一种有机物清洁及残留检测装置的制作方法

1.本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种有机物清洁及残留检测装置。


背景技术：

2.在有机发光二极管显示器（organic light-emitting diode，简称oled）等生产制作过程中，需要利用蒸镀工艺将有机发光材料蒸镀到基板上，其中，坩埚以及掩模板（mask）会直接参与有机材料的工艺流程。在蒸镀使用后，需进行去有机物的清洗才能再使用，为了确保坩埚或掩模板可以被再次使用，需要进行检测，以便确定是否存在有机材料的残留。
3.现有有机物残留检测，通常是由人工手持紫外光灯（uv）直接照射物体，然后肉眼根据有无荧光反应完成判断，此方法对于操作人员会有眼睛及皮肤暴露在紫外光损伤的危险。另外肉眼判断也存在主观性，难以量化判定，且坩埚或掩模板狭缝中的有机物往往难以被检出，导致判断清洗有机物完成与否，变得十分困难，另外清洗后的坩埚或掩模板的存放也亦被环境中的particle（颗粒）污染，如未被检出就被生产使用将造成产品寿命降低，显示效果变差，良率低下。
4.为此，我们提出通过设置紫外光（可调节功率或照度）实现对坩埚或掩模板进一步的清洁，利用检测有机物裂解产物含量以替代人工检测的方式量化判断坩埚或掩模板的洁净程度；同时设计的装置可供坩埚或掩模板的长期存放，可避免particle的二次污染的有机物清洁及残留检测装置来解决上述问题。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的在于提供一种能够进一步清洁坩埚或掩模板残留有机物，同时可以避免人工检测方式，可以供坩埚或掩模板长期存放，避免环境particle污染，有利于提升蒸镀良率的有机物清洁及残留检测装置，以解决上述背景技术中提出的问题。
6.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种有机物清洁及残留检测装置，包括密闭腔体以及控制模块，所述密闭腔体内可容纳至少一个坩埚或掩模板；
7.所述密闭腔体内设有紫外光灯以及漫反射板，所述密闭腔体内通入气体，且密闭腔体上连接有用于通入气体的进气端且连接有用于排出气体的出气端，所述进气端位于密闭腔体的上部，且进气端上设有检测进气的水分含量的水百分比传感器ⅰ以及管路控制阀ⅰ，所述出气端位于密闭腔体的下部，且出气端上设有检测腔体出气的水分含量的水百分比传感器ⅱ以及管路控制阀ⅱ。
8.所述密闭腔体内的紫外光灯至少设有一颗，且密闭腔体内的漫反射板至少设有一个，所述紫外光灯的紫外光灯照度可调节，且紫外光灯选用波长为254nm或者185nm的紫外线杀菌灯，根据如下裂解的原理：
9.cxhyozn
ꢀ→ꢀ
h2o co2 no
…
10.由于有机物受紫外光照射c-h键破坏后裂解成h2o、co2、no等气体产物，能够有效的实现有机物的清洁。
11.所述漫反射板的位置可调，调节漫反射板的位置，方便紫外光覆盖工件全部位置，方便紫外光照射在工件表面，对工件进行杀菌清洁；
12.所述密闭腔体内通入的气体为干燥空气或氮气，所述进气端上的水百分比传感器ⅰ以及出气端上的水百分比传感器ⅱ为co2气体传感器或no气体传感器。
13.密闭腔体内通入的干燥空气或氮气，可将有机物分解气体产物带出，形成的不饱和环境可加快残留有机物的分解，便于工件的杀菌清洁，水百分比传感器ⅰ以及水百分比传感器ⅱ的设置为了检测进气以及出气的水分含量，有机物在裂解后，出气端水分百分比要比进气端的水分百分比高，说明有机物受紫外光照射c-h键破坏后裂解成h2o、co2、no等气体产物，实现有机物的清洁；
14.所述密闭腔体内通入的气体流向为从密闭腔体上端进气且从密闭腔体下端排气。
15.所述控制模块用于水百分比传感器ⅰ以及水百分比传感器ⅱ的数据及分析计算，且控制模块用于控制紫外光灯的照度。
16.一种有机物清洁及残留检测装置的检测方法，包括如下内容：
17.s1、物体即坩埚或掩模板进入密闭腔体后，将腔体密闭，通入气体，将紫外光灯开启，开始阶段进气端上的水百分比传感器ⅰ及出气端上的水百分比传感器ⅱ不工作，待气体通入时间达到预设定时间后，进气端上的水百分比传感器ⅰ及出气端上的水百分比传感器ⅱ开始工作，检测进气及排气中水百分比值，控制模块接收传感器数值并计算，数据处理方式为：
18.差值=出气端水百分比-进气端水百分比；
19.s2、设定一阈值，表明有机物残留量，结果判断方式为：
20.差值＜阈值，则表明物料清洁；
21.差值＞阈值，则表明物料洁净度不佳，有机物残留超出规格。
22.所述步骤s1中密闭腔体内通入气体的水分、二氧化碳得百分比含量稳定且为固定值时，只需在出气端上设置水百分比传感器ⅱ，控制模块数据处理为：
23.差值=出气端水百分比-固定值；
24.差值＜阈值，则表明物料清洁；
25.差值＞阈值，则表明物料洁净度不佳，有机物残留超出规格。
26.本实用新型的技术效果和优点：
27.1、将坩埚或者掩模板放置在密闭腔体内，向着密闭腔体内通入干燥空气或氮气，配合紫外光灯的照射以及漫反射板辅助紫外光覆盖，利用紫外光灯光照射在工件表面，有机物受紫外光照射c-h键破坏后裂解成h2o、co2、no等气体产物，紫外清洁的原理能够有效的实现有机物的清洁，对工件进行杀菌清洁；
28.2、密闭腔体的设计，也可以供坩埚或者掩模板的长期存放，避免环境颗粒杂质的污染，有利于提升蒸镀良率；
29.3、裂解后的水分含量高，检测进气端和出气端水分百分比，即可判断密闭腔体内的坩埚以及掩模板是否被清洁干净，检测有机物是否有残留，采用量化判定坩埚或者掩模板的清洁效果，替代人工检测有机物残留方式，避免了人员的健康危害，提高安全性，提高检测效率、准确性，利用检测有机物裂解产物含量以替代人工检测的方式量化判断坩埚或掩模板的洁净程度。
附图说明
30.图1为本实用新型适用坩埚清洁存放的装置设计图；
31.图2为本实用新型适用掩模板清洁存放的装置设计图；
32.图3为本实用新型的残留物检测判断流程图。
33.图中：1、密闭腔体；2、紫外光灯；3、漫反射板；4、进气端；41、水百分比传感器ⅰ；42、管路控制阀ⅰ；5、出气端；51、水百分比传感器ⅱ；52、管路控制阀ⅱ；100、坩埚；200、掩模板。
具体实施方式
34.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
35.请参阅图1-2，一种有机物清洁及残留检测装置，包括密闭腔体1以及控制模块，所述密闭腔体1内可容纳至少一个坩埚100或掩模板200；
36.所述密闭腔体1内设有紫外光灯2以及漫反射板3，所述密闭腔体1内通入气体，且密闭腔体1上连接有用于通入气体的进气端4且连接有用于排出气体的出气端5，所述进气端4位于密闭腔体1的上部，且进气端4上设有检测进气的水分含量的水百分比传感器ⅰ41以及管路控制阀ⅰ42，所述出气端5位于密闭腔体1的下部，且出气端5上设有检测腔体出气的水分含量的水百分比传感器ⅱ51以及管路控制阀ⅱ52。
37.所述密闭腔体1内的紫外光灯2至少设有一颗，且密闭腔体1内的漫反射板3至少设有一个，所述紫外光灯2的紫外光灯照度可调节，且紫外光灯2选用波长为254nm或者185nm的紫外线杀菌灯，根据如下裂解的原理：
38.cxhyozn
ꢀ→ꢀ
h2o co2 no
…
39.由于有机物受紫外光照射c-h键破坏后裂解成h2o、co2、no等气体产物，能够有效的实现有机物的清洁。
40.所述漫反射板3的位置可调，调节漫反射板3的位置，方便紫外光覆盖工件全部位置，方便紫外光照射在工件表面，对工件进行杀菌清洁；
41.所述密闭腔体1内通入的气体为干燥空气或氮气，所述进气端4上的水百分比传感器ⅰ41以及出气端5上的水百分比传感器ⅱ51为co2气体传感器或no气体传感器。
42.密闭腔体1内通入的干燥空气或氮气，可将有机物分解气体产物带出，形成的不饱和环境可加快残留有机物的分解，便于工件的杀菌清洁，水百分比传感器ⅰ41以及水百分比传感器ⅱ51的设置为了检测进气以及出气的水分含量，有机物在裂解后，出气端5水分百分比要比进气端4的水分百分比高，说明有机物受紫外光照射c-h键破坏后裂解成h2o、co2、no等气体产物，实现有机物的清洁；
43.所述密闭腔体1内通入的气体流向为从密闭腔体1上端进气且从密闭腔体1下端排气。
44.所述控制模块用于水百分比传感器ⅰ41以及水百分比传感器ⅱ51的数据及分析计算，且控制模块用于控制紫外光灯2的照度。
45.请参阅图3，一种有机物清洁及残留检测装置的检测方法，包括如下内容：
46.s1、物体即坩埚100或掩模板200进入密闭腔体1后，将腔体密闭，通入气体，将紫外光灯2开启，开始阶段进气端4上的水百分比传感器ⅰ41及出气端5上的水百分比传感器ⅱ51不工作，待气体通入时间达到预设定时间后，进气端4上的水百分比传感器ⅰ41及出气端5上的水百分比传感器ⅱ51开始工作，检测进气及排气中水百分比值，控制模块接收传感器数值并计算，数据处理方式为：
47.差值=出气端水百分比-进气端水百分比；
48.s2设定一阈值，表明有机物残留量，结果判断方式为：
49.差值＜阈值，则表明物料清洁；
50.差值＞阈值，则表明物料洁净度不佳，有机物残留超出规格。
51.所述步骤s1中密闭腔体1内通入气体的水分、二氧化碳得百分比含量稳定且为固定值时，只需在出气端5上设置水百分比传感器ⅱ51，控制模块数据处理为：
52.差值=出气端水百分比-固定值；
53.差值＜阈值，则表明物料清洁；
54.差值＞阈值，则表明物料洁净度不佳，有机物残留超出规格。
55.在有机发光二极管显示器等生产制作过程中，需要利用蒸镀工艺将有机发光材料蒸镀到基板上，用于蒸镀的坩埚100以及掩模板200存在有机材料的残留，对坩埚100或者掩模板200进行清洁时，将坩埚100或者掩模板200放置在密闭腔体1内，向着密闭腔体1内通入干燥空气或氮气，配合紫外光灯2的照射以及漫反射板3辅助紫外光覆盖，利用紫外光灯2发出波长为波长为254nm或者185nm紫外光照射在工件表面，对工件进行杀菌清洁，紫外清洁的原理为：有机物受紫外光照射c-h键破坏后裂解成h2o、co2、no等气体产物，能够有效的实现有机物的清洁，由于裂解后的水分含量高，检测进气端4和出气端5水分百分比，即可判断密闭腔体1内的坩埚100以及掩模板200是否被清洁干净，检测有机物是否有残留，采用量化判定坩埚100或者掩模板200的清洁效果，提高检测效率、准确性，另外密闭腔体1的设计，也可以供坩埚100或者掩模板200的长期存放，避免环境颗粒杂质的污染，有利于提升蒸镀良率。
56.最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。