晶圆缺陷的溯源方法、装置、电子设备及计算机可读介质与流程

1.本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种晶圆缺陷的溯源方法、装置、电子设备及计算机可读介质。


背景技术：

2.在晶圆(wafer)制造中，晶圆上时常会有缺陷(defect)的出现，而缺陷出现的原因可能是空气中的微悬浮粒子太多的问题，也可能是某些步骤未能有效清洗晶圆问题。缺陷的出现容易造成失效位元的产生，而失效位元过多时会导致有限的备用电路无法将所有的失效位元修补，致使此芯片(chip)被判定为不良品。
3.因此过多缺陷的出现会导致晶圆的良率大幅降低。
4.因此，需要一种新的晶圆缺陷的溯源方法、装置、电子设备及计算机可读介质。
5.在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的相关技术的信息。


技术实现要素：

6.有鉴于此，本公开实施例提供一种晶圆缺陷的溯源方法、装置、电子设备及计算机可读介质，能够实现缺陷的异常状态的源头追溯，提供了快速解决异常问题的有效方法。
7.本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
8.根据本公开的一方面，提出一种晶圆缺陷的溯源方法，该方法包括：获取晶圆的缺陷数据；获得所述晶圆的失效位元的位置数据；根据所述缺陷数据确定所述晶圆中存储块的缺陷面积；根据所述失效位元的位置数据确定所述晶圆中存储块的失效位元数量；对所述晶圆中存储块的所述缺陷面积和所述失效位元数量进行处理，获得关联系数；根据所述关联系数确定所述晶圆的失效位元的异常原因。
9.在本公开的一种示例性实施例中，对所述晶圆中存储块的所述缺陷面积和所述失效位元数量进行处理，获得关联系数包括：根据所述缺陷数据获得所述晶圆的缺陷影响区域；根据所述晶圆中存储块的缺陷面积和所述缺陷影响区域的面积的比值确定所述晶圆中存储块的缺陷面积指标；根据所述晶圆中存储块的所述失效位元数量和所述缺陷影响区域的面积的比值确定所述晶圆中存储块的失效位元指标；对所述晶圆中存储块的所述缺陷面积指标和相应的所述失效位元指标进行关联分析，获得所述关联系数。
10.在本公开的一种示例性实施例中，对所述晶圆中存储块的所述缺陷面积指标和相应的所述失效位元指标进行关联分析，获得所述关联系数包括：将所述晶圆中包含异常数据的存储块剔除，获得目标存储块集合；对所述目标存储块集合中的存储块的所述缺陷面积指标和相应的所述失效位元指标进行关联分析，获得所述关联系数。
11.在本公开的一种示例性实施例中，将所述晶圆中包含异常数据的存储块剔除，获得目标存储块集合包括以下情况的一种或多种：将所述晶圆中所述失效位元指标大于失效
位元指标阈值的存储块进行剔除，获得所述目标存储块集合；将所述晶圆中所述失效位元数量大于失效位元数量阈值的存储块进行剔除，获得所述目标存储块集合。
12.在本公开的一种示例性实施例中，根据所述关联系数确定所述晶圆的失效位元的异常原因包括：获取所述晶圆的制程数据，所述制程数据包括结构层信息和所述结构层信息对应的制程信息；若所述关联系数大于关联系数阈值，则确定所述缺陷数据所处的结构层信息；根据所述缺陷数据所处的结构层信息对应的制程信息确定所述异常原因。
13.在本公开的一种示例性实施例中，根据所述缺陷数据所处的结构层信息对应的制程信息确定所述异常原因包括：根据所述缺陷数据所处的结构层信息对应的制程信息获得所述制程信息的环境数据；对所述制程信息的环境数据进行分析，获得所述异常原因。
14.在本公开的一种示例性实施例中，根据所述缺陷数据所处的结构层信息对应的制程信息确定所述异常原因包括：根据所述缺陷数据和所述失效位元的位置数据确定所述晶圆中未造成失效位元的缺陷数量；根据所述晶圆中未造成失效位元的缺陷数量和所述缺陷数据中缺陷总数量的比值确定为所述晶圆的缺陷清除率；根据经验法则对所述晶圆的缺陷清除率进行评估；若评估结果为异常，则确定所述制程信息中包括清洗异常功能的步骤为所述异常原因。
15.根据本公开的一方面，提出一种晶圆缺陷的溯源装置，该装置包括：缺陷数据模块，配置为获取晶圆的缺陷数据；失效位元数据模块，配置为获得所述晶圆的失效位元的位置数据；缺陷面积统计模块，配置为根据所述缺陷数据确定所述晶圆中存储块的缺陷面积；失效位元数量模块，配置为根据所述失效位元的位置数据确定所述晶圆中存储块的失效位元数量；关联系数模块，配置为对所述晶圆中存储块的所述缺陷面积和所述失效位元数量进行处理，获得关联系数；缺陷溯源模块，配置为根据所述关联系数确定所述晶圆的失效位元的异常原因。
16.根据本公开的一方面，提出一种电子设备，该电子设备包括：一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序；当一个或多个程序被一个或多个处理器执行，使得一个或多个处理器实现如上文中所述的方法。
17.根据本公开的一方面，提出一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如上文中所述的方法。
18.根据本公开一些实施例提供的晶圆缺陷的溯源方法、装置、电子设备及计算机可读介质，利用晶圆的缺陷数据和失效位元的位置数据建立联系，获得表征缺陷数据和失效位元之间关联关系的关联系数，能够基于关联系数判断缺陷数据是否为失效位元的形成原因，进而有助于基于晶圆的制程数据确定导致晶圆产生失效位元的异常原因，有助于尽快解决异常问题，提高晶圆的良率。
19.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本公开。
附图说明
20.通过参照附图详细描述其示例实施例，本公开的上述和其它目标、特征及优点将变得更加显而易见。下面描述的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1是根据一示例性实施例示出的一种晶圆缺陷的溯源方法的流程图。
22.图2是根据一示例性实施例示出的晶圆的示意图。
23.图3是根据一示例性实施例示出的芯片的示意图。
24.图4是根据一示例性实施例示出的关联分析过程的示意图。
25.图5是根据一示例性实施例示出的一种晶圆缺陷的溯源方法的流程图。
26.图6是根据一示例性实施例示出的一种晶圆缺陷的溯源装置的框图。
27.图7示意性示出了适于用来实现本发明实施例的电子设备的计算机系统的结构图。
具体实施方式
28.现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。
29.此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本公开的各方面。
30.附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。即，可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
31.附图中所示的流程图仅是示例性说明，不是必须包括所有的内容和操作/步骤，也不是必须按所描述的顺序执行。例如，有的操作/步骤还可以分解，而有的操作/步骤可以合并或部分合并，因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。
32.应理解，虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种组件，但这些组件不应受这些术语限制。这些术语乃用以区分一组件与另一组件。因此，下文论述的第一组件可称为第二组件而不偏离本公开概念的教示。如本文中所使用，术语“及/或”包括相关联的列出项目中的任一个及一或多者的所有组合。
33.本领域技术人员可以理解，附图只是示例实施例的示意图，附图中的模块或流程并不一定是实施本公开所必须的，因此不能用于限制本公开的保护范围。
34.图1是根据一示例性实施例示出的一种晶圆缺陷的溯源方法的流程图。本公开实施例提供的晶圆缺陷的溯源方法可以由任意具备计算处理能力的电子设备执行，例如用户终端和/或服务器，在下面的实施例中，以服务器执行所述方法为例进行举例说明，但本公开并不限定于此。本公开实施例提供的晶圆缺陷的溯源方法可以包括步骤s102至s112。
35.如图1所示，在步骤s102中，获取晶圆的缺陷数据。
36.本公开实施例中，缺陷数据提供了缺陷的详细数据，可包括缺陷的数量、缺陷在晶圆中所占面积的缺陷面积数据以及缺陷在晶圆中的位置信息、缺陷数据所处的晶圆的结构层(layer)信息等。
37.具体地，缺陷数据可包括：绝对位置、相对位置、面积、种类、结构层等。其中，绝对位置是以一片晶圆范围为基准的座标位置。相对位置是以一颗芯片范围为基准的坐标位置。种类是经由图形辨识系统所分析出来的类别。结构层是指在晶圆中的某一层。每一层可能会经过一个或多个制程的处理。addr是用于记录此缺陷是否为新出现的缺陷。换句话说，它不存在于上一个比较旧的层。
38.在步骤s104中，获得晶圆的失效位元的位置数据。
39.本公开实施例中，可通过晶圆测试(circuit probing，也叫cp测试)获得失效位元的位置数据。晶圆测试是对晶片上的每个晶粒进行针测，在检测头装上以金线制成细如毛发的探针(probe)，与晶粒上的节点(pad)接触，测试其电气特性的过程。失效位元(failbit)为晶圆测试过程中获得的不合格单元。
40.在步骤s106中，根据缺陷数据确定晶圆中存储块的缺陷面积。
41.本公开实施例中，在一个晶圆中，可包括若干个芯片(chip),一个芯片(chip)组织架构包括若干存储库(bank)，每一个存储库可以是分成左右两个大小相同的存储块(half-bank)(不同的产品具有不同的划分方式，有的也划分为四块)。每个存储块中具有存储阵列(array)，存储阵列包含多个由位线字线交叉定义的存储存储单元,一个存储单元即代表一个位元(bit)。其中，在本步骤中，以晶圆中的存储块为研究粒度，在另一些实施例中，还可以四分之一个存储库为研究粒度，本公开对此并不作特殊限定。
42.图2是根据一示例性实施例示出的晶圆的示意图。如图2所示，晶圆20中的一个单元格为一个芯片21。图3是根据一示例性实施例示出的芯片的示意图。如图3所示，芯片21可包括若干存储库30，每个存储库可分成左右两个大小相同的存储块31。
43.本公开实施例中，可根据缺陷数据确定存储块位置对应的缺陷数据，并计算出在存储块中所有缺陷的总面积，作为晶圆中存储块的缺陷面积。
44.在步骤s108中，根据失效位元的位置数据确定晶圆中存储块的失效位元数量。
45.本公开实施例中，可根据失效位元的位置数据确定存储块位置对应的失效位元数据，并计算出在存储块中所有失效位元的数量，作为晶圆中存储块的失效位元数量。
46.在步骤s110中，对晶圆中存储块的所述缺陷面积和失效位元数量进行处理，获得关联系数。
47.一个缺陷可能会导致失效位元的产生，也可能不会。因此，通过对晶圆中每一存储块的所述缺陷面积和所述失效位元数量进行处理，获得的关联系数能够表征缺陷是否与失效位元的形成存在因果关系。
48.本公开实施例中，可统计获得晶圆中每一存储块的缺陷面积和失效位元数量，以存储块为粒度，以每一存储块的缺陷面积和失效位元数量分别作为横纵坐标进行关联分析，获得关联系数。
49.在步骤s112中，根据关联系数确定该晶圆的失效位元的异常原因。
50.在公开实施例中，能够通过关联系数确定具有因果关系的缺陷的形成原因。该形成原因可为该缺陷所形成的制程中。
51.根据本公开实施方式提供的晶圆缺陷的溯源方法，利用晶圆的缺陷数据和失效位元的位置数据建立联系，获得表征缺陷数据和失效位元之间关联关系的关联系数，能够基于关联系数判断缺陷数据是否为失效位元的形成原因，进而有助于基于晶圆的制程数据确
定导致晶圆产生失效位元的异常原因，有助于尽快解决异常问题，提高晶圆的良率。
52.在示例性实施例中，在步骤s110中，可根据缺陷数据获得晶圆的缺陷影响区域(defect affected region，dar)；根据所述晶圆中存储块的缺陷面积和所述缺陷影响区域的面积的比值确定所述晶圆中存储块的缺陷面积指标；根据所述晶圆中存储块的所述失效位元数量和所述缺陷影响区域的比值确定所述晶圆中存储块的失效位元指标；对所述晶圆中存储块的所述缺陷面积指标和相应的所述失效位元指标进行关联分析，获得所述关联系数。
53.其中，缺陷影响区域为可能造成失效位元的范围。在该实施例中，可统计获得晶圆中每一存储块的缺陷面积指标和失效位元指标，以存储块为粒度，以每一存储块的缺陷面积指标和失效位元指标分别作为横纵坐标进行关联分析，获得关联系数。其中，对缺陷面积指标和失效位元指标进行关联分析，相较于图1所示实施例，能够使得不同的晶圆具有同等缩放程度，提高关联分析的可观察性。
54.在示例性实施例中，在对所述晶圆中存储块的所述缺陷面积指标和相应的所述失效位元指标进行关联分析，获得所述关联系数时，可包括以下步骤：将所述晶圆中包含异常数据的存储块剔除，获得目标存储块集合；对所述目标存储块集合中的存储块的所述缺陷面积指标和相应的所述失效位元指标进行关联分析，获得所述关联系数。
55.其中，在剔除晶圆中包含异常数据的存储块时，可包括以下情况的一种或多种：1)将所述晶圆中所述失效位元指标大于失效位元指标阈值的存储块进行剔除，获得所述目标存储块集合。2)将所述晶圆中失效位元数量大于失效位元数量阈值的存储块进行剔除，获得所述目标存储块集合。
56.图4是根据一示例性实施例示出的关联分析过程的示意图。如图4所示，失效位元指标阈值τ用于滤掉一部份于制程中常出现过多失效位元的chip(如图1中失效位元众多的格子)，如图4中所示211，这类chip中的失效位元并非受到defect直接影响所造成，去除掉此类chip有助提高关联分析的精准度。通常情况下，失效位元指标阈值可满足下述条件：其中，根据区隔线41以下且fbc％》,da％》0的数据进行关联分析，可获取一条回归线42，此关联系数大于关联系数阈值表示此晶圆显著异常。关联系数阈值为预设定的参数，通常关联系数阈值》0.5。
57.每一芯片(chip)可划分为多个区域：a,b,c,d,e，依序最外圈为e区至最内圈为a区。而通常在晶圆制造中，晶圆的外圈比内圈更容易损坏，而这种损坏的主要原因并非defect所引起的，因此可以将外圈(例如d,e)的数据忽略不做分析，以此来增加的关联分析的精准度。
58.在示例性实施例中，在步骤s112中，可获取所述晶圆的制程数据，所述制程数据包括结构层信息和所述结构层信息对应的制程信息；在所述关联系数大于关联系数阈值时，确定所述缺陷数据所处的结构层信息；根据所述缺陷数据所处的结构层信息对应的制程信息确定所述异常原因。
59.其中，关联系数大于关联系数阈值时，可确定缺陷数据出现的结构层信息，追溯该结构层信息经过了哪些制造步骤，依次可以锁定某一个或几个制造步骤有异常。
60.在示例性实施例中，在根据所述缺陷数据所处的结构层信息对应的制程信息确定
所述异常原因时，可包括以下步骤：根据所述缺陷数据所处的结构层信息对应的制程信息获得所述制程信息的环境数据；对所述制程信息的环境数据进行分析，获得所述异常原因。
61.其中，当环境数据中表征空气中的微悬浮粒子的指标高于预设阈值时，可确定该环境异常为异常原因。
62.在示例性实施例中，在根据所述缺陷数据所处的结构层信息对应的制程信息确定所述异常原因时，可包括以下步骤：根据所述缺陷数据和所述失效位元的位置数据确定所述晶圆中未造成失效位元的缺陷数量；根据所述晶圆中未造成失效位元的缺陷数量和所述缺陷数据中缺陷总数量的比值确定为所述晶圆的缺陷清除率(defect cleaned rate，dcr)；根据经验法则对所述晶圆的缺陷清除率进行评估；若评估结果为异常，则确定所述制程信息中包括清洗异常功能的步骤为所述异常原因。
63.其中，在晶圆的制程中，有些步骤拥有清除缺陷的功能。当这些步骤没有正常发挥清洗功能时(即发生异常)，可能造成缺陷并导致失效位元的产生。缺陷清除率dcr＝(defect覆盖区域中没有任何fail bit的defect的数量/(defect总数量))。正常与异常状态下的dcr会有明显的变化，通过将计算得到的dcr与正常状态下的dcr进行比较即可评估是否发生异常。若有明显的变化，则评估结果为异常；若无明显的变化，则评估结果为正常。经验规则表明，68％的数据将分布在的第一个标准偏差之内，95％将落在第二个标准差之内，和99.7％将落在均值的前三个标准偏差之内。可以将落在第一个标准偏差之内的dcr判定为正常，将落在第二个标准偏差和第三个标准差之内的dcr判定为异常。
64.应清楚地理解，本公开描述了如何形成和使用特定示例，但本公开的原理不限于这些示例的任何细节。相反，基于本公开公开的内容的教导，这些原理能够应用于许多其它实施例。
65.图5是根据一示例性实施例示出的一种晶圆缺陷的溯源方法的流程图。
66.如图5所示，本公开实施例的晶圆缺陷的溯源方法可以包括以下步骤。
67.在步骤s502中，从来源数据中获得缺陷影响区域。
68.其中，来源数据中，可包括范围数据，用于提供所有固定的参数，如下所示：
69.(1)defect可能造成失效位元的范围(defect affected regions,缺陷影响区域，dar)；
70.(2)开始/结束监控：提供开启与停止监控的控制参数；
71.(3)门槛值、警示值：提供关联分析的参数，此参数可基于实际情况设定。
72.晶圆组数据：提供所有wafer的批号、编号、各种相关日期等。
73.缺陷数据：提供defect的详细数据，包含绝对位置、相对位置、面积、种类、layer、addr、
…
等。其中：
74.绝对位置:以一片wafer范围为基准的座标位置；
75.相对位置:以一颗chip范围为基准的座标位置；
76.种类：经由图形辨识系统所分析出来的类别；
77.layer:指在wafer中的某一层。每一个层可能会经过一个或多个制程的处理；
78.addr:用以记录此defect是否为新出现的defect。换句话说，它不存在于上一个比较旧的层。
79.失效位元位置数据：提供cp测试时所获取得的失效位元(fail bit,fb)位置数据。
80.chip_region：提供chip位置所在的区域。一般而言，一片wafer中的chips可被划分为a,b,c,d,e等数个区域。
81.在步骤s504中，获取一片已经过晶圆测试后且此流程未读取的晶圆数据(以下简称新晶圆数据)。
82.在步骤s506中，休息一个短暂的时间，再继续进行下一个处理。
83.在步骤s508中，循环于同一晶圆数据中取得一个新的存储块位置。
84.在步骤s510中，从缺陷数据中取得该存储块位置对应的缺陷数据，并计算出此存储块中所有缺陷的总面积(defect area,da)。
85.在步骤s512中，从失效位元的位置数据中取得该存储块位置对应的失效位元数据，并计算出在此存储块中的失效位元数量(fb count，fbc)。
86.在步骤s514中，将该存储块的da和fbc作为一个数据点存储至分析数据。
87.其中，每一个data_point代表一个存储块的信息，包括了对应的存储块的da、fbc、位置信息等。
88.在步骤s516中，若是最后的存储块(hb)，则执行步骤s518。否则执行s504。
89.在步骤s518中，进行关联分析。
90.本公开实施例中，可基于分析数据执行形如图1实施例中的步骤s110进行关联分析，并根据获得的关联系数追溯获得缺陷的异常原因。
91.本领域技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤被实现为由cpu执行的计算机程序。在该计算机程序被cpu执行时，执行本公开提供的上述方法所限定的上述功能。所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，该存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
92.此外，需要注意的是，上述附图仅是根据本公开示例性实施例的方法所包括的处理的示意性说明，而不是限制目的。易于理解，上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。另外，也易于理解，这些处理可以是例如在多个模块中同步或异步执行的。
93.下述为本公开装置实施例，可以用于执行本公开方法实施例。对于本公开装置实施例中未披露的细节，请参照本公开方法实施例。
94.图6是根据一示例性实施例示出的一种晶圆缺陷的溯源装置的框图。本公开实施例提供的晶圆缺陷的溯源装置可以包括：缺陷数据模块602、失效位元数据模块604、缺陷面积统计模块606、失效位元数量模块608、关联系数模块610和缺陷溯源模块612。
95.在晶圆缺陷的溯源装置中，缺陷数据模块602可配置为获取晶圆的缺陷数据。
96.失效位元数据模块604可配置为获得所述晶圆的失效位元的位置数据。
97.缺陷面积统计模块606配置为根据所述缺陷数据确定所述晶圆中存储块的缺陷面积。
98.失效位元数量模块608可配置为根据所述失效位元的位置数据确定所述晶圆中存储块的失效位元数量。
99.关联系数模块610可配置为对所述晶圆中存储块的所述缺陷面积和所述失效位元数量进行处理，获得关联系数。
100.缺陷溯源模块612可配置为根据所述关联系数确定所述晶圆的失效位元的异常原因。
101.根据本公开实施方式提供的晶圆缺陷的溯源装置，利用晶圆的缺陷数据和失效位元的位置数据建立联系，获得表征缺陷数据和失效位元之间关联关系的关联系数，能够基于关联系数判断缺陷数据是否为失效位元的形成原因，进而有助于基于晶圆的制程数据确定导致晶圆产生失效位元的异常原因，有助于尽快解决异常问题，提高晶圆的良率。
102.下面参考图7，其示出了适于用来实现本发明实施例的电子设备的计算机系统700的结构示意图。图7示出的电子设备的计算机系统700仅是一个示例，不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。
103.如图7所示，计算机系统700包括中央处理单元(cpu)701，其可以根据存储在只读存储器(rom)702中的程序或者从存储部分708加载到随机访问存储器(ram)703中的程序而执行各种适当的动作和处理。在ram 703中，还存储有系统操作所需的各种程序和数据。cpu 701、rom702以及ram 703通过总线704彼此相连。输入/输出(i/o)接口705也连接至总线704。
104.以下部件连接至i/o接口705：包括键盘、鼠标等的输入部分706；包括诸如阴极射线管(crt)、液晶显示器(lcd)等以及扬声器等的输出部分707；包括硬盘等的存储部分708；以及包括诸如lan卡、调制解调器等的网络接口卡的通信部分709。通信部分709经由诸如因特网的网络执行通信处理。驱动器710也根据需要连接至i/o接口708。可拆卸介质711，诸如磁盘、光盘、磁光盘、半导体存储器等等，根据需要安装在驱动器710上，以便于从其上读出的计算机程序根据需要被安装入存储部分708。
105.特别地，根据本发明的实施例，上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如，本发明的实施例包括一种计算机程序产品，其包括承载在计算机可读存储介质上的计算机程序，该计算机程序包含用于执行流程图所示的方法的程序代码。在这样的实施例中，该计算机程序可以通过通信部分709从网络上被下载和安装，和/或从可拆卸介质711被安装。在该计算机程序被中央处理单元(cpu)701执行时，执行本技术的系统中限定的上述功能。
106.需要说明的是，本发明所示的计算机可读存储介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦式可编程只读存储器(eprom或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(cd-rom)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本发明中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。而在本发明中，计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。计算机可读存储介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于：无线、电线、光缆、rf等等，或者上述的任意合适的组合。
107.附图中的流程图和框图，图示了按照本发明各种实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分，上述模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图或流程图中的每个方框、以及框图或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
108.描述于本发明实施例中所涉及到的单元可以通过软件的方式实现，也可以通过硬件的方式来实现，所描述的单元也可以设置在处理器中。其中，这些单元的名称在某种情况下并不构成对该单元本身的限定。
109.作为另一方面，本技术还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质可以是上述实施例中描述的电子设备中所包含的；也可以是单独存在，而未装配入该电子设备中。上述计算机可读存储介质承载有一个或者多个程序，当上述一个或者多个程序被一个该电子设备执行时，使得该电子设备实现如上述实施例中所述的晶圆生产过程的侦测方法。
110.例如，所述的电子设备可以实现如图1中所示的：步骤s102，获取晶圆的缺陷数据。步骤s104，获得晶圆的失效位元的位置数据。步骤s106，根据缺陷数据确定晶圆中存储块的缺陷面积。步骤s108，根据失效位元的位置数据确定晶圆中存储块的失效位元数量。步骤s110，对晶圆中存储块的所述缺陷面积和失效位元数量进行处理，获得关联系数。步骤s112，根据关联系数确定该晶圆的失效位元的异常原因。
111.又如，所述的电子设备还可以实现如图5所示的各个步骤。
112.应当注意，尽管在上文详细描述中提及了用于动作执行的设备的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本发明的实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。
113.通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施方式可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本发明实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是cd-rom，u盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、触控终端、或者网络设备等)执行根据本发明实施方式的方法。
114.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本发明的其它实施方案。本技术旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
115.应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并
且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。