晶片清洗装置的制作方法

1.本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种晶片清洗装置。


背景技术：

2.现有的晶片在经过cmp(chemical mechanical polishing，化学机械抛光)工艺之后，通常需要将需要安排一道对晶片进行清洗的工艺，以去除经cmp工艺后的晶片的表面残留的异物。
3.现有是通过向晶片表面喷射di water(等离子水)等液体，以非接触的方式去除晶片表面残留的异物。但是该方法清洗效果差，严重影响半导体器件的电学性能。


技术实现要素：

4.为解决上述问题，本发明提供的晶片清洗装置，通过设置第一驱动件和第二驱动件驱动清洁件对晶片进行清洗，提高了清洗效果和清洗效率。
5.本发明提供一种晶片清洗装置，包括：储液槽、第一驱动件、第二驱动件和清洁件；
6.所述储液槽装有浸泡液，所述第一驱动件与所述清洁件连接，所述第一驱动件用于驱动所述清洁件在第一工位和第二工位之间进行位置切换；
7.在所述清洁件位于所述第一工位时，所述清洁件浸泡在所述浸泡液中；
8.在所述清洁件位于所述第二工位时，所述清洁件在所述第一驱动件的带动下脱离所述浸泡液，所述第二驱动件通过驱动清洁件对晶片进行清洗。
9.可选地，所述第一驱动件包括：升降杆；
10.所述升降杆的一端与所述储液槽连接，所述升降杆的另一端与所述清洁件连接。
11.可选地，所述第二驱动件用于驱动所述清洁件转动，所述第二驱动件与所述清洁件连接。
12.可选地，所述清洁件包括：刷体和固定设置在所述刷体表面的刷毛；
13.所述刷体的形状为圆柱型，所述刷体与所述第二驱动件的输出轴固定连接，所述刷体的中心轴与所述浸泡液的上表面平行。
14.可选地，所述刷毛固定设置在所述刷体周侧的表面。
15.可选地，所述升降杆的数量为两个；
16.两个升降杆分别位于所述清洁件的两侧并分别与所述清洁件转动连接。
17.可选地，所述晶片清洗装置还包括：供料机构；
18.所述供料机构与所述清洁件连接；
19.所述供料机构用于向所述清洁件提供清洁剂。
20.可选地，所述清洁剂包括：sc-1化学浸泡液、hf溶液或nh4oh溶液；
21.所述浸泡液包括：去离子水。
22.可选地，所述晶片清洗装置还包括：吸盘；
23.所述吸盘位于所述储液槽的上方，所述吸盘用于将晶片移动至第一工位。
24.可选地，所述晶片清洗装置还包括：第三驱动件；
25.所述第三驱动件与所述晶片或所述清洁件连接，所述第三驱动件用于调整所述晶片与所述清洁件在水平方向的位置关系。
26.本发明实施例提供的晶片清洗装置，通过设置第一驱动件能够使清洁件在储液槽中的浸泡液，以使浸泡液对清洁件进行清理，之后带动清洁件脱离储液槽中的浸泡液，并在第二驱动件的驱动下对晶片进行清洗，提高了清洗效果和清洗效率。
附图说明
27.图1为本技术一实施例的对储液槽进行剖视的、清洁件在第二工位的晶片清洗装置的示意性结构图；
28.图2为本技术一实施例的对储液槽进行剖视的、清洁件在第一工位的晶片清洗装置的示意性结构图。
29.附图标记
30.1、储液槽；11、浸泡液；2、第一驱动件；21、升降杆；3、清洁件；31、刷体；32、刷毛；4、供料机构；5、吸盘；6、晶片。
具体实施方式
31.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
32.结合图1和图2，本发明提供一种晶片清洗装置，包括：工作台、储液槽1、第一驱动件2、第二驱动件和清洁件3。
33.其中，储液槽1固定设置于工作台上；储液槽1装有浸泡液11，在本实施例中浸泡液11为去离子水；第一驱动件2用于驱动清洁件3在第一工位和第二工位之间进行位置切换，在本实施例中，第一驱动件2包括：升降杆21，且升降杆21的数量为两个；两个升降杆21分别位于清洁件3的两侧并分别与清洁件3转动连接，两个升降杆21的底端均与储液槽1的底部连接，两个升降杆21的顶端均与清洁件3连接；如此通过升降杆21的伸缩能够带动清洁件3在第一工位和第二工位之间往复移动，从而使得清洁件3在不需要对晶片6进行清理时，由升降杆21收缩将清洁件3移动至浸泡液11中，即第一工位，使得清洁件3充分与浸泡液11接触，以对清洁件3进行湿润。而当清洁件3需要对晶片6进行清理时，由升降杆21伸长带动清洁件3脱离浸泡液11并对晶片6需要清理的表面进行清理，即第二工位，使得经浸泡液11清理后的清洁件3能够继续对晶片6进行清理。
34.清洁件3包括：刷体31和固定设置在刷体31周侧表面的刷毛32。其中，刷体31的形状为圆柱型。第二驱动件用于驱动刷体31沿其中心轴转动。在本实施例中，第二驱动件为马达，刷体31与第二驱动件的输出轴固定连接，刷体31的中心轴与浸泡液11的上表面平行。
35.晶片清洗装置通过设置第一驱动件2能够使刷毛32在储液槽1中的湿润后，在第二驱动件的驱动下对晶片6进行旋转式的清洗，从而提高了清洗效果和清洗效率。
36.在本实施例中，晶片清洗装置还包括：供料机构4。其中，供料机构4用于向清洁件3
提供清洁剂，清洁剂包括：sc-1化学浸泡液11、hf溶液或nh4oh溶液；供料机构4的输料管与刷体31连接。在清洁件3在第二工位对晶片6进行旋转清洗时，供料机构4通过输料管向刷体31传送清洁剂，清洁剂通过刷体31传递至刷毛32上，从而对晶片6上的异物进行清理，进而提高晶片清洗装置的清洗效果。
37.在一种可选的实施例中，晶片清洗装置还包括：吸盘5和第三驱动件。
38.其中，吸盘5位于储液槽1的上方，吸盘5用于将经过cmp之后的晶片6移动至第一工位，且使晶片6需要清理的表面朝向下；第三驱动件与晶片6或清洁件3连接，且第三驱动件用于调整晶片6与清洁件3在水平方向的位置关系。
39.具体的，第三驱动件可以用于驱动清洁件3相对于晶片6平移、在水平面内旋转或是在水平面内摇摆，以对晶片6需要清理的表面进行清理；驱动件也可以用于驱动晶片6相对于清洁件3平移、在水平面内旋转或是在水平面内摇摆，以清洁件3对晶片6需要清理的表面进行清理。
40.在本实施例中，第三驱动件可以用于驱动清洁件3相对于晶片6平移，以对晶片6需要清理的表面进行清理。具体的，第三驱动件为电动推杆，电动推杆的机壳与储液槽1固定连接；电动推杆的输出轴水平与对应的升降杆21固定连接；升降杆21的底端与储液槽1的底壁滑移连接；如此在升降杆21经清洁件3移动至第二工位时，电动推杆通过水平往复移动升降杆21，带动清洁件3在水平面上往复平移，从而对晶片6需要清理的表面的不同位置进行清理。
41.以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。