高耐压MEMS封装载板及其制作工艺的制作方法

技术特征：
1.一种高耐压mems封装载板的制作工艺，其特征在于：包括如下步骤：步骤1：开料：将埋容基材裁切成一定的尺寸并形成两块埋容基板，分别定义为第一埋容基板(10)和第二埋容基板(20)，所述第一埋容基板(10)具有第一电容层(11)以及分别设置于该第一电容层正、反两面的第一铜箔层(12)和第二铜箔层(13)，所述第二埋容基板(20)具有第二电容层(21)以及分别设置于该第二电容层正、反面的第三铜箔层(22)和第四铜箔层(23)；步骤2：内层线路：分别对第一埋容基板(10)的第二铜箔层(13)和第二埋容基板(20)的第三铜箔层(22)进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，得到具有内层线路的第一埋容基板(10)和第二埋容基板(20)；步骤3：压合：将第一埋容基板(10)、pp层(30)和第二埋容基板(20)依次叠合，利用压机将叠合好的第一埋容基板(10)、pp层(30)和第二埋容基板(20)压合而形成埋容四层板(40)，且所述第二铜箔层(13)和第三铜箔层(22)分别贴合于pp层(30)的正反两面；步骤4：机械钻孔、镭射钻孔及填孔：机械钻孔：根据线路布局需求，在第一铜箔层(12)上利用钻头钻出多个定位孔；镭射钻孔：镭射机利用co2激光在定位孔处镭射开设出所需尺寸的槽孔，采用单面镭射钻孔即从第一铜箔层(12)进行镭射钻孔形成槽孔，该槽孔依次穿过第一铜箔层(12)、第一电容层(11)、第二铜箔层(13)和pp层而不烧穿第三铜箔层(22)；填孔：对槽孔内进行去胶渣、化学铜和电镀铜处理而形成导通孔(41)，从而得到层间图形线路相互导通的埋容四层板(40)；步骤5：外层线路：对埋容四层板(40)的第一铜箔层(12)和第四铜箔层(23)进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，得到具有外层线路的埋容四层板(40)，且在导通孔(41)对应的第一铜箔层(12)处蚀刻成独立pad，该pad不参与其他线路的导通；步骤6：阻焊：在埋容四层板(40)的表面通过防焊前处理、印刷、预烤、曝光、显影和后烤形成一层防焊油墨层(42)，而得到成品载板，其中所述导通孔(41)对应的位于第一铜箔层上的独立pad覆盖于防焊油墨层(42)下；步骤7：成型：最后铣成型、电测及检验后包装成成品出货。2.根据权利要求1所述的高耐压mems封装载板的制作工艺，其特征在于：上述步骤2内层线路中具体包括以下步骤：(1)前处理：利用含有双氧水的清洗液对基板进行清洗，再利用硫酸溶液对第二铜箔层(13)和第三铜箔层(22)表面进行粗化；(2)压干膜：利用热压的方式将感光干膜贴附于第二铜箔层(13)和第三铜箔层(22)表面上；(3)曝光：使用ldi曝光机将感光干膜中的光敏物质进行聚合反应，从而使设计的图形转移到感光干膜上；(4)显影：利用显影液与未曝光干膜的皂化反应，将其去除；(5)蚀刻：通过蚀刻机将氯化铜药水喷洒在铜面上，利用药水与铜的化学反应，对未被干膜保护的铜面进行蚀刻，形成线路；(6)腿模：通过褪膜机将naoh或koh药水喷淋在板面上，利用药水与干膜的化学反应将干膜去除，完成内层线路的制作，得到具有内层线路的第一埋容基板(10)和第二埋容基板
(20)；(7)aoi：aoi系统对照蚀刻后内层线路与原始的设计线路之间的差异，对铜面上的内层线路进行检验。3.根据权利要求1所述的高耐压mems封装载板的制作工艺，其特征在于：在上述步骤3中压合具体包括以下步骤：(1)前处理：酸洗：利用硫酸溶液对第二铜箔层(13)和第三铜箔层(22)表面氧化物进行清除；清洁：利用清洁剂将油脂水解成易溶于水的小分子物质；预浸：利用棕化液对内层板进行预浸润；(2)棕化：利用棕化液对第二铜箔层(13)和第三铜箔层(22)表面进行棕化处理，使得铜表面形成凹凸不平的表面形状，增大了铜面与树脂的接触面积；(3)叠合：将第一埋容基板(10)、pp层(30)和第二埋容基板(20)依次叠合且pp层位于第二铜箔层(13)与第三铜箔层(22)之间；(4)压合：在压机的高温、高压下将第一埋容基板(10)、pp层(30)和第二埋容基板(20)融合粘接呈埋容四层板(40)。4.根据权利要求1所述的高耐压mems封装载板的制作工艺，其特征在于：在上述步骤4中填孔具体包括以下步骤：(1)去胶渣：利用等离子法去除钻孔时产生的胶渣；(2)化学铜：在槽孔内通过化学作用沉积上一层薄层均匀、具有导电性的化学铜层；(3)电镀铜：在化学铜层表面通过电镀方式镀上一层电镀铜层而形成导通孔(41)。5.根据权利要求1所述的超高电容mems封装载板的制作工艺，其特征在于：在上述步骤4中具体工艺参数为：在机械钻孔中，利用直径0.350mm的uc双刃刀钻刀，进刀速速控制在1.2m/min以下、回刀速度控制在15m/min以下，在转速为90-120kprm/min条件下，钻出直径为0.350mm的孔；在镭射钻孔中，脉宽为5-12ms、能量2-7mj、发数3-4个以及mask为1.5-2.5，镭射孔的孔径为75-120μm；在填孔中，孔的纵横比控制在0.8:1以上，凹陷度控制在20μm以下，铜厚公差为
±
20％。6.根据权利要求1所述的高耐压mems封装载板的制作工艺，其特征在于：在上述步骤5外层线路具体包括以下步骤：(1)前处理：利用含有双氧水的清洗液对埋容四层板(40)进行清洗，再利用硫酸溶液对第一铜箔层(12)和第四铜箔层(23)表面进行粗化；(2)压干膜：利用热压的方式将感光干膜贴附于第一铜箔层(12)和第四铜箔层(23)表面上；(3)曝光：使用ldi曝光机将感光干膜中的光敏物质进行聚合反应，从而使设计的图形转移到感光干膜上；(4)显影：利用显影液与未曝光干膜的皂化反应，将其去除；(5)蚀刻：通过蚀刻机将氯化铜药水喷洒在铜面上，利用药水与铜的化学反应，对未被干膜保护的铜面进行蚀刻，形成线路；(6)褪膜：通过褪膜机将naoh或koh药水喷淋在板面上，利用药水与干膜的化学反应将干膜去除，完成外层线路的制作，得到具有外层线路的埋容四层板(40)；
(7)aoi：aoi系统对照蚀刻后外层线路与原始的设计线路之间的差异，对铜面上的外层线路进行检验。7.根据权利要求1所述的高耐压mems封装载板的制作工艺，其特征在于：在上述步骤6阻焊中具体包括以下步骤：(1)前处理：将蚀刻后埋容四层板(40)的铜面氧化物去除，经微蚀作用后酸洗再烘干；(2)网印和预烘烤：通过丝网印刷将绿油均匀的涂覆于第一铜箔层(12)和第四铜箔层(23)表面，并通过预烘烤使其局部固化；(3)曝光：通过ldi曝光机来定义绿漆开窗部位，利用紫外线照射，使感光部分聚合键结、结构加强；(4)显影：以显影液将未曝光的感光油墨溶解去除达到显影目的；(5)后烘烤和uv固化：利用热烤结合uv固化设备加速热聚反应使绿漆完全反应，进一步键结及强化，形成稳定的网状结构，使防焊油墨层(42)彻底固化，达到一定的抗物性和耐化性。8.一种高耐压mems封装载板，其特征在于：所述封装载板通过如权利要求1-7中任一项所述的制作工艺制备而成。9.根据权利要求8所述的高耐压mems封装载板，其特征在于：包括依次设置的第一铜箔层(12)、第一电容层(11)、第二铜箔层(13)、pp层(30)、第三铜箔层(22)、第二电容层(21)和第四铜箔层(23)，且所述第一铜箔层(12)和第四铜箔层(23)上覆盖一层防焊油墨层(43)，所述第一铜箔层(12)与第三铜箔层(22)之间设有导通孔(41)。

技术总结
本发明涉及一种高耐压MEMS封装载板及其制作工艺，所述制作工艺包括如下步骤：开料、内层线路：进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理、压合、机械钻孔、镭射钻孔及填孔、外层线路：进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理、阻焊和成型；通过上述制作工艺得到的埋容四层板具有相互串联的双层电容层，因此解决了使用超高电容密度材料造成成品PCB存在耐电压不足而导致击穿短路的风险，增强PCB的耐高压能力、极大增强了产品信耐性能力。增强了产品信耐性能力。增强了产品信耐性能力。


技术研发人员：马洪伟 刘浩
受保护的技术使用者：江苏普诺威电子股份有限公司
技术研发日：2021.11.30
技术公布日：2022/3/18