一种减少曝光累积误差的方法与流程

技术特征：
1.一种减少曝光累积误差的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在晶圆片的正面刻蚀刻度；(2)在晶圆片的正面形成标记，首次曝光后记录标记的实际位置坐标(x1，y1)与理论值坐标(x0，y0)进行比对，并计算相应的差值(x1-x0，y1-y0)；(3)针对上述差值，在第二次曝光时进行相应的补偿，从而减少每次的累积误差。2.根据权利要求1所述的一种减少曝光累积误差的方法，其特征在于，还包括步骤(4)在晶圆片的反面刻蚀刻度；以及，步骤(5)在晶圆片的反面形成标记；所述晶圆片反面的刻度和标记用于晶圆键合和划片时无法读取正面图形的情况下，通过读取反面图形进行判读和校准，从而减少叠加误差。3.根据权利要求1所述的一种减少曝光累积误差的方法，其特征在于，步骤(1)在晶圆片的正面刻蚀刻度的工艺，包括如下程序：s1.在晶圆片的表面均匀涂布光刻胶；s2.采用直写式曝光机在晶圆片的表面形成刻度，用于标定；s3.预烘后进行显影；s4.采用蒸发镀膜机在晶圆片的表面沉积金属；s5.湿法去除晶圆片表面的光刻胶；s6.湿法去除晶圆片的表面沉积的金属；s7.采用等离子体干法刻蚀机对刻度进行刻蚀。4.根据权利要求2所述的一种减少曝光累积误差的方法，其特征在于，步骤(4)在晶圆片的反面刻蚀刻度的工艺与步骤(1)在晶圆片的正面刻蚀刻度的工艺相同。5.根据权利要求1所述的一种减少曝光累积误差的方法，其特征在于，步骤(2)在晶圆片的正面形成标记的工艺，包括如下程序：a.在晶圆片的表面均匀涂布光刻胶；b.采用直写式曝光机在晶圆片的表面形成标记；c.预烘后进行显影；d.采用蒸发镀膜机在晶圆片的表面依次镀上100nm厚度的金属au层、20nm厚度的金属cr层；e.湿法去除晶圆片表面的光刻胶。6.根据权利要求2所述的一种减少曝光累积误差的方法，其特征在于，步骤(5)在晶圆片的反面形成标记的工艺与步骤(2)在晶圆片的正面形成标记的工艺相同。7.根据权利要求1所述的一种减少曝光累积误差的方法，其特征在于，所述光刻胶为7510型号的正性光刻胶，所述光刻胶的厚度为3μm；沉积的金属选自ti、al、cr或au中的一种，沉积厚度为100～500nm。8.根据权利要求7所述的一种减少曝光累积误差的方法，其特征在于，沉积的金属为ti，沉积厚度为200nm。9.根据权利要求1所述的一种减少曝光累积误差的方法，其特征在于，湿法去除晶圆片表面的光刻胶的步骤：去胶液清洗10min，异丙醇浸泡20s，甩干机甩3min。10.根据权利要求1所述的一种减少曝光累积误差的方法，其特征在于，采用牛津设备rie刻蚀，刻度的刻蚀深度为3～10μm，优选为5μm。

技术总结
本发明属于半导体芯片微纳加工制造技术领域，具体涉及一种减少曝光累积误差的方法，包括如下步骤：(1)在晶圆片的正面刻蚀刻度；(2)在晶圆片的正面形成标记，首次曝光后记录标记的实际位置坐标(X1，Y1)与理论值坐标(X0，Y0)进行比对，并计算相应的差值(X1-X0，Y1-Y0)；(3)针对上述差值，在第二次曝光时进行相应的补偿，从而减少每次的累积误差。本发明通过在晶圆片的平边制备一个刻度用于多次曝光位置的调整，减少曝光制程多次累积误差；明显减少曝光制程累积误差，提升产品品质。提升产品品质。提升产品品质。


技术研发人员：龚跃武 张晨艳 官盛果 杨山清 涂良成
受保护的技术使用者：中山大学南昌研究院
技术研发日：2021.12.07
技术公布日：2022/3/15