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一种天山雪莲的再生培养方法与流程

2022-03-15 22:02:31 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种天山雪莲的再生培养方法,包括如下步骤:1)使用赤霉素溶液浸泡天山雪莲种子,培养,得到萌发的天山雪莲种子;2)采用水培的方式培养所述萌发的天山雪莲种子,得到水培苗;3)以所述水培苗的叶片或叶柄作为外植体在愈伤诱导培养基中进行愈伤诱导和分化培养,得到再生苗;4)将所述再生苗在生根培养基中培养,得到天山雪莲再生植株。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤1)中,所述赤霉素溶液的浓度为50-200mg/l;和/或,所述浸泡的条件如下:在黑暗、低温条件下浸泡12-24h;和/或,所述培养的条件如下:在光照强度为2000-3000lx、温度为24-25℃、湿度为50-60%条件下培养3-5天。3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述步骤2)中,所述水培的培养液为ms培养液;和/或,所述ms培养液的浓度为1.10-4.43g/l;和/或,所述ms培养液的ph值为5.6-6.0;和/或,所述水培的条件如下:光照强度为2000-3000lx;光照时间为16h/d;温度为24-25℃;湿度为50-60%;含氧量大于5mg/l;水泵流量为50-350l/h。4.根据权利要求1-3任一所述的方法,其特征在于:所述步骤3)中,所述外植体在进行愈伤诱导和分化培养前还包括消毒的步骤:和/或,所述消毒的方法依次包括如下步骤:自来水冲洗、无菌水冲洗、naclo溶液浸泡、酒精消毒、无菌水洗净;和/或,所述自来水冲洗的时间为1h;和/或,所述无菌水冲洗的次数为3-5次;和/或,所述naclo溶液的浓度为10%;和/或,所述浸泡的时间为5-10min;和/或,所述酒精为75%酒精;和/或,所述消毒的时间为30s。5.根据权利要求1-4任一所述的方法,其特征在于:所述步骤3)中,所述愈伤诱导和分化培养的方法包括如下步骤:3-1)将外植体在愈伤诱导培养基中进行诱导培养,得到愈伤组织;3-2)将所述愈伤组织在继代培养基中进行继代培养,得到丛生芽;3-3)将所述丛生芽在分化培养基中进行分化培养,得到再生苗;所述继代培养基和所述分化培养基均为所述愈伤诱导培养基;所述愈伤诱导培养基中包括naa和6-ba。6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:所述naa在所述愈伤诱导培养基中的浓度为1-2mg/l;和/或,所述6-ba在所述愈伤诱导培养基中的浓度为0.2-2mg/l;和/或,所述3-1)的培养条件如下:在黑暗,温度为24-25℃,湿度为50-60%条件下培养3周;
和/或,所述3-2)的培养条件如下:在黑暗,温度为24-25℃,湿度为50-60%条件下培养2-3周;和/或,所述3-3)的培养条件如下:先在黑暗,温度为24-25℃,湿度为50-60%条件下培养1周,然后在光照强度为500-1000lx,温度为24-25℃,湿度为50-60%条件下培养1周,再在光照强度为2500-3000lx,温度为24-25℃、湿度为50-60%条件下培养2-3周。7.根据权利要求1-6任一所述的方法,其特征在于:所述步骤3)或所述步骤4)之间还包括将所述组培苗在芽诱导培养基中进行芽再诱导培养的步骤;和/或,所述芽诱导培养基包括6-ba;和/或,所述6-ba在所述芽诱导培养基中的浓度为0.5-2mg/l;和/或,所述芽再诱导培养的条件如下:在光照强度为2500-3000lx,温度为24-25℃、湿度为50-60%条件下培养4-5周;和/或,所述步骤4)中,所述生根培养基包括naa;和/或,所述naa在所述生根培养基中的浓度为0.1-0.3mg/l;和/或,所述生根培养的条件如下:在光照强度为2000-3000lx、温度为24-25℃、湿度为50-60%培养3-5周。8.一种天山雪莲的水培养方法,包括权利要求1-7中的步骤1)和步骤2)。或,一种天山雪莲的组织培养方法,包括权利要求1-7中的步骤3)和步骤4)。9.如下a1)-a3)任一种产品:a1)用于天山雪莲水培养的试剂,包括权利要求1-7中任一所述的赤霉素溶液和/或ms培养液;a2)用于天山雪莲组织培养的试剂,包括权利要求1-7中任一所述的愈伤诱导培养基和/或芽诱导培养基和/或生根培养基;a3)用于天山雪莲再生培养的成套试剂,包括权利要求1-7中任一所述的赤霉素溶液和/或ms培养液和/或愈伤诱导培养基和/或芽诱导培养基和/或生根培养基。10.如下b1)-b4)任一种应用:b1)权利要求1-8任一所述的方法或权利要求9所述的产品在培养天山雪莲中的应用;b2)权利要求1-8任一所述的方法或权利要求9所述的产品在繁育或扩繁天山雪莲中的应用;b3)权利要求1-8任一所述的方法或权利要求9所述的产品在缩短天山雪莲繁育或扩繁时间中的应用;b4)赤霉素或赤霉素溶液在促进天山雪莲种子萌发中的应用。

技术总结
本发明公开了一种天山雪莲的再生培养方法。本发明的天山雪莲再生培养方法包括天山雪莲新的培育模式—水培体系的开发及天山雪莲组培快繁体系的优化,二者的有机结合,不仅有效的解决了天山雪莲野生资源短缺的问题,突破了天山雪莲平地生长的限制,还最大化的缩短了组培快繁时间,节省人力、物力、财力。为天山雪莲的资源化和保护化研究提供了重要基础。莲的资源化和保护化研究提供了重要基础。


技术研发人员:付春祥 吴振映 曹英萍 孙震 刘雨辰
受保护的技术使用者:中国科学院青岛生物能源与过程研究所
技术研发日:2020.08.24
技术公布日:2022/3/14
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