存储器装置及其控制方法与流程

存储器装置及其控制方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年9月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2020-0118171的优先权。该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
技术领域
3.本文描述的实施例大体涉及一种半导体存储器装置及其控制方法，并且更具体地，涉及一种根据温度补偿位线的泄漏电流的方法。


背景技术：

4.传统的半导体存储器装置已经被设计成使用补偿电路来补偿位线泄漏电流，该补偿电路向耦接到位线的感测放大器输出“与绝对温度成正比的”(ptat)电流。然而，由于可以由ptat核心的特征确定ptat电流的斜率，因此可能难以补偿作为温度的函数而指数级增大的位线泄漏电流。


技术实现要素：

5.本发明构思的实施例提供了一种补偿供应至存储器装置的感测放大器的与绝对温度成正比的(ptat)电流，以及基于经过补偿的ptat电流有效地补偿位线泄漏电流的方法。
6.根据示例性实施例，一种存储器装置包括：存储器单元；连接至存储器单元的位线；控制器，其生成至少一个电流控制码；第一电流生成器，其基于来自控制器的至少一个电流控制码生成具有与绝对温度成正比的(ptat)特征的第一电流；第二电流生成器，其被配置为基于来自控制器的至少一个电流控制码生成具有与绝对温度互补的(ctat)特征的第二电流；减法器，其被配置为通过从第一电流中减去第二电流来生成第三电流；以及感测放大器，其被配置为基于第三电流控制将被供应至位线的负载电流，并且生成用于补偿位线的泄漏电流的位线补偿电流。
7.存储器装置还可包括脉冲信号生成器，其将预充电脉冲信号输出至感测放大器，并且脉冲信号生成器可以在控制器的控制下基于第三电流的幅值生成预充电脉冲信号。
8.随着温度升高，控制器可以输出允许第三电流的幅值增大以及允许预充电脉冲信号的脉冲宽度增大的电流控制码。
9.控制器可以生成电流控制码，从而基于第一电流的增量生成第二电流。
10.当温度减小时，控制器可以输出允许第三电流的幅值减小以及允许预充电脉冲信号的脉冲宽度减小的电流控制码。
11.控制器可以生成电流控制码，从而基于第一电流的减量生成第二电流。
12.控制器可以输出电流控制码，以根据存储器装置的温度控制第三电流。
13.第二电流生成器可以执行电流镜操作。
14.存储器单元可包括动态随机存取存储器(dram)单元、静态随机存取存储器(sram)
单元和nand闪速存储器单元中的一个。
15.根据示例性实施例，一种存储器装置的控制方法包括：生成至少一个电流控制码；以及通过使用至少一个电流控制码控制存储器装置。控制存储器装置的步骤包括：基于至少一个电流控制码生成具有与绝对温度成正比的(ptat)特征的第一电流，基于至少一个电流控制码生成具有与绝对温度互补的(ctat)特征的第二电流，通过从第一电流中减去第二电流生成第三电流，基于第三电流控制将被供应至位线的负载电流，以及生成用于补偿位线的泄漏电流的位线补偿电流。
16.所述方法还可包括：生成将被提供至感测放大器的预充电脉冲信号，并且控制存储器装置的步骤还可包括：控制脉冲信号生成器基于第三电流的幅值生成预充电脉冲信号。
17.控制存储器装置的步骤还可包括：当温度升高时，输出允许第三电流的幅值增大以及允许预充电脉冲信号的脉冲宽度增大的电流控制码。
18.控制存储器装置的步骤还可包括：生成电流控制码，从而基于第一电流的增量生成第二电流。
19.控制存储器装置的步骤还可包括：当温度减小时，控制器可以输出允许第三电流的幅值减小以及允许预充电脉冲信号的脉冲宽度减小的电流控制码。
20.控制存储器装置的步骤还可包括：生成电流控制码，从而基于第一电流的减量生成第二电流。
21.控制存储器装置的步骤还可包括：输出电流控制码，以根据存储器装置的温度控制第三电流。
22.可以通过电流镜操作生成第二电流。
23.控制存储器装置的步骤还可包括：控制动态随机存取存储器(dram)单元、静态随机存取存储器(sram)单元和nand闪速存储器单元中的一个。
24.根据示例性实施例，一种存储器装置的控制电路包括：控制器；第一电流生成器，其生成具有与绝对温度成正比的(ptat)特征的第一电流；第二电流生成器，其生成具有与绝对温度互补的(ctat)特征的第二电流；以及预充电脉冲信号生成器，其将预充电脉冲信号输出至电流感测放大器电路；以及控制器，其输出用于控制第一电流的幅值、第二电流的幅值和预充电脉冲信号的宽度的至少一个控制码。
25.控制电路可以基于存储器装置的温度的变化控制第一电流的幅值、第二电流的幅值和预充电脉冲信号的宽度。
26.在另一方面，一种存储器装置包括：存储器单元；位线，其连接至存储器单元；第一电流生成器，其被配置为生成具有与绝对温度成正比的(ptat)特征的第一电流；第二电流生成器，其被配置为生成具有与绝对温度互补的(ctat)特征的第二电流；减法器，其被配置为通过从第一电流中减去第二电流生成第三电流；以及感测放大器，其被配置为基于第三电流控制将被供应至位线的负载电流，以及生成用于补偿位线的泄漏电流的位线补偿电流。
附图说明
27.通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的以上和其它方
面和特征将变得清楚。
28.图1是示出根据本发明构思的示例存储器装置的框图。
29.图2是示出示例信号以及图1的存储器装置内流动的电流的大体的电流相对于温度的曲线图的示图。
30.图3示出根据本发明构思的实施例的存储器装置的电路图。
31.图4是示出用于补偿位线泄漏电流的方法的概念图。
32.图5是示出根据本发明构思的位线泄漏电流、负载电流和第三电流的温度趋势的示图。
33.图6是示出根据本发明构思的第三电流和预充电脉冲信号的趋势的示图。
34.图7是用于描述根据本发明构思的脉冲信号生成器的操作原理的时序图。
35.图8是示出根据本发明构思的存储器装置的控制方法的流程图。
36.图9是示出当温度升高时根据本发明构思的存储器装置的控制方法的流程图。
37.图10是示出当温度降低时根据本发明构思的存储器装置的控制方法的流程图。
38.图11是示出根据本发明构思的实施例的存储器装置的示图。
39.图12是用于描述可应用于根据本发明构思的存储器装置的3d v-nand结构的示图。
具体实施方式
40.在下文中，将参照附图描述本发明构思的操作原理和实施例。在以下描述中，相似的参考字符表示相似的元件或特征，但是可以省略对常规元件的描述。表示为“部件”、“模块”、“构件”和“块”的元件可以用硬件或执行软件的处理电路/逻辑电路来实现。在一些实施例中，多个部件、模块、构件或块用单个元件实现，或者一个部件、模块、构件或块可以包括多个元件。
41.在本详细描述中，当一个部件被称为“连接”到另一部件时，它可以进行“直接连接”，或者通过中间元件和/或“通过无线通信网络连接”进行“间接连接”。
42.另外，除非另有说明，否则当一个部件“包括”一个元件时，还可以包括另一个元件，而不是排除另一个元件的存在。
43.本文中使用术语“第一”、“第二”等来区分一个元件与另一个元件，并且这些元件不限于上述术语。
44.如本文所用，除非上下文另有明确说明，否则单数形式也意图括复数形式。
45.操作中使用的参考字符是为了便于描述，不需要按顺序进行操作。除非上下文明确地指示特定一顺序，否则可以通过与所描述的顺序不同的顺序来执行这种操作。
46.在此，为简洁起见，当首先用名称和图例描述元件或信号时，随后可仅用名称或图例来引用元件或信号。例如，“第一电流i1”可稍后仅被称为“i1”或仅被称为“第一电流”。类似地，“第一码code 1”稍后可仅被称为“code 1”或“第一码”。
47.在此，短语“随温度”或“根据温度”是指“作为温度升高的函数”。例如，被描述为“随温度升高”的电流是随温度升高而升高的电流。
48.图1是根据本发明构思的示例存储器装置100的框图，图2示出了示例信号以及存储器装置100内流动的电流的大体的电流相对于温度的曲线图。参照图1和图2，存储器装置
100可包括控制电路101和存储器单元110。控制电路101可包括位线120、控制器130、第一电流生成器140、第二电流生成器150、计算器160、脉冲信号生成器170和电流感测放大器180。
49.第一电流生成器140可以生成具有与绝对温度成正比的(ptat)特征(或者“ptat电流特征”)的第一电流i1。第二电流生成器150可以生成具有与绝对温度互补的(ctat)特征(或者“ctat电流特征”)的第二电流i2。计算器160可以对第一电流i1和第二电流i2执行计算。脉冲信号生成器170可以生成预充电脉冲信号。
50.存储器单元110是可以以动态随机存取存储器(dram)单元、静态随机存取存储器(sram)单元和nand闪速存储器单元中的一个实施的信息存储元件。
51.在存储器装置100的读取操作期间，位线120可以被预充电，然后可以根据存储器单元110是开启单元(on-cell)还是关闭单元(off-cell)被开发。nand闪速存储器单元可以根据程序划分为开启单元和关闭单元。程序完成之后的存储器单元是开启单元，程序完成之前的存储器单元是关闭单元。开启单元与关闭单元可具有不同的阈电压。
52.控制器130可以控制第一电流生成器140、第二电流生成器150和脉冲信号生成器170。控制器130可以将第一控制信号提供至第一电流生成器140，第一电流生成器140可以基于第一控制信号生成第一电流i1。控制器130可以将第二控制信号提供至第二电流生成器150，第二电流生成器150可以基于第二控制信号生成第二电流i2。控制器130可以将第三控制信号提供至脉冲信号生成器170，脉冲信号生成器170可以基于第三控制信号生成预充电脉冲信号。根据实施例，第一控制信号、第二控制信号和第三控制信号可为码控制信号，并且在假设它们为码控制信号的前提下继续讨论。然而，第一控制信号、第二控制信号和第三控制信号不限于码控制信号，例如，可为电流控制信号或者电压控制信号。
53.控制器130可以生成至少一个电流控制码，其可包括用于生成第一电流i1的第一码“code 1”和用于生成第二电流i2的第二码“code 2”。可以根据存储器装置100的温度确定至少一个电流控制码。例如，当存储器装置100的温度改变时，至少一个电流控制码可以改变。
54.可以经控制路径134将code 1输入至第一电流生成器140，可以经控制路径132将code 2输入至第二电流生成器150。code 1可以确定第一电流i1的幅值，并且code 2可以确定第二电流i2的幅值。可以基于存储器装置100的温度确定code 1和code 2。另外，如稍后将描述的，可以基于根据code 1和code 2确定的第三电流i3的幅值调整预充电脉冲信号的宽度。控制器130可以经控制路径136将控制信号提供至脉冲信号生成器170。
55.第一电流生成器140可以基于code 1生成与绝对温度成比例的(ptat)第一电流。第一电流的幅值与温度成比例。随着存储器装置100的温度升高，第一电流的幅值以正值(或者以正温度系数)增大。也就是说，第一电流示出了作为温度的函数以正斜率增大(随着温度升高)的温度趋势。
56.第二电流生成器150基于第二码code 2生成与绝对温度互补的(ctat)第二电流。第二电流的幅值与存储器装置的温度成反比。随着存储器装置100的温度升高，第二电流的幅值减小。也就是说，第二电流示出了根据温度的升高以负斜率减小的温度趋势。这里，第二电流可为ctat电流或者零电流互感器(ztc)电流。
57.如图2的描述，第一电流生成器140可包括经控制路径134从控制器130接收第一码code 1的第一电流镜cm1，第二电流生成器150可包括经控制路径132接收第二码code 2的
第二电流镜cm2。例如，code 1可为n比特码，code 2可为m比特码，其中n和m分别为1或更大。在一些示例中，n可以等于m，并且在其它示例中可以与m不同。路径134和132中可以分别具有通向对应的电流镜cm1和cm2的n条控制线和m条控制线。电流镜cm1可包括n个下fet和n个上fet。电流镜cm2可包括m个下fet和m个上fet。cm1的n个下fet中的每一个可以在其栅极端子处接收code 1的n比特码中的一比特。cm2的m个下fet中的每一个可以在其栅极端子处接收code 2的m比特码中的一比特。电流镜cm1和cm2分别连接至第一电流生成器140和第二电流生成器150的合适的电路点。
58.在诸如图3所示的其它示例中，可以省略电流镜cm1和cm2中的至少一个，并且code 1和code 2中的至少一个可以分别直接应用于第一电流生成器140和第二电流生成器150中的至少一个。
59.计算器160可以对第一电流和第二电流执行计算。例如，计算器160是从第一电流i1中减去第二电流i2以生成第三电流i3的减法器。注意，第三电流i3可以具有与从计算器160的输出直接流出的电流i3’近似相同的幅值。这是因为电流i3’在节点169分裂为流向脉冲信号生成器170的电流im和电流i3。由于电流im可以比i3’小得多(例如，至少要小一个数量级)，所以i3≈i3’，在下面的讨论中，为了便于描述，第三电流i3可被称为直接从计算器160输出的电流或施加到感测放大器180的电流。
60.下文中，“温度”指存储器装置100的表面的温度，或者在存储器装置100周围的环境的温度。
61.通过减法操作，计算器160可以通过生成第三电流来根据温度补充第一电流的增加。在温度升高的情况下，第一电流的幅值增大，第二电流的幅值减小。在这种情况下，通过从第一电流中减去第二电流获得的电流随着温度增大。通常，随着温度升高，可以减小从位线120泄漏的电流的量。在常规装置中，从位线120泄漏的电流的幅值随温度而增大。然而，随着温度升高，本发明构思的第三电流的幅值可以变得更大，根据本发明构思的存储器装置100可以通过使用第三电流减小从位线120泄漏的电流的量。将参照图8和图9更完全地描述根据本发明构思的存储器装置100减小位线120的泄漏电流的处理。
62.根据本发明构思的脉冲信号生成器170接收基于电流i3’的电流im，并且基于第三电流i3的幅值生成预充电脉冲信号。(如上所述，因为im较小或者可忽略，可以假设i3’与i3的幅值大约相同；因此，可以说电流im基于电流i3)。当存储器装置100的温度升高时，脉冲信号生成器170基于第三电流的幅值生成大宽度的预充电脉冲信号。然而，当存储器装置100的温度降低时，脉冲信号生成器170基于第三电流的幅值生成小宽度的预充电脉冲信号。
63.根据本发明构思的电流感测放大器180接收第三电流和预充电脉冲信号。如上所述，通过使用第二电流补偿第一电流，第三电流可以加剧具有ptat特征的第一电流的电流相对于温度的特征(导致第三电流i3相对于温度的增大的斜率)。结果，随着输入至电流感测放大器180的补偿电流增大并且预充电脉冲信号的宽度被调整，根据本发明构思的存储器装置100可以有效地减小在位线120出现的泄漏电流。
64.在其它实施例中，即使未从控制器130接收码code 1和code 2，第一电流生成器140和第二电流生成器150也被配置为分别生成具有上述斜率特征的第一电流i1和第二电流i2。在这些实施例中，可以省略控制路径132、134和136。
65.图3示出了根据本发明构思的实施例的存储器装置100的电路图。
66.参照图3，第一电流生成器140包括运算放大器141、第一pmos晶体管142、第二pmos晶体管143、第三pmos晶体管147、第一结型晶体管144、第二结型晶体管145和电阻器146。电源电压vdd可以施加于第一pmos晶体管142和第二pmos晶体管143。
67.运算放大器141放大输入电压信号，以生成第一电流。由于电阻器146，发生输入电压信号的电压差，并且放大器141可以放大电压差并且将放大的电压输出至pmos晶体管142、143和147中的每一个的栅极。pmos晶体管142、143和147中的每一个可以基于放大的电压导通或截止。当第三pmos晶体管147基于放大的电压导通时，第一电流生成器140可以输出第一电流i1。在这种情况下，第三pmos晶体管147可以基于来自控制器130的第一控制信号控制第一电流i1的幅值。结型晶体管144和145可以扮演缓冲第一电流并将第一电流传递至第二电流生成器150的角色。详细地，随着结型晶体管144和145缓冲根据温度的升高而增大的第一电流以将其传递至第二电流生成器150，第二电流生成器150可以稳定地输出第二电流。
68.第二电流生成器150接收第一电流和第二控制信号，并且生成与绝对温度互补的(ctat)第二电流i2。第二电流生成器150包括运算放大器151、第四pmos晶体管152、第五pmos晶体管153和等效电阻器“r”。运算放大器151放大结型晶体管144的发射极电压与第四pmos晶体管152的漏极电压之间的电压差，并且将放大的电压输出至pmos晶体管152和153中的每一个的栅极。pmos晶体管152和153中的每一个可以基于放大的电压导通或截止。当第五pmos晶体管153基于放大的电压导通时，第五pmos晶体管153可以将第二电流i2输出至电流镜电路154。电流镜电路154可以执行电流镜像操作，第二电流生成器150可以基于电流镜像操作输出第二电流i2。根据实施例，第二电流生成器150可以在不使用第一电流生成器140的发射极电压的情况下基于第二控制信号生成零电流互感器(ztc)电流。
69.电流镜电路154可以基于从控制器130接收的第二控制信号控制第二电流i2的幅值。电流镜电路154对来自第二电流生成器150的第二电流i2镜像处理，从而第二电流i2传递至计算器160。计算器160接收第一电流i1和第二电流i2，并且生成与通过从第一电流i 1中减去第二电流i2获得的电流相对应的第三电流i3。因此生成的第三电流i3被输入至电流感测放大器180。
70.存储器装置100还可包括电流输入电路162。电流输入电路162可以被包括在计算器160中，但是不限于此。对于示例，电流输入电路162可以被包括在电流感测放大器180中。
71.脉冲信号生成器170通过接收第三电流输入的单元(电路)173接收第三电流。当接收到第三电流时，脉冲信号生成器170将第三电流提供至脉冲信号生成电路172。基于给定参考通过缓冲操作将第三电流输入至脉冲信号生成电路172，并且脉冲信号生成电路172生成脉冲信号(或者预充电脉冲信号)。这里，给定参考可根据第三电流的幅值而变化，并且受温度影响。另外，脉冲信号生成电路172调整通过缓冲操作输出的电流量，并且调整脉冲信号的宽度。当生成脉冲信号时，放大器171放大脉冲信号并将脉冲信号输出至电流感测放大器180。
72.电流感测放大器180可包括信号输入单元(电路)181、比较器182和补偿电流输出单元(电路)183。信号输入单元181接收第三电流和预充电脉冲信号。信号输入单元181可以在预充电脉冲信号的高时段输出基于第三电流的位线补偿电流。具体地，预充电脉冲信号
在预充电脉冲信号的低时段被输入至信号输入单元181，并且在预充电脉冲信号的高时段被保持。然而，预充电脉冲信号的电平可以由于位线泄漏电流而降低。信号输入单元181可以根据第三电流输出位线补偿电流，以补偿降低的电平。比较器182可以基于预充电脉冲信号和第三电流读取感测节点so的电平。例如，感测节点so的电平可为1或0，并且比较器182可以输出数据1或0。补偿电流输出单元183输出位线泄漏电流的补偿电流。
73.图4是示出本发明构思的存储器装置100补偿位线泄漏电流的方法的概念图。为了方便，将统一参照图1至图3进行描述。
74.根据本发明构思的第一电流生成器140和第二电流生成器150分别生成第一电流和第二电流，并且根据本发明构思的计算器160通过从第一电流中减去第二电流生成第三电流(s110)。参照图4，第三电流与温度成正比。这样生成的第三电流被输入至脉冲信号生成器170和电流感测放大器180。
75.脉冲信号生成器170接收第三电流并且基于第三电流的幅值生成将被输入至电流感测放大器180的预充电脉冲信号(s120)。参照图4，脉冲信号生成器170生成的预充电脉冲信号的宽度与温度成正比。也就是说，随着存储器装置100的温度升高，预充电脉冲信号的宽度变大；随着存储器装置100的温度降低，预充电脉冲信号的宽度变小。根据以上描述，在存储器装置100的温度升高的情况下，电流感测放大器180接收大幅值的第三电流和大宽度的预充电脉冲信号，并且有效地补偿位线120的泄漏电流(s130)。另外，可以通过有效地补偿位线120的泄漏电流来提高根据本发明构思的存储器装置100的读取速度。
76.图5示出了根据本发明构思的位线泄漏电流、负载电流和第三电流的温度趋势。这里，第三电流由i3表示。在图5中公开的曲线图中，x轴表示温度，y轴表示电流。
77.参照图5，在给定时段中，强度根据温度的升高而增大并且随后保持在给定电平的开启单元电流ioncell被输入至存储器单元110。这里，将第三电流与开启单元电流ioncell之间的差定义为开启单元裕量ion margin。另外，位线泄漏电流ilkg根据温度的升高而指数地增大。这里，将第三电流与泄漏电流ilkg之间的差定义为关闭单元裕量ioff margin。从图5中能够理解，根据本发明构思的存储器装置100可以通过使用具有ctat特征的第二电流补偿具有ptat特征的第一电流来补偿第三电流的斜率。结果，开启单元裕量ion margin的幅值减小，并且关闭单元裕量ioff margin的幅值增大。随着开启单元裕量ion margin的幅值减小，并且关闭单元裕量ioff margin的幅值增大，相对于温度改变，存储器装置100可以稳定地快速补偿位线泄漏电流，因此，提高了存储器单元110的读取速度。
78.图6示出了根据本发明构思的第三电流和预充电脉冲信号的趋势。在图6公开的曲线图中，x轴表示温度，y轴表示被施加到位线120的电压。在图6中，“tpre”和i3是输入电流感测放大器180的信号输入单元181的信号。详细地说，“tpre”是控制预充电脉冲信号的宽度的信号，“ipch”是预充电脉冲信号，i3是第三电流。另外，“v
1”是断开单元电压，“v
2”是开启单元电压，“v
3”是对应于补偿电流的电压。
79.参照图6，在温度升高至阈值温度t1的情况下，因为从位线120泄漏的电流增大，所以需要增大补偿电流，并且需要针对存储器单元110的关闭单元时序稳定性进一步确保预充电时间。因此，存储器装置100可以生成第三电流(＝iptat
–
ictat)，以补偿高温下出现的位线泄漏电流和预充电时间。另外，在低温下，可以通过减小对于提高存储器单元110的开启单元速度不必须的第三电流i3和预充电时间来提高取决于温度的特征。
80.图7是用于描述根据本发明构思的脉冲信号生成器170的操作原理的时序图。
81.参照图7，当从位线120检测到泄漏电流时，接收到控制预充电脉冲信号的宽度的信号tpre，并且生成预充电脉冲信号。这样，电流感测放大器180可以在时间tsa期间补偿位线泄漏电流，并且可以将均匀的电流供应至处于开启单元状态的存储器单元110。在图7中，“tra”是从接收控制预充电脉冲信号的宽度的信号tpre时开始至补偿位线泄漏电流时的时间。
82.因此，因为输入电压的电平随着存储器装置100的温度升高而增大，所以预充电控制信号vpre的脉冲宽度增大；因为输入电压的电平随着存储器装置100的温度降低而减小，所以预充电控制信号vpre的脉冲宽度减小。
83.图8是示出根据本发明构思的存储器装置100的控制方法的流程图。
84.参照图8，第一电流生成器140生成第一电流(s1001)。这里，第一电流具有ptat特征。因此，第一电流与温度成正比。
85.当生成第一电流时，第二电流生成器150基于存储器装置100的温度生成第二电流(s1002)。这里，第二电流具有用于补偿第一电流的ctat特征。另外，分别基于根据存储器装置100的温度确定的第一码code 1和第二码code 2生成第一电流和第二电流。
86.当生成第二电流时，存储器装置100从第一电流中减去第二电流，以生成第三电流(s1003)。这里，第三电流是用于补偿从位线120泄漏的电流的电流。
87.当生成第三电流时，脉冲信号生成器170基于第三电流生成预充电脉冲信号(s1004)。预充电脉冲信号被生成，使得预充电脉冲信号的宽度随着温度升高而变大并且随着温度降低而变小。
88.通过图8的处理，根据本发明构思的存储器装置100即使在温度改变的情况下也可以生成均匀的位线补偿电流，并且可以根据温度生成预充电脉冲信号。因此，存储器装置100的读取速度可以提高。
89.图9是示出当温度升高时根据本发明构思的存储器装置100的控制方法的流程图。如图9所示，随着温度升高，具有ptat特征的第一电流的幅值与温度成正比地增大(s2001)。
90.随着第一电流增大，具有ctat特征的第二电流的幅值与温度成反比地减小(s2002)。
91.当生成第一电流和第二电流时，存储器装置100从第一电流中减去第二电流，以生成第三电流(s2003)。这里，因为第一电流具有正温度系数和第二电流具有负温度系数，所以随着温度升高，第三电流的正温度系数变得更大。因此，第三电流具有放大的ptat特征。这样，当存储器装置100的温度升高时，第三电流的增量改变大于第一电流的增量改变。
92.当生成第三电流时，脉冲信号生成器170生成预充电脉冲信号。这里，随着温度升高，预充电脉冲信号的脉冲宽度增大(s2004)。
93.当生成脉冲宽度增大的预充电脉冲信号时，电流感测放大器180基于第三电流补偿从位线120泄漏的电流(s2005)。如上所述，在温度升高的情况下，第三电流的幅值可以增大，并且预充电脉冲信号的宽度增大。因此，电流感测放大器180可以有效地补偿增大的位线泄漏电流。
94.图10是示出当温度降低时根据本发明构思的存储器装置100的控制方法的流程图。随着温度降低，具有ptat特征的第一电流的幅值与温度成正比地减小(s3001)。
95.随着第一电流减小，具有ctat特征的第二电流的幅值增大(s3002)。
96.当生成第一电流和第二电流时，存储器装置100从第一电流中减去第二电流，以生成第三电流(s3003)。这里，因为第一电流具有正斜率，第二电流具有负斜率，所以与第一电流相比，当温度降低时，加剧了第三电流的减小。也就是说，第三电流具有放大的ptat特征。这样，当存储器装置100的温度降低时，第三电流的减量改变大于第一电流的减量改变。
97.当生成第三电流时，脉冲信号生成器170生成预充电脉冲信号。这里，随着温度降低，预充电脉冲信号的脉冲宽度减小(s3004)。
98.当生成脉冲宽度减小的预充电脉冲信号时，电流感测放大器180基于第三电流和预充电脉冲信号补偿从位线120泄漏的电流(s3005)。如上所述，在温度降低的情况下，第三电流可以减小，但保持在给定幅值以上，并且预充电脉冲信号的宽度可以减小。因此，电流感测放大器180可以有效地补偿增大的位线泄漏电流。
99.图11是存储器装置300的实施例。参照图11，存储器装置300可包括控制逻辑电路320、存储器单元阵列330、页缓冲器单元(电路)340、电压生成器350和行解码器360。存储器装置300还可包括预解码器、温度传感器、命令解码器、地址解码器等。
100.控制逻辑电路320可以控制存储器装置300的各种操作。控制逻辑电路320可以响应于来自存储器接口电路310的命令cmd和/或地址addr输出各种控制信号。例如，控制逻辑电路320可以输出电压控制信号ctrl_vol、行地址x-addr和列地址y-addr。
101.存储器单元阵列330可包括多个存储器块blk1至blkz(z是整数)，其中的每一个包括多个存储器单元。存储器单元阵列330可通过位线bl与页缓冲器单元340连接，并且可通过串选择线ssl、字线wl和地选择线gsl与行解码器360连接。
102.在示例性实施例中，存储器单元阵列330可包括三维存储器单元阵列，三维存储器单元阵列可包括多个nand串。nand串中的每一个可包括分别与在垂直于衬底的方向上堆叠的存储器单元连接的存储器单元，并且以引用方式并入本文的下面的专利文献描述了三维存储器阵列的合适配置：美国专利no.7,679,133、no.8,553,466、no.8,654,587、no.8,559,235，以及美国专利公开no.2011/0233648。可替换地，存储器单元阵列330可包括二维存储器单元阵列，其包括在行向和列向上排列的多个nand串。
103.页缓冲器单元340可包括多个页缓冲器pb1至pbn(n是3或更大的整数)，多个页缓冲器pb1至pbn可以通过位线bl分别与存储器单元连接。页缓冲器单元340可以响应于列地址y-addr选择位线bl(或位线bl的一部分)。根据操作模式，页缓冲器单元340可以作为写驱动器进行操作，或者可以作为与上述电流感测放大器180相对应的感测放大器进行操作。例如，在编程操作中，页缓冲器单元340可以将与待编程的数据相对应的位线电压施加于选择的位线。在读取操作中，页缓冲器单元340可以通过感测选择的位线的电流或电压来锁存与选择的位线连接的存储器单元的数据。
104.电压生成器350可以基于电压控制信号ctrl_vol生成用于执行编程操作、读取操作和擦除操作的各种电压。例如，电压生成器350可以生成编程电压、读取电压、编程验证电压、擦除电压等作为字线电压vwl。
105.响应于行地址x-addr，行解码器360可以选择字线wl中的一个，并且可以选择串选择线ssl中的一个。例如，行解码器360可以在编程操作中将编程电压/编程验证电压施加于选择的字线，并且可以在读取操作中将读取电压施加于选择的字线。
106.图12是用于描述可应用于根据本发明构思的存储器装置100的3d v-nand结构的示图。在存储器装置100的存储模块以3d v-nand闪速存储器实施的情况下，构成存储模块的多个存储器块中的每一个可由图12所示的等效电路表示。
107.图12所示的存储器块blki指示按照三维结构形成在衬底上的三维存储器块。例如，存储器块blki中包括的多个nand串可以在垂直于衬底的方向上形成。
108.参照图12，存储器块blki可包括连接在位线bl1、bl2和bl3与公共源极线csl之间的多个nand串ns11至ns33。多个nand串ns11至ns33中的每一个可包括串选择晶体管sst、多个存储器单元mc1至mc8和地选择晶体管gst。图12中实施例被示出为多个nand串ns11至ns33中的每一个包括8个存储器单元mc1至mc8，但是本发明构思不限于此。
109.nand串ns11至ns33的串选择晶体管sst可以与串选择线ssl1、ssl2和ssl3连接。nand串ns11至ns33的存储器单元mc1至mc8可以与栅极线gtl1至gtl8连接。栅极线gtl1至gtl8可以用作字线。例如，栅极线gtl1至gtl8的一部分可以用作伪字线。nand串ns11至ns33的地选择晶体管gst可以与地选择线gsl1、gsl2和gsl3连接。nand串ns11至ns33的串选择晶体管sst可以与位线bl1、bl2和bl3连接，nand串ns11至ns33的地选择晶体管gst可以与公共源极线csl连接。
110.相同高度的栅极线(例如，gtl1)可以共同连接(或者相同高度的存储器单元可以与公共栅极线(或字线)连接)，地选择线gsl1至gsl3可以彼此分离，并且串选择线ssl1至ssl 3可以彼此分离。图12中实施例被示出为存储器块blki包括8条栅极线gtl1至gtl8和3条位线bl1至bl3(或者存储器块blki与8条栅极线gtl1至gtl8和3条位线bl1至bl3连接)，但是本发明构思不限于此。
111.可以使用存储可由计算机执行的指令的非暂时性记录介质来实现公开的实施例。指令可以以程序代码的形式被存储，并且可以在由处理器执行时生成程序模块，使得可以执行公开的实施例的操作。记录介质可以实现为计算机可读记录介质。
112.虽然已经参考本发明构思的示例性实施例描述了本发明构思，但是对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在不脱离如权利要求所阐述的本发明构思的精神和范围的情况下，可以对本发明构思进行各种更改和修改。