一种半导体低vocs清洗剂
技术领域
1.本发明涉及一种清洗剂领域，特别涉及一种半导体低vocs清洗剂。
背景技术：
2.在集成电路生产中，半导体尤为重要，半导体的好坏直接影响着集成电路的质量。
3.半导体材料经过一系列的加工后形成的半导体的表面会形成砂粒、切削磨料、指纹及金属离子，清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染物，使硅片表面达到无腐蚀氧化、无残留等技术指标。
4.现有的半导体清洗剂去污能力不够，且有腐蚀作用，使得清洗后的半导体不能够满足要求。
技术实现要素：
5.本发明解决的技术问题是提供一种去污能力强、不具有腐蚀性的半导体清洗剂。
6.本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种半导体清洗剂，包括如下组分：表面活性剂、二乙二醇丁醚、助溶剂、缓蚀剂和去离子水。
7.进一步的是：包括质量份数为10-20份的表面活性剂、3-5份的二乙二醇丁醚、3-5份的助溶剂、0.5份的缓蚀剂和余量的去离子水。
8.进一步的是：所述助溶剂为醇醚溶剂。
9.进一步的是：所述表面活性剂为非离子表面活性剂。
10.本发明的有益效果是：本发明能够去除半导体上的砂粒、切削磨料、指纹及金属离子，且去除能力强，同时本申请对半导体没有腐蚀，使得清洗后的半导体的良品率高。
具体实施方式
11.下面结合具体实施方式对本发明进一步说明。
12.本申请的实施例提供了一种半导体低vocs清洗剂，该半导体清洗剂包括如下组分：表面活性剂、二乙二醇丁醚、助溶剂、缓蚀剂和去离子水。
13.所述二乙二醇丁醚作为溶剂。
14.在上述基础上，包括质量份数为10-20份的表面活性剂、3-6份的二乙二醇丁醚、3-5份的助溶剂、0.5份的缓蚀剂和余量水的去离子水。
15.在上述基础上，所述助溶剂为醇醚溶剂。
16.在上述基础上，所述表面活性剂为非离子表面活性剂。
17.实施例一：
18.一种半导体清洗剂，包括质量份数为10份的表面活性剂、3份的二乙二醇丁醚、3份的助溶剂、0.5份的缓蚀剂和30份的去离子水。
19.实施例二：
20.一种半导体清洗剂，包括质量份数15份的表面活性剂、4份的二乙二醇丁醚、4份的
助溶剂、0.5份的缓蚀剂和35份的去离子水。
21.实施例三：
22.一种半导体清洗剂，包括质量份数为20份的表面活性剂、5份的二乙二醇丁醚、5份的助溶剂、0.5份的缓蚀剂和40份的去离子水。
23.以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
技术特征：
1.一种半导体低vocs清洗剂，其特征在于：包括如下组分：表面活性剂、二乙二醇丁醚、助溶剂、缓蚀剂和去离子水。2.如权利要求1所述的一种半导体清洗剂，其特征在于：包括质量份数为10-20份的表面活性剂、3-5份的二乙二醇丁醚、3-5份的助溶剂、0.5份的缓蚀剂和余量的去离子水。3.如权利要求2所述的一种半导体清洗剂，其特征在于：所述助溶剂为醇醚溶剂。4.如权利要求2所述的一种半导体清洗剂，其特征在于：所述表面活性剂为非离子表面活性剂。
技术总结
本发明公开了一种半导体VOCs清洗剂，涉及一种清洗剂领域，包括质量份数为10-20份的表面活性剂、3-6份的二乙二醇丁醚、3-5份的助溶剂、0.5份的缓蚀剂和余量的去离子水。本发明能够去除半导体上的砂粒、切削磨料、指纹及金属离子，且去除能力强，同时本申请对半导体没有腐蚀，使得清洗后的半导体的良品率高。使得清洗后的半导体的良品率高。
技术研发人员：吴爱平
受保护的技术使用者：苏州德韬科技有限公司
技术研发日：2021.12.09
技术公布日：2022/3/8
技术领域
1.本发明涉及一种清洗剂领域，特别涉及一种半导体低vocs清洗剂。
背景技术：
2.在集成电路生产中，半导体尤为重要，半导体的好坏直接影响着集成电路的质量。
3.半导体材料经过一系列的加工后形成的半导体的表面会形成砂粒、切削磨料、指纹及金属离子，清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染物，使硅片表面达到无腐蚀氧化、无残留等技术指标。
4.现有的半导体清洗剂去污能力不够，且有腐蚀作用，使得清洗后的半导体不能够满足要求。
技术实现要素：
5.本发明解决的技术问题是提供一种去污能力强、不具有腐蚀性的半导体清洗剂。
6.本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种半导体清洗剂，包括如下组分：表面活性剂、二乙二醇丁醚、助溶剂、缓蚀剂和去离子水。
7.进一步的是：包括质量份数为10-20份的表面活性剂、3-5份的二乙二醇丁醚、3-5份的助溶剂、0.5份的缓蚀剂和余量的去离子水。
8.进一步的是：所述助溶剂为醇醚溶剂。
9.进一步的是：所述表面活性剂为非离子表面活性剂。
10.本发明的有益效果是：本发明能够去除半导体上的砂粒、切削磨料、指纹及金属离子，且去除能力强，同时本申请对半导体没有腐蚀，使得清洗后的半导体的良品率高。
具体实施方式
11.下面结合具体实施方式对本发明进一步说明。
12.本申请的实施例提供了一种半导体低vocs清洗剂，该半导体清洗剂包括如下组分：表面活性剂、二乙二醇丁醚、助溶剂、缓蚀剂和去离子水。
13.所述二乙二醇丁醚作为溶剂。
14.在上述基础上，包括质量份数为10-20份的表面活性剂、3-6份的二乙二醇丁醚、3-5份的助溶剂、0.5份的缓蚀剂和余量水的去离子水。
15.在上述基础上，所述助溶剂为醇醚溶剂。
16.在上述基础上，所述表面活性剂为非离子表面活性剂。
17.实施例一：
18.一种半导体清洗剂，包括质量份数为10份的表面活性剂、3份的二乙二醇丁醚、3份的助溶剂、0.5份的缓蚀剂和30份的去离子水。
19.实施例二：
20.一种半导体清洗剂，包括质量份数15份的表面活性剂、4份的二乙二醇丁醚、4份的
助溶剂、0.5份的缓蚀剂和35份的去离子水。
21.实施例三：
22.一种半导体清洗剂，包括质量份数为20份的表面活性剂、5份的二乙二醇丁醚、5份的助溶剂、0.5份的缓蚀剂和40份的去离子水。
23.以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
技术特征：
1.一种半导体低vocs清洗剂，其特征在于：包括如下组分：表面活性剂、二乙二醇丁醚、助溶剂、缓蚀剂和去离子水。2.如权利要求1所述的一种半导体清洗剂，其特征在于：包括质量份数为10-20份的表面活性剂、3-5份的二乙二醇丁醚、3-5份的助溶剂、0.5份的缓蚀剂和余量的去离子水。3.如权利要求2所述的一种半导体清洗剂，其特征在于：所述助溶剂为醇醚溶剂。4.如权利要求2所述的一种半导体清洗剂，其特征在于：所述表面活性剂为非离子表面活性剂。
技术总结
本发明公开了一种半导体VOCs清洗剂，涉及一种清洗剂领域，包括质量份数为10-20份的表面活性剂、3-6份的二乙二醇丁醚、3-5份的助溶剂、0.5份的缓蚀剂和余量的去离子水。本发明能够去除半导体上的砂粒、切削磨料、指纹及金属离子，且去除能力强，同时本申请对半导体没有腐蚀，使得清洗后的半导体的良品率高。使得清洗后的半导体的良品率高。
技术研发人员：吴爱平
受保护的技术使用者：苏州德韬科技有限公司
技术研发日：2021.12.09
技术公布日：2022/3/8
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