光刻对准结构、光刻对准方法、半导体存储器及电子设备与流程

技术特征：
1.一种光刻对准结构，其特征在于，包括：形成在晶圆划片道上的对准标记；以及形成在所述对准标记上的用于平坦化的辅助图形，所述对准标记嵌套于所述辅助图形内。2.根据权利要求1所述的光刻对准结构，其特征在于，所述对准标记包括多个相互间隔的对准单元，每个所述对准单元在第一方向上彼此平行；所述辅助图形包括多个相互间隔的辅助单元，所述辅助单元与所述对准单元一一对应，且所述对准单元嵌套于所述辅助单元内。3.根据权利要求2所述的光刻对准结构，其特征在于，所述辅助单元与所述对准单元的形状相同。4.根据权利要求3所述的光刻对准结构，其特征在于，所述辅助单元与所述对准单元两者相邻边之间的距离的范围为100纳米至500纳米。5.一种光刻对准方法，其特征在于，包括：提供半导体晶圆；在所述晶圆的划片道上形成对准标记；在所述对准标记上形成用于平坦化的辅助图形，所述对准标记嵌套于所述辅助图形内；通过测量所述对准标记以确定曝光位置。6.根据权利要求5所述的光刻对准方法，其特征在于，所述对准标记包括多个相互间隔的对准单元，每个所述对准单元在第一方向上彼此平行；所述辅助图形包括多个相互间隔的辅助单元，所述辅助单元与所述对准单元一一对应，且所述对准单元嵌套于所述辅助单元内。7.一种半导体存储器的制作方法，其特征在于，包括权利要求5至6中任一项所述的光刻对准方法。8.一种根据权利要求7所述的制作方法制作的半导体存储器。9.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求8所述的半导体存储器。10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，包括智能电话、计算机、平板电脑、可穿戴智能设备、人工智能设备、移动电源。

技术总结
本公开提供一种光刻对准结构、光刻对准方法、半导体存储器及其制作方法、电子设备，所述光刻对准结构包括：形成在晶圆划片道上的对准标记；以及形成在所述对准标记上的用于平坦化的辅助图形，所述对准标记嵌套于所述辅助图形内。本公开提供的光刻对准结构，使得在多层光刻工艺中，下方工艺上形成的对准标记在其上方形成辅助图形的工艺之后也能使用。形成辅助图形的工艺之后也能使用。形成辅助图形的工艺之后也能使用。


技术研发人员：梁时元 贺晓彬 丁明正 刘强
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2020.09.10
技术公布日：2022/3/10