扇出式堆叠芯片的封装方法及封装结构与流程

技术特征：
1.一种扇出式堆叠芯片的封装方法，其特征在于，所述方法包括：将第一芯片固定在假片上的槽体内；将第二芯片与所述第一芯片进行混合键合，所述第二芯片在所述假片上的正投影与所述假片重合；将所述假片与所述第二芯片分离，并在所述第二芯片朝向所述第一芯片的表面、以及在所述第一芯片的外侧形成多个导电凸柱；形成第一塑封层，所述第一塑封层包裹所述第一芯片和所述多个导电凸柱；形成第二塑封层，所述第二塑封层包裹所述第一芯片、所述第二芯片和所述第一塑封层；在所述第一芯片和所述第一塑封层背离所述第二芯片的表面形成重布线层，所述重布线层通过所述多个导电凸柱与所述第二芯片电连接。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一芯片朝向所述第二芯片的表面设置有第一钝化层和第一金属焊盘，所述第二芯片朝向所述第一芯片的表面设置有第二钝化层和第二金属焊盘；所述将第二芯片与所述第一芯片进行混合键合，包括：将所述第一芯片的第一钝化层与所述第二芯片的所述第二钝化层键合；以及，将所述第一芯片的第一金属焊盘与所述第二芯片的所述第二金属焊盘键合。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将第二芯片与所述第一芯片进行混合键合之前，所述方法还包括：在所述假片和所述第一芯片的第一表面形成粘合胶，并使得部分所述粘合胶填充至所述假片和所述第一芯片之间的缝隙中；将所述第一芯片的第一表面的粘合胶完全去除，同时保留部分所述假片表面的粘合胶，以露出所述第一芯片的所述第一钝化层和所述第一金属焊盘。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述第二塑封层，包括：将所述第一塑封层背离所述第二芯片的一侧进行减薄，露出所述多个导电凸柱，以使所述第一塑封层与所述第一芯片的第二表面齐平；将减薄后的所述第一塑封层和所述第一芯片的第二表面固定到临时载板上，之后形成所述第二塑封层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第一芯片和所述第一塑封层背离所述第二芯片的表面形成重布线层，包括：将所述第一芯片和所述第一塑封层与所述临时载板分离；在所述第一芯片和所述第一塑封层背离所述第二芯片的表面形成介电层；图形化所述介电层，在所述图形化后的介电层上形成重布线层；图形化所述重布线层，在所述图形化后的重布线层上形成焊球。6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述第一芯片的第一表面凸出于所述假片的表面。7.一种扇出式堆叠芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括第一芯片、第二芯片、多个导电凸柱、混合键合结构、第一塑封层、第二塑封层和重布线层；所述第二芯片通过所述混合键和结构堆叠设置在所述第一芯片上；
所述多个导电凸柱设置在所述第二芯片朝向所述第一芯片的一侧，并且设置在所述第一芯片的外侧；所述第一塑封层包裹所述第一芯片和所述多个导电凸柱；所述第二塑封层包裹所述第一芯片、所述第二芯片和所述第一塑封层；所述重布线层设置在所述第一芯片和所述第一塑封层背离所述第二芯片的表面，所述重布线层通过所述多个导电凸柱与所述第二芯片电连接。8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述混合键合结构包括设置在所述第一芯片朝向所述第二芯片的表面的第一钝化层和第一金属焊盘、以及设置在所述第二芯片朝向所述第一芯片的表面的第二钝化层和第二金属焊盘；所述第一钝化层和所述第二钝化层键合连接，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘键合连接。9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括介电层和焊球；所述介电层设置在所述第二塑封层和所述第一芯片背离所述第二芯片的表面，所述介电层上设置有所述重布线层，所述焊球设置在所述重布线层上。10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述导电凸柱与所述第二金属焊盘相对应。

技术总结
本发明提供一种扇出式堆叠芯片的封装方法及封装结构，该方法包括：将第一芯片固定在假片上的槽体内；将第二芯片与第一芯片混合键合，第二芯片在假片上的正投影与假片重合；将假片与第二芯片分离，在第二芯片朝向第一芯片的表面、以及在第一芯片的外侧形成多个导电凸柱；形成第一塑封层，第一塑封层包裹第一芯片和多个导电凸柱；形成第二塑封层，第二塑封层包裹第一芯片、第二芯片和第一塑封层；在第一芯片和第一塑封层背离第二芯片的表面形成重布线层，重布线层通过多个导电凸柱与第二芯片电连接。本发明通过晶圆扩展技术进行晶圆级混合键合，实现高密度互连的同时提高生产效率，导电凸柱和重布线层降低了封装尺寸，实现超薄化多层堆叠封装。化多层堆叠封装。化多层堆叠封装。


技术研发人员：杜茂华
受保护的技术使用者：通富微电子股份有限公司
技术研发日：2021.12.08
技术公布日：2022/3/15