一种器件封装结构与电子设备的制作方法

1.本技术涉及器件封装技术领域，具体而言，涉及一种器件封装结构与电子设备。


背景技术：

2.在器件投入产品前，需要对器件进行封装。传统基站大通流防护类产品都采用涂粉或者套壳灌环氧工艺的方式实现封装。
3.然而，涂粉或者套壳环氧工艺在形成后期产品时，普遍存在外形不规则，体积大，装配难度大的问题，不利于基站大通流防护类产品的小型化与微型化发展，例如，采用套壳环氧工艺进行封装时，套设的外壳厚度远大于内部芯片的厚度。
4.综上，现有技术中存在器件封装后的体积较大的问题。


技术实现要素：

5.本技术的目的在于提供一种器件封装结构与电子设备，以解决现有技术中存在的器件封装后的体积较大的问题。
6.为了实现上述目的，本技术实施例采用的技术方案如下：
7.一方面，本技术实施例提供了一种器件封装结构，所述器件封装结构包括芯片组件、上金属片以及封装框架，所述封装框架包括焊接脚与框架本体，所述芯片组件安装于所述框架本体，所述芯片组件的顶部与所述上金属片连接，所述焊接脚与所述上金属片连接，并用于支撑所述上金属片；其中，
8.所述焊接脚的顶面与所述芯片组件的顶面位于同一平面。
9.可选地，所述框架本体包括下金属片，所述下金属片与所述芯片组件的底部连接，其中，
10.所述焊接脚的高度等于所述芯片组件与所述下金属片的高度之和。
11.可选地，所述焊接脚包括第一焊接脚与第二焊接脚，所述第一焊接脚与所述第二焊接脚均与所述上金属片连接。
12.可选地，所述第一焊接脚与所述第二焊接脚分别与所述上金属片的两端连接。
13.可选地，所述第一焊接脚与所述第二焊接脚均与竖直方向成锐角设置，且所述第一焊接脚与所述第二焊接脚的底部的宽度小于顶部的宽度。
14.可选地，所述器件封装结构还包括焊片，所述焊片位于所述上金属片与所述焊接脚之间，且所述上金属片与所述焊接脚通过所述焊片焊接。
15.可选地，所述芯片组件包括多个芯片层与焊料层，相邻两个芯片层之间通过焊料层连接，所述芯片层包括芯片或铜片，且位于最顶层的芯片层还通过所述焊料层与所述上金属片连接，位于最底层的芯片层还通过所述焊料层与所述框架本体连接。
16.可选地，所述芯片组件包括单个芯片层与焊料层，所述芯片层包括芯片或铜片，所述芯片层的顶面通过所述焊料层与所述上金属片连接，所述芯片层的底面通过所述焊料层与所述框架本体连接。
17.可选地，器件封装结构还包括塑封体，所述塑封体包裹所述封装框架与所述上金属片。
18.另一方面，本技术实施例还提供了一种电子设备，所述电子设备包括上述的器件封装结构。
19.相对于现有技术，本技术具有以下有益效果：
20.本技术提供了一种器件封装结构与电子设备，该器件封装结构包括芯片组件、上金属片以及封装框架，封装框架包括焊接脚与框架本体，芯片组件安装于框架本体，芯片组件的顶部与上金属片连接，焊接脚与上金属片连接，并用于支撑上金属片；其中，所述焊接脚的顶面所述芯片组件的顶面位于同一平面。由于本技术提供的框架本体设置有焊接脚，因此可以通过焊接脚对上金属片起到支撑作用，使得焊接脚的顶面所述芯片组件的顶面位于同一平面，芯片组件的高度不会超过焊接脚的高度，整个器件封装结构的布局更加紧凑，尽可能的减小了器件封装结构的厚度，有利于器件封装结构的小型化。
21.为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
22.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
23.图1是现有技术中提供的封装结构的结构示意图。
24.图2是本技术实施例提供的器件封装结构处于第一视角下的剖面示意图。
25.图3是本技术实施例提供的器件封装结构处于第二视角下的剖面示意图。
26.图中：
27.100-器件封装结构；110-芯片组件；120-上金属片；130-封装框架；111-芯片层；112-焊料层；131-焊接脚；1311-第一焊接脚；1312-第二焊接脚；132-框架本体；133-下金属片；140-焊片。
具体实施方式
28.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
29.因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
30.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本技术的
描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
31.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
32.下面结合附图，对本技术的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
33.正如背景技术中所述，现有技术中对传统基站大通流防护类产品都采用涂粉或者套壳灌环氧工艺的方式进行封装，存在外形不规则，体积大，装配难度大的问题。同时，传统焊接都采用打线或者传统框架式焊接工艺，与芯片焊接的铜引线折弯成型多匹配精度差。
34.例如，请参阅图1，图1示出了现有技术中提供的一种封装结构的示意图，其中，该封装结构一般包括上下两个部分，上部分中设置有上电极片，下部分中设置有下电极片，芯片置于上电极片与下电极片之间，在此基础上，封装后的器件厚度为上部分与下部分的厚度之和。可以理解地，一方面，该封装方式需要设置上下两个部分，结构相对复杂。另一方面，为了实现框架与芯片的焊接，需要设置框架中通引线具有一定的弯折，导致占据一定的空间，换言之，上下部分弯折均需占据的一定的空间，导致封装结构厚度较大，不利于封装结构的小型化。
35.有鉴于此，为了解决上述问题，本技术提供了一种器件封装结构，通过在封装框架上设置焊接脚的方式，使器件封装结构更加紧凑，进而减小器件封装结构的厚度，利于器件封装结构的小型化。
36.下面对本技术提供的器件封装结构进行示例性说明：
37.作为一种可选的实现方式，请参阅图2与图3，器件封装结构100包括芯片组件110、上金属片120以及封装框架130，封装框架130包括焊接脚131与框架本体132，芯片组件110安装于框架本体132，芯片组件110的顶部与上金属片120连接，焊接脚131与上金属片120连接，并用于支撑上金属片120；其中，焊接脚131的顶面与芯片组件110的顶面位于同一平面。
38.一方面，通过设置焊接脚131，使得上金属片120可以直接与焊接脚131连接，无须使用现有技术中传统的框架，即无须使用图1中所示的传统的上部分框架，减小了该封装结构的占据空间。换言之，传统的封装结构的厚度受上部分结构、下部分结构累计弯折度影响，而本技术提供的器件封装结构100的厚度只会下部分结构的累计弯折度影响，显然地，本技术提供的器件封装结构100的厚度可以明显降低。另一方面，焊接脚131的顶面与芯片组件110的顶面位于同一平面，使得焊接脚131的顶端与芯片组件110齐平，布局相对紧凑，不会增加多余厚度，且上金属片120可以直接作为上电极片，即器件封装结构100的内部的顶面为一平整的平面，因此其占据体积可以明显降低，实现器件封装结构100的小型化。
39.作为一种实现方式，框架本体132包括下金属片133，下金属片133与芯片组件110的底部连接，其中，焊接脚131的高度等于芯片组件110与下金属片133的高度之和。通过该实现方式，使得焊接脚131的高度能够刚好满足芯片组件110的高度要求，布局紧凑，不会出
现多余的高度，尽可能的降低器件封装结构100的厚度。
40.其中，为了增强焊接脚131与上金属片120之间连接的稳定性，焊接脚131包括第一焊接脚1311与第二焊接脚1312，第一焊接脚1311与第二焊接脚1312均与上金属片120连接。即通过两个支撑点的方式，实现与上金属片120之间的连接，稳定性更强。
41.为了进一步保证焊接脚131与上金属片120之间连接的稳定性，第一焊接脚1311与第二焊接脚1312分别与上金属片120的两端连接。例如，第一焊接脚1311与上金属片120的左端连接，第二焊接脚1312与上金属片120的右端连接。
42.并且，器件封装结构100还包括焊片140，焊片140位于上金属片120与焊接脚131之间，且上金属片120与焊接脚131通过焊片140焊接。即本技术提供的封装框架130设置有两个焊接脚131，两个焊接脚131可以用于与上电极片进行焊接，进而无须使用现有技术中较为复杂的框架结构，减小器件封装结构100的厚度，便于做到器件封装结构100的小型化。通过实际应用测试结果验证，现有技术中提供的封装结构的厚度一般在4.5mm以上，而本技术提供的器件封装结构100的厚度可以降低到3mm以内，有利于实现器件封装结构100的小型化。
43.并且，为了增大第一焊接脚1311、第二焊接脚1312与上金属片120的接触面积，第一焊接脚1311与第二焊接脚1312均与竖直方向成锐角设置，且第一焊接脚1311与第二焊接脚1312的底部的宽度小于顶部的宽度。通过改实现方式，使得在第一焊接脚1311、第二焊接脚1312用于上金属片120连接的端部能够方便进行弯折，并利用面积较大的弯折部与上金属片120实现焊接，稳定性更强。
44.需要说明的是，本技术并不对芯片组件110中芯片的数量进行限定，其可以为单芯片组件，也可以为多芯片组件。当芯片组件110为多芯片组件时，芯片组件110包括多个芯片层111与焊料层112，多个芯片层111逐层设置，相邻两个芯片之间通过焊料层112连接，每个芯片层111包括芯片或铜片，且位于最顶层的芯片层111还通过焊料层112与上金属片120连接，位于最底层的芯片层111还通过焊料层112与框架本体132连接。
45.如图2所示，图2中芯片组件110即为多芯片组件，其包括4层芯片层111，在此基础上，芯片与铜片可以任意组合，例如，4层芯片层111中均为芯片，或者，4层芯片层111中，第一层为芯片、第二层为铜片、第三层为芯片、第四层为铜片。或者，第一层为铜片、第二层为芯片、第三层为芯片、第四层为芯片，在此不做限定。
46.当芯片组件110为单芯片组件时，芯片组件110包括单个芯片层111与焊料层112，芯片层111可以为芯片或铜片，芯片层111的顶面通过焊料层112与上金属片120连接，芯片层111的底面通过焊料层112与框架本体132连接。
47.当然地，器件封装结构100还包括塑封体，塑封体包裹封装框架130与所述上金属片120，在此不做赘述。
48.基于上述实现方式，本技术实施例还提供了一种器件封装结构的制作方法，包括以下步骤：
49.步骤一，先把上金属片放置烧结治具中，后放上焊料与芯片(根据产品要求不同，选择单芯片或者多个芯片，每个芯片之间均需要焊料连接)；
50.步骤二，放置上电极片与框架连接处焊片，分体式框架以软焊料的形式将上电极片与焊接脚焊接在一起；
51.步骤三，放置框架本体，将装好产品的治具传送至真空烧结炉中进行烧结；
52.步骤四，产品烧结后，使用环氧塑封对产品进行热固性模具塑封固化，形成塑封体。
53.步骤五，产品切筋分散，表面处理，测试打印编带。
54.基于上述实现方方式，本技术实施例还提供了一种电子设备，该电子设备包括上述的器件封装结构，在此不做赘述。
55.综上所述，本技术提供了一种器件封装结构与电子设备，该器件封装结构包括芯片组件、上金属片以及封装框架，封装框架包括焊接脚与框架本体，芯片组件安装于框架本体，芯片组件的顶部与上金属片连接，焊接脚与上金属片连接，并用于支撑上金属片；其中，所述焊接脚的顶面所述芯片组件的顶面位于同一平面。由于本技术提供的框架本体设置有焊接脚，因此可以通过焊接脚对上金属片起到支撑作用，使得焊接脚的顶面所述芯片组件的顶面位于同一平面，芯片组件的高度不会超过焊接脚的高度，整个器件封装结构的布局更加紧凑，尽可能的减小了器件封装结构的厚度，有利于器件封装结构的小型化。
56.以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
57.对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其它的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。