电极中的一个形成在第一对电介质间隔层中的第一电介质间隔层的外侧壁上，该对栅极电极中的另一个形成在第一(对)电介质间隔层中的第二电介质间隔层上；形成第二对电介质间隔层，其中每个电介质间隔层具有位于该对栅极电极中的相应栅极电极的外侧壁上的内侧壁；其中第一对电介质间隔层与第二对电介质间隔层的宽度不同；以及在形成第一对电介质层和第二对电介质层之后，移除芯模。
21.有了这样的布置，利用平面栅极工艺和铜镶嵌(cu damascene)结构的自对准栅极和再生欧姆(ohmics)提供了更严格的尺寸控制，栅极电介质也作为一个间隔物，从而通过接触到镶嵌金属化和栅极长宽比来改善接入电阻。这种方法使我们能够实现小的源漏隙。这种工艺的高产可制造性是由其完全的减法性质和基于升空的处理方式以及在生产线前端(feol)处理结束时形成气隙(减少寄生电容以提高增益)之前使栅极稳定在氧化物中的事实所保证的。铜镶嵌与自对准的gan hemt、平面和相邻的hemt气隙减少了电容。
附图说明
22.图1-6、7c、8-12、12a、13-14、15a-15b、16a、16b、17a、17b、18a-18i是根据本公开的用于形成场效应晶体管的步骤的简化、示意性横截面图；
23.图4a、5a、6a、7a、7b、8a、13a和14a是根据本公开的用于形成场效应晶体管的步骤的简化、示意性平面图，图4、5、6、7c、8、13、14分别沿着图4a、5a、6a、7b、8a、13a和14a中的线4-4、5-5、6-6、7c-7c、8-8、13-13和14-14截取；
24.图19是根据本公开的场效应晶体管的简化、示意性平面图，图19a沿着图19中的线19a-19a截取；
25.图19b是根据本公开的场效应晶体管的简化、示意性横截面图，图19b沿着图19中的线19b-19b截取；
26.图19a是根据本公开的备选实施例的场效应晶体管的简化、示意性横截面图；
27.图20a-20f、20j-20w是根据本公开的第二个备选实施例的用于形成场效应晶体管的步骤的简化、示意性横截面图；
28.图20g、20h、20i和20x是根据本公开的第二备选实施例的场效应晶体管在其制造的各个阶段的简化、示意性平面图；图20f、20j和图20w分别沿着图20g、20i和20x中的线20f-20f、20j-20j和20w-20w截取；
29.图20x是图20w的场效应晶体管的形成的简化、示意性平面图；以及
30.图21是根据本公开的备选实施例的场效应晶体管的简化、示意性横截面图。
31.各图中的相同附图标记表示相同元素。
具体实施方式
32.现在参考图1，图中显示了衬底10，此处例如为硅(si)或碳化硅，其具有iii-v族层，此处为氮化铝(aln)、氮化镓(gan)或其组合物，成核层或缓冲/背障层12外延地形成在衬底10的上表面上，未掺杂的iii-v族层14，此处为在层12的上表面上外延地形成的氮化镓
(gan)层14和iii-v族层16，此处为在gan层14的上表面上外延地形成的algan(铝镓氮)层16，如图所示，gan层14提供载流子通道。
33.参考图2，如图所示，在层14的上表面上形成了氧化硅层18。
34.现在参考图3，如图所示，隔离区域20被形成为穿过二氧化硅层18、algan层16、gan层14的部分，并进入缓冲层12的上部；此处，例如，这种隔离区域20通过氧离子植入而形成。应该理解的是，可以对各层进行蚀刻，以形成常规的台面隔离型结构。
35.现在参考图4和图4a，如图所示，在氧化硅层18的上表面的一部分上以任何常规方式形成了牺牲性的硬掩模22，此处是四面的、矩形的芯模(mandrel)或核心，此处例如为多晶硅、氮化硅、氧化铝、非晶碳或其他合适的硬掩模材料。
36.现在参考图5和图5a，在图4所示结构的整个上表面上沉积了顺形(顺应，保形)电介质间隔层24，此处是氧化铝(al2o3)多晶硅、氮化硅、氧化硅、无定形碳或其他合适的材料，此处通过例如化学气相沉积(cvd)、溅射或原子层沉积(ald)来实现上述沉积。
37.参考图6和图6a，使用等离子体定向蚀刻、电感耦合等离子体(icp)蚀刻或活性离子蚀刻(rie)从芯模22的上表面和氧化层18的上表面部分移除电介质间隔层24的部分，以产生如图所示的结构。
38.参考图7a，如图7a、7b和7c所示，通过选择性湿法或干法蚀刻移除芯模22，然后使用修剪遮蔽平版印刷工艺移除一对相对的电介质间隔层24b，而留下另一对相对的电介质间隔层24a。
39.参考图8和图8a，氧化硅层18的暴露部分被移除，此处例如通过等离子体蚀刻暴露gan外延层14的顶部部分来实现；应当注意到，氧化硅层18在电介质间隔层24下方的部分仍然保留，如图所示。
40.现在参考图9，algan层16的暴露部分被移除，然后gan层14的暴露部分被移除，随后aln层12的暴露的上部部分被移除；此处通过选择性湿法或干法蚀刻来实现上述移除；应当注意，位于电介质间隔层12下方的algan层16的部分、gan层14的部分和aln层12的部分以及隔离区域20的部分仍然保留，如图所示。
41.现在参考图10，在aln层12的暴露部分上形成了n 掺杂的gan层30；即，所谓的再生层，如图所示，其具有使用分子束外延或金属有机化学气相沉积(mocvd)，在电介质间隔层24上沉积的部分30a。
42.现在参考图11，使用湿法或干法选择性多晶gan蚀刻来移除沉积在电介质间隔层24上的部分，从而形成图12所示的结构。
43.参考图12a，在结构的一部分上形成光刻胶层32，其目的是暴露n 再生欧姆层30的部分30；应当注意，光刻胶层32的两端延伸到植入区域20的一部分的上方，如图12a所示。合适的湿法或等离子体蚀刻工艺被用来蚀刻和移除再生欧姆层30的暴露部分30，图13和图13a。然后，移除电介质间隔层24和光刻胶层32的暴露部分，以形成图14和图14a中所示的结构。
44.参考图15a，在表面上形成薄电介质层38，此处例如为sinx，然后进行化学机械抛光，以暴露二氧化硅层18的上部部分，如图15b所示。
45.参考图16，如图所示，通过选择性湿法或干法蚀刻移除二氧化硅层18的暴露部分，从而暴露出algan层16的下面部分。
46.参考图16a，首先在结构上顺形沉积电介质内衬材料70a，例如sinx或al2o3，然后如图16b所示定向蚀刻，以在再生欧姆层30的侧壁和栅极开口上留下电介质内衬层的部分70b，如图16b所示。
47.现在参考图17a，如图所示，栅极金属层42a(例如下层的氮化钛(tin)和上层的钨(w))被溅射沉积在结构上。如图17b所示，光刻胶掩模46被用于干法蚀刻，以将层42a图案化为一对肖特基(schottky)栅极金属触点42a、42b。
48.现在参考图18a-18i，描述了将一对源极触点50s和漏极触点50d(图18d、i)形成为与n 再生欧姆层30进行欧姆接触的镶嵌结构(此处例如为大马士革结构)的过程。因此，参考图18a，如图18a所示，在sinx层38和一对肖特基栅极金属触点42a和42b上沉积额外的氮化硅(sinx)停止蚀刻层47a。
49.参考图18b，通过化学气相沉积(cvd)在sinx层47a上沉积电介质层48a(此处例如为二氧化硅)，通过化学机械平坦化(cmp)进行平坦化，并通过光刻图案化和蚀刻，以首先形成一对用于栅极触点42a、42b的窗口48wg1和48wg2(图18b)，然后形成用于一对源极触点50s和漏极触点50d的窗口48ws1、48ws2、48wd(图18d、18i)。移除sinx层47的暴露部分，以形成窗口501、502(图18c)，以暴露栅极和n 再生欧姆层30的部分，在这些部分处，一对源极触点50s、漏极触点50d和两个栅极触点50g将在窗口501、502中通过金属层vo(此处是铜)的额外电镀和化学机械抛光(cmp)形成，如图18d中所示。
50.参考图18e，以类似的方式，沉积电介质层47b(此处例如是氮化硅)，然后沉积二氧化硅层44b；在其中形成窗口(未示出)，并通过窗口将上部金属层m1(此处是铜)沉积到金属层vo上，如图所示；然后沉积另一氮化硅层47c(如图l8e所示)，以形成镶嵌结构49s1、49d1，其分别与源极和漏极触点(s和d)的下部接触(图18h)。
51.该过程重复进行，如图18g和图18h所示，以形成镶嵌结构49s2、49d2，以分别用于源极和漏极触点(s和d)的上部，图18h。
52.接下来，使用常规的光刻蚀刻技术将气隙60蚀刻到结构中，以形成图18i所示的结构。
53.如上所述，此处源极和漏极触点50s和50d(图18i)形成为镶嵌结构，sinx和sio的电介质层如图18i所示地形成，以便向源极和漏极电极50s和50d以及栅极触点42a、42b(图18b)提供上部(此处为铜(cu))触点金属层v0、m1、v1和m2，如图18i所示。
54.参考图19、图19a和图19b，为源极和漏极电极50s和50d形成了替代的镶嵌结构，该结构具有非顺形的镶嵌氧化物，其产生了气穴51。
55.现在参考图20a-20v，将描述替代的实施例。此处，栅极电极和源极电极之间的分隔将不同于栅极电极和漏极电极之间的分隔；即，所谓不对称栅极fet栅极结构。
56.因此，此处，在芯模22如上文图4所述形成后，在图4所示结构的表面上形成具有均匀厚度w1的层241，此处例如为通过cvd、ald、溅射沉积的al2o3、sio2、sin、多晶硅或非晶碳层，以产生图20a所示结构。
57.参考图20b，如图所示，使用例如等离子体、icp或rie的定向蚀刻移除层241的部分。选择芯模和间隔材料以及蚀刻条件，以提供良好的干法蚀刻选择性，以产生图20b所示的结构。值得注意的是，如图所示，芯模22的竖直侧壁上保留层241的部分。
58.参考图20c，如图所示，在结构上沉积了层242。此处，层242是：通过cvd、ald或溅射
沉积的al2o3、sio2、sin、多晶硅、非晶碳层或其他合适的材料。
59.参考图20d，如图所示，使用例如通过等离子体、icp或rie的定向蚀刻移除层242的部分，以产生图20d中所示的结构。应当注意，层242的部分保留在层241的竖直侧壁上，如上所述，层241的竖直侧壁位于芯模22的竖直侧壁上，如图所示。
60.参考图20e，均匀地沉积层243，此处层243具有厚度w2，其中w2在所示结构上与w1不同。此处，层243是：通过cvd、ald或溅射沉积的al2o3、sio2、sin、多晶硅、非晶碳层或其他合适材料。
61.参考图20f和图20g，如图所示，使用例如通过等离子体、icp或rie的定向蚀刻移除层243的部分，以产生图20f中所示的结构。值得注意的是，如图所示，层243的一部分保留在层242的竖直侧壁上。
62.参考图20h-图20j，如与图7a有关的描述，通过选择性湿法或干法蚀刻移除芯模22，然后使用修剪遮蔽平版印刷工艺移除成对相对的层241、242和243，而如与图7b和图7c有关的描述留下另一对相对的层241、242和243，以产生图20i和图20j所示结构。
63.参考图20k，如以上与图8有关的描述，移除氧化层18的暴露部分。
64.参考图20l，如以上与图9有关的描述，移除层16和14的暴露部分。
65.参考图20m，如以上与图10有关的描述，通过mbe、mocvd在所示结构上沉积n gan层30。
66.参考图20n，如图12中所述，通过选择性的干法或湿法蚀刻移除层221、222和223的上表面上的层30上的部分。
67.参考图20o，在结构的一部分上形成光刻胶层32，以暴露n 再生欧姆层30的部分30a；应当注意到，光刻胶层32的两端延伸到植入区域30的一部分的上方，如以上图12a中所述。如图20p所示，在移除掩模34后，再使用蚀刻工艺来形成台面结构35，如以上在图14和图14a中所述。
68.参考图20q，在表面上形成电介质层38(此处例如是sinx)，然后进行化学机械抛光，如图20r所示，以暴露层241、242和243的上表面，如图所示。
69.参考图20s，结构的表面被遮蔽但留有窗口，以暴露由箭头39所指示的部分，然后对这种暴露部分进行干法选择性蚀刻以移除层242，并由此暴露氧化层18的下层部分，然后通过等离子体蚀刻或icp或rie移除层18的这种暴露部分，以产生如图20s所示的结构以暴露层16的下层部分。
70.参考图20t，栅极金属层结构44，例如下层的氮化钛(tin)和上层的钨(w)被毯状沉积在该结构上，如图所示。
71.参考图20u，对光刻胶掩模46进行干法蚀刻，以将层44图案化为一对肖特基栅极金属触点44a、44b，如图所示和与图17b有关的描述以及图20v中所示。
72.参考图20w，如图18a所述，在sinx层38和一对肖特基栅极金属触点44a、44b上沉积氮化硅(sinx)蚀刻停止层47。然后继续进行图18b至图18i中描述的过程。
73.应该理解，为了降低栅极电阻，从而改善频率响应，此处例如在与栅极金属层42a、42b接触的v0栅极cu damascene(大马士革，镶嵌)层v0上方堆叠额外的cu damascene金属层m1和v1和m2。应该理解的是，可以在v0栅极上方堆叠更多或更少的cu damascene层。如图21所示，横截面如前文所述形成。
74.现在应该理解，根据本公开的场效应晶体管包括形成竖直结构的栅极触点和栅极金属，该竖直结构具有被气隙所包围的侧面和顶部，该气隙被形成在场效应晶体管的源极电极和漏极电极之间。该场效应晶体管可以单独或组合地包括以下特征中的一个或多个：其中，源极电极和漏极电极是镶嵌(大马士革)结构；其中，栅极触点和栅极金属形成竖直结构，该竖直结构具有被气隙所包围的侧面和顶部，所述气隙竖直延伸到与镶嵌结构的顶部平行的水平；其中，栅极触点包括多个堆叠的镶嵌金属层；其中，栅极触点包括多个堆叠的镶嵌金属层，其竖直延伸至与镶嵌结构的顶部平行的水平；或其中，该场效应晶体管是台面结构，并且其中，栅极触点和栅极金属形成竖直结构，该竖直结构具有被气隙所包围的侧面和顶部，该气隙被形成在源极和漏极电极之间，并且在台面结构的边缘之间，与栅极方向垂直。
75.现在还应该理解，根据本公开的场效应晶体管结构包括：iii-n缓冲层；设置在iii-n缓冲层上的iii-n沟道层；设置在沟道层上的阻隔层；其中在沟道层中形成有2deg；设置在iii-n缓冲层上的均匀厚度的、水平延伸的掺杂gan层，该均匀厚度的掺杂gan层具有竖直延伸穿过的孔，该孔具有竖直延伸的侧壁，终止于iii-n缓冲层的水平延伸的上表面部分；栅极电极，其包括：延伸至该孔中的竖直茎部分，其包括：iii-n缓冲层的一部分、iii-n沟道层的一部分和缓冲层的一部分，该iii-n缓冲层的一部分、iii-n沟道层的一部分和缓冲层的一部分形成了iii-n缓冲层的一部分、iii-n沟道层的一部分和缓冲层的一部分的竖直堆栈；其中，该竖直堆栈竖直向上延伸到该孔内并且位于该孔的竖直延伸侧壁之间；以及设置在该堆栈上的栅极金属；与均匀厚度的、水平延伸的掺杂gan层的上表面部分欧姆接触的源极和漏极触点；并且其中，栅极电极设置在源极和漏极电极之间。该场效应晶体管结构可单独或组合地包括以下特征中的一个或多个：设置在栅极金属上的栅极触点，并且其中源极和漏极触点具有下部部分；并且其中栅极触点和源极及漏极触点的下部部分具有设置在共同平面内的上表面；其中源极和漏极电极是镶嵌结构；其中栅极触点和栅极金属形成竖直结构，该竖直结构具有被气隙包围的侧面和顶部，该气隙竖直延伸到与镶嵌结构的顶部平行的水平；其中，栅极触点和栅极金属形成竖直结构，该竖直结构具有被气隙包围的侧面和顶部；其中，栅极触点包括多个堆叠的镶嵌金属层；或其中，栅极触点包括多个堆叠的镶嵌金属层，其竖直延伸到与镶嵌结构的顶部平行的水平。
76.现在还应该理解，根据本公开的用于形成场效应晶体管的方法包括：在半导体主体的表面上形成芯模；形成具有位于芯模的外侧壁上的内侧壁并具有位于半导体主体上的底部的第一电介质间隔层；形成具有位于第一电介质间隔层的外侧壁上的内侧壁并具有位于半导体主体上的底部的栅极电极；形成具有位于栅极电极的外侧壁上的内侧壁并具有位于半导体主体上的底部的第二电介质层；其中，第一电介质间隔层的宽度与第二电介质间隔层的宽度不同；并且，在形成第一电介质层和第二电介质层之后，移除芯模，同时将栅极电极的底部留在半导体主体上。
77.现在还应该理解，根据本公开的用于形成场效应晶体管的方法(该场效应晶体管具有一对电互连的栅极电极，该对栅极电极中的一个被设置在第一源极电极和漏极电极之间，该对栅极电极中的另一个被设置在漏极电极和第二源极电极之间)包括：在半导体主体的表面上形成芯模；形成第一对电介质间隔层，其中每个电介质间隔层具有位于芯模的一对相对的外侧壁中的相应外侧壁上的内侧壁；形成该对栅极电极，该对栅极电极中的一个
形成在第一对电介质间隔层中的第一个的外侧壁上，该对栅极电极中的另一个形成在第一电介质间隔层中的第二个上；形成第二对电介质间隔层，其中每个电介质间隔层具有位于该对栅极电极中的相应一个的外侧壁上的内侧壁；其中第一对电介质间隔层与第二对电介质间隔层的宽度不同；在形成第一对电介质层和第二对电介质层之后，移除芯模。
78.已经描述了本公开的一些实施例。然而，可以理解的是，在不背离本公开的精神和范围的情况下，可以进行各种修改。因此，其他实施例也在以下权利要求的范围内。