LED芯片的制作方法

技术特征：
1.led芯片，其特征在于，包括：衬底；具有pn台阶的外延片，所述外延片包括n型半导体层、发光层和p型半导体层；至少一个第一p型电极，位于所述pn台阶上，并与所述p型半导体层电性连接；至少一个第一n型电极，位于所述n型半导体层上与所述n型半导体层电性连接；第一绝缘层，覆盖所述第一n型电极、所述pn台阶、所述第一p型电极以及所述n型半导体层，并设置有多个第一通孔和多个第二通孔；第二p型电极，设置于所述第一绝缘层上，通过所述第一通孔与所述第一p型电极电性连接；第二n型电极，设置于所述第一绝缘层上，通过所述第二通孔与所述第一n型电极电性连接；第二绝缘层，覆盖所述第二p型电极、所述第二n型电极和所述第一绝缘层，并设置有多个第三通孔和多个第四通孔；第三p型电极，设置于第二绝缘层上，通过所述第三通孔与所述第二p型电极电性连接；第三n型电极，设置于第二绝缘层上，通过所述第四通孔与所述第二n型电极电性连接；p型焊盘，设置于所述第三p型电极上，并与第三p型电极电性连接；n型焊盘，设置于所述第三n型电极上，并于第三n型电极电性连接。2.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，在垂直剖视图方向，所述n型焊盘与所述第二p型电极之间至少设置有第三n型电极；和/或，所述p型焊盘与所述第二n型电极之间至少设置有所述第三p型电极。3.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述n型焊盘正下方的第二层为第二绝缘层和/或第二n型电极。4.根据权利要求3所述的led芯片，其特征在于，所述n型焊盘的水平面上的投影位于所述第三n型电极在水平方面上的投影内。5.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述led芯片还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖所述第三p型电极和所述第三n型电极；所述第三绝缘层上设置有多个第五通孔和第六通孔；所述p型焊盘通过所述第五通孔与所述第三p型电极电性连接，所述n型焊盘通过所述第六通孔与所述第三n型电极电性连接。6.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述第三p型电极和所述第三n型电极的距离大于15μm；和/或；所述第三p型电极和所述第三n型电极的面积和占整个所述led芯片的面积的50％～75％；和/或；所述p型焊盘和所述n型焊盘的面积和占整个所述led芯片的面积的30％～55％。7.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述第二p型电极区域与所述pn台阶侧面的最短距离为d1，所述第三n型电极与所述pn台阶侧面的最短距离为d2，所述n型焊盘与所述pn台阶侧面的最短距离为d3，且d1＜d2＜d3。8.根据权利要求7所述的led芯片，其特征在于，所述d1＞5μm，d2＞8μm，d3＞15μm。
9.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，多个所述第一p型电极间隔设置于所述pn台阶上；多个所述第一n型电极间隔设置于所述n型半导体层上；和/或；一个或多个所述第二n型电极分别与所述第二p型电极之间具有间隙，其中部分所述第二n型电极位于pn台阶之上。10.根据权利要求5所述的led芯片，其特征在于，所述第一绝缘层为氧化硅和dbr反射层；和/或；所述第二绝缘层和/或所述第三绝缘层包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。

技术总结
本实用新型涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种LED芯片。包括：衬底、外延层、电流阻挡层、电流扩展层、第一P型电极、第一N型电极、第一绝缘层、第二P型电极、第二N型电极、第二绝缘层、第三P型电极、第三N型电极、P型焊盘和N型焊盘。该LED芯片通过改进倒装芯片的电极设计，通过增加第三N型电极和第三P型电极，且第三N型电极与P型焊盘在空间上无任何重叠，同理第三P型电极与N型焊盘在空间上也无任何重叠，二者无接触可能，不存在因为任何原因导致氧化硅断裂，而导致极性不同的P、N型电极互连而发生漏电失效的问题，从而提高了芯片的可靠性。性。性。


技术研发人员：王思博 李冬梅 廖汉忠
受保护的技术使用者：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
技术研发日：2021.10.14
技术公布日：2022/3/8