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一种双色LED及其制作工艺的制作方法

2022-03-23 09:39:07 来源:中国专利 TAG:

一种双色led及其制作工艺
技术领域
1.本发明涉及led领域,尤其是一种双色led及其制作工艺。


背景技术:

2.传统双色cob一般包括基板、第一led芯片和第二led芯片,第一led芯片的出光面上覆盖第一荧光胶,第二led芯片的出光面上覆盖第二荧光胶,通过第一荧光胶与第二荧光胶的厚度不同产生冷暖色温。该种双色led由于荧光胶层的厚度不同,导致光斑不一致,影响出光均匀性;另外,荧光胶层通过点胶工艺成型,如果相邻led芯片之间的间隔较小,荧光胶容易碰到旁边相邻芯片,所以不适用密度集成的双色cob。


技术实现要素:

3.本发明所要解决的技术问题是提供一种双色led及其制作工艺,出光均匀性更好,能使用高密度固晶的双色cob。
4.为解决上述技术问题,本发明的技术方案是:一种双色led,包括基板、设在基板固晶区的led芯片和围绕固晶区设置的围堰,所述led芯片包括第一led芯片和第二led芯片;所述第二led芯片的顶面出光面设有荧光粉层,所述围堰内于led芯片的侧面设有第一荧光胶层,所述围堰内填充有第二荧光胶层,第二荧光胶层覆盖第一led芯片、第一荧光胶和第二led芯片顶部的荧光粉层,所述第一led芯片与第二荧光胶层配合形成第一色温led,所述第二led芯片、荧光粉层及第二荧光胶层配合形成第二色温led。本发明在第二led芯片的顶面出光面采用喷粉方式形成荧光粉层,可以有效控制荧光粉层的厚度和范围,不会对不同色温led产生干扰,能适用led芯片间隔更小的高密度固晶的cob形成双色封装;在第一led芯片与第二led芯片间隔出点第一荧光胶层,通过控制第一荧光胶的胶量和粉胶配比,可以使led芯片的侧面出光填补两芯片顶部出光光斑之间的过渡区,整体出光更均匀。
5.作为改进,所述第一led芯片和第二led芯片均为蓝光倒装芯片。
6.作为改进,所述第一荧光胶层采用粉胶浓度在80-90%范围的荧光胶形成。
7.作为改进,所述第二荧光胶层的顶面与围堰的顶面平齐。
8.作为改进,所述第一荧光胶层的高度为110-130um,第一led芯片与第二led芯片之间的间距为0.30-0.35mm。
9.作为改进,所述荧光粉层的形状呈中间凸起的弧形,第一led芯片与第二led芯片之间的第一荧光胶层的中间下凹。
10.本发明双色led的制作工艺,包括以下步骤:(1)在基板的固晶区固晶;(2)在第二led芯片的顶面出光面喷粉;(3)在基板上形成围堰包围固晶区;(4)在第一led芯片与第二led芯片间隔中间位置点第一荧光胶;(5)在围堰内填充第二荧光胶;
(6)离心沉降。
11.本发明与现有技术相比所带来的有益效果是:本发明在第二led芯片的顶面出光面采用喷粉方式形成荧光粉层,可以有效控制荧光粉层的厚度和范围,不会对不同色温led产生干扰,能适用led芯片间隔更小的高密度固晶的cob形成双色封装;在第一led芯片与第二led芯片间隔出点第一荧光胶层,通过控制第一荧光胶的胶量和粉胶配比,可以使led芯片的侧面出光填补两芯片顶部出光光斑之间的过渡区,整体出光更均匀。
附图说明
12.图1为本发明封装示意图。
13.图2为本发明制作工艺流程图。
具体实施方式
14.下面结合说明书附图对本发明作进一步说明。
15.如图1所示,一种双色led,包括基板3、设在基板3固晶区的led芯片和围绕固晶区设置的围堰4。所述led芯片包括第一led芯片1和第二led芯片2,所述第一led芯片1和第二led芯片2均为蓝光倒装芯片,第一led芯片1和第二led芯片2在围堰4内呈间隔错位布置,第一led芯片1与第二led芯片2之间的间距为0.30-0.35mm。所述第二led芯片2的顶面出光面设有荧光粉层7,所述荧光粉层7的形状呈中间凸起的弧形,通过喷粉工艺形成。所述围堰4内于led芯片的侧面设有第一荧光胶层5,所述第一荧光胶层5覆盖led芯片的侧面出光面,所述第一荧光胶层5采用粉胶浓度在80-90%范围的荧光胶形成,所述第一荧光胶层5的高度为110-130um,第一led芯片1与第二led芯片2之间的第一荧光胶层5的中间下凹。所述围堰4内填充有第二荧光胶层6,所述第二荧光胶层6的顶面与围堰4的顶面平齐,第二荧光胶层6覆盖第一led芯片1、第一荧光胶和第二led芯片2顶部的荧光粉层7。所述第一led芯片1与第二荧光胶层6配合形成第一色温led,所述第二led芯片2、荧光粉层7及第二荧光胶层6配合形成第二色温led,第一色温led发冷白色温,第二色温led发暖白色温。
16.如图2所示,本发明双色led的制作工艺,包括以下步骤:(1)在基板3的固晶区固晶;(2)在第二led芯片2的顶面出光面喷粉;(3)在基板3上形成围堰4包围固晶区;(4)在第一led芯片1与第二led芯片2间隔中间位置点第一荧光胶,荧光胶的粉胶浓度控制在80-90%范围内,使用精密点胶机在两颗led芯片间隔处点胶;(5)在围堰4内填充第二荧光胶;(6)离心沉降;(7)分板、分光;(8)包装。
17.本发明在第二led芯片2的顶面出光面采用喷粉方式形成荧光粉层7,可以有效控制荧光粉层7的厚度和范围,不会对不同色温led产生干扰,能适用led芯片间隔更小的高密度固晶的cob形成双色封装;在第一led芯片1与第二led芯片2间隔出点第一荧光胶层5,通
过控制第一荧光胶的胶量和粉胶配比,可以使led芯片的侧面出光填补两芯片顶部出光光斑之间的过渡区,整体出光更均匀。


技术特征:
1.一种双色led,包括基板、设在基板固晶区的led芯片和围绕固晶区设置的围堰,所述led芯片包括第一led芯片和第二led芯片;其特征在于:所述第二led芯片的顶面出光面设有荧光粉层,所述围堰内于led芯片的侧面设有第一荧光胶层,所述围堰内填充有第二荧光胶层,第二荧光胶层覆盖第一led芯片、第一荧光胶和第二led芯片顶部的荧光粉层,所述第一led芯片与第二荧光胶层配合形成第一色温led,所述第二led芯片、荧光粉层及第二荧光胶层配合形成第二色温led。2.根据权利要求1所述的一种双色led,其特征在于:所述第一led芯片和第二led芯片均为蓝光倒装芯片。3.根据权利要求1所述的一种双色led,其特征在于:所述第一荧光胶层采用粉胶浓度在80-90%范围的荧光胶形成。4.根据权利要求1所述的一种双色led,其特征在于:所述第二荧光胶层的顶面与围堰的顶面平齐。5.根据权利要求1所述的一种双色led,其特征在于:所述第一荧光胶层的高度为110-130um,第一led芯片与第二led芯片之间的间距为0.30-0.35mm。6.根据权利要求1所述的一种双色led,其特征在于:所述荧光粉层的形状呈中间凸起的弧形,第一led芯片与第二led芯片之间的第一荧光胶层的中间下凹。7.一种如权利要求1所述的双色led的制作工艺,其特征在于,包括以下步骤:(1)在基板的固晶区固晶;(2)在第二led芯片的顶面出光面喷粉;(3)在基板上形成围堰包围固晶区;(4)在第一led芯片与第二led芯片间隔中间位置点第一荧光胶;(5)在围堰内填充第二荧光胶;(6)离心沉降。8.根据权利要求7所述的一种双色led的制作工艺,其特征在于:所述步骤(4)中,荧光胶的粉胶浓度控制在80-90%范围内,使用精密点胶机在两颗led芯片间隔处点胶。

技术总结
一种双色LED,包括基板、设在基板固晶区的LED芯片和围绕固晶区设置的围堰,所述LED芯片包括第一LED芯片和第二LED芯片;所述第二LED芯片的顶面出光面设有荧光粉层,所述围堰内于LED芯片的侧面设有第一荧光胶层,所述围堰内填充有第二荧光胶层,第二荧光胶层覆盖第一LED芯片、第一荧光胶和第二LED芯片顶部的荧光粉层,所述第一LED芯片与第二荧光胶层配合形成第一色温LED,所述第二LED芯片、荧光粉层及第二荧光胶层配合形成第二色温LED。本发明在第二LED芯片的顶面出光面采用喷粉方式形成荧光粉层,可以有效控制荧光粉层的厚度和范围,不会对不同色温LED产生干扰,能适用LED芯片间隔更小的高密度固晶的COB形成双色封装。隔更小的高密度固晶的COB形成双色封装。隔更小的高密度固晶的COB形成双色封装。


技术研发人员:刘萍萍 尹键 林德顺 王跃飞 翁平 杨永发
受保护的技术使用者:鸿利智汇集团股份有限公司
技术研发日:2021.12.28
技术公布日:2022/3/22
再多了解一些

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