一种P型沟道氮化镓器件的制作方法

技术特征：
1.一种p型沟道氮化镓器件，其特征在于，包括：氮化镓衬底；氮化镓铝缓冲层，位于所述氮化镓衬底的表面；p型氮化镓层，位于所述氮化镓铝缓冲层远离所述氮化镓衬底的表面；高阻掺杂区，位于所述p型氮化镓层远离所述氮化镓铝缓冲层的表面，其中，所述高阻掺杂区的电阻率大于所述p型氮化镓层的非掺杂区的电阻率，且所述高阻掺杂区的掺杂深度小于所述p型氮化镓层的厚度；栅极，位于所述高阻掺杂区的p型氮化镓层远离所述氮化镓铝缓冲层的表面，所述高阻掺杂区在所述氮化镓衬底的投影位于所述栅极在所述氮化镓衬底的投影之内；源极和漏极，位于所述非掺杂区的p型氮化镓层远离所述氮化镓铝缓冲层的表面。2.根据权利要求1所述的p型沟道氮化镓器件，其特征在于，所述高阻掺杂区包括氢元素高阻掺杂区和/或，氧元素高阻掺杂区。3.根据权利要求1所述的p型沟道氮化镓器件，其特征在于，所述p型氮化镓层远离所述氮化镓铝缓冲层的表面设置有凹槽，所述凹槽的深度小于所述p型氮化镓层的厚度；所述高阻掺杂区位于所述凹槽的底面，其中，所述高阻掺杂区的掺杂深度小于所述凹槽的底面和所述p型氮化镓层邻近所述氮化镓铝缓冲层的表面之间的垂直距离。4.根据权利要求1所述的p型沟道氮化镓器件，其特征在于，还包括介质层，所述介质层位于所述p型氮化镓层远离所述氮化镓衬底的一侧，且所述介质层在所述氮化镓衬底的投影与所述源极和所述漏极在所述氮化镓衬底的投影无交叠，所述栅极位于介质层远离所述p型氮化镓层一侧的表面。5.根据权利要求1所述的p型沟道氮化镓器件，其特征在于，所述源极包括第一欧姆接触金属层和第一导电层；所述第一欧姆接触金属层位于所述p型氮化镓层远离所述氮化镓衬底的一侧；所述第一导电层位于所述第一欧姆接触金属层远离所述p型氮化镓层一侧的表面；和/或，所述漏极包括第二欧姆接触金属层和第二导电层；所述第二欧姆接触金属层位于所述p型氮化镓层远离所述氮化镓衬底的一侧；所述第二导电层位于所述第二欧姆接触金属层远离所述p型氮化镓层一侧的表面。

技术总结
本实用新型实施例提供了一种P型沟道氮化镓器件。该P型沟道氮化镓器件包括：氮化镓衬底；氮化镓铝缓冲层，位于氮化镓衬底的表面；P型氮化镓层，位于氮化镓铝缓冲层远离氮化镓衬底的表面；高阻掺杂区，位于P型氮化镓层远离氮化镓铝缓冲层的表面，其中，高阻掺杂区的电阻率大于P型氮化镓层的非掺杂区的电阻率，且高阻掺杂区的掺杂深度小于P型氮化镓层的厚度；栅极，位于高阻掺杂区的P型氮化镓层远离氮化镓铝缓冲层的表面，高阻掺杂区在氮化镓衬底的投影位于栅极在氮化镓衬底的投影之内；源极和漏极，位于非掺杂区的P型氮化镓层远离氮化镓铝缓冲层的表面。本实用新型实施例提供的技术方案实现了一种增强型的P型沟道氮化镓器件。方案实现了一种增强型的P型沟道氮化镓器件。方案实现了一种增强型的P型沟道氮化镓器件。


技术研发人员：张元雷 王玉丛 李帆 赵胤超 刘雯
受保护的技术使用者：西交利物浦大学
技术研发日：2021.08.20
技术公布日：2022/3/15