一种数据处理方法及装置与流程

1.本技术涉及数据存储技术，尤其涉及一种数据处理方法及装置。


背景技术：

2.随着四位存储单元(qlc，quad level cell)类型的固态硬盘流行及使用。固态硬盘里的操作系统数据在长时间不通电或高温等外界环境的情况下会有数据丢失的风险，导致操作系统在后期使用时出现启动错误等问题。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本技术实施例期望提供一种数据处理方法及电子设备。
4.本技术的技术方案是这样实现的：
5.根据本技术的一方面，提供一种数据处理方法，所述方法应用于存储装置，所述方法包括：
6.响应于预设条件，将数据存储在所述存储装置中的数据高保留区，
7.其中，所述数据高保留区的单个数据存储单元容量小于数据低保留区的单个数据存储单元容量；
8.所述预设条件包括所述存储装置处于待出厂状态、数据操作指令、预设数据标识、所述存储装置的断电时长和所述存储装置的擦写次数中至少之一。
9.上述方案中，所述将数据存储在所述存储装置中的数据高保留区，包括：
10.如果所述数据对应于数据迁移至数据高保留区指令，响应于所述数据迁移至数据高保留区指令，将所述数据低保留区的所述数据迁移到所述数据高保留区；
11.或者，如果所述数据对应于数据写入至数据高保留区指令，响应于所述数据写入至数据高保留区指令，将所述数据直接存储在所述数据高保留区。
12.上述方案中，还包括：
13.如果将所述数据低保留区的所述数据向所述数据高保留区迁移完成，发送并记录所述数据迁移完成的反馈指令。
14.上述方案中，在所述预设条件包括预设数据标识的情况下，所述方法还包括：
15.如果所述数据中携带有所述预设数据标识，将携带有所述预设数据标识的数据存储在所述数据高保留区。
16.上述方案中，在所述预设条件包括所述存储装置的断电时长的情况下，所述方法还包括：
17.如果所述存储装置在待出厂状态下的断电时长未超出第一预设时长，将所述数据存储在所述存储装置中的数据高保留区；
18.或者，如果所述存储装置在已出厂状态下的断电时长超出第二预设时长，将所述数据存储在所述存储装置中的数据高保留区。
19.上述方案中，在所述预设条件包括所述存储装置的擦写次数的情况下，所述方法
还包括：
20.如果检测到所述存储装置的擦写次数，将所述数据存储在所述存储装置中的数据高保留区；
21.或者，如果检测到所述存储装置的擦写次数未超出预设擦写次数，将所述数据存储在所述存储装置中的数据高保留区；
22.或者，如果检测到所述存储装置的擦写次数超出所述预设擦写次数，将所述数据低保留区的所述数据迁移至所述数据高保留区。
23.上述方案中，所述方法还包括：
24.如果所述数据对应有写入参数，根据所述写入参数，动态调整所述数据高保留区和所述数据低保留区的存储容量，其中，所述写入参数至少表征所述数据的数据容量。
25.上述方案中，还包括：
26.在所述存储装置处于已出厂状态下，如果接收到数据迁移至数据低保留区指令，则响应于所述数据迁移至数据低保留区指令，将所述数据高保留区的数据迁移到所述数据低保留区。
27.上述方案中，还包括：
28.如果所述存储装置从断电状态切换到通电状态，则将所述数据高保留区的所述数据迁移到所述数据低保留区。
29.根据本技术的另一方面，提供一种电子设备，包括：
30.存储装置，用于存储数据；
31.处理单元，用于采用上述数据处理方法将数据存储至所述存储装置。
32.本技术提供的一种数据处理方法及装置，通过响应预设条件，将数据存储在存储装置的数据高保留区，其中，所述数据高保留区的单个数据存储单元容量小于数据低保留区的单个数据存储单元容量；如此，能够在电子设备长时间内不通电或恶劣的外界环境下，保证存储装置内的写数据不会出现问题，从而不会影响电子设备的正常启动。
附图说明
33.图1为本技术中数据处理方法的流程实现示意图一；
34.图2为本技术中数据处理方法的流程实现示意图二；
35.图3为本技术中数据处理方法的流程实现示意图三；
36.图4为本技术中电子设备的结构组成示意图一；
37.图5是本技术中电子设备的结构组成示意图二。
具体实施方式
38.以下结合说明书附图及具体实施例对本技术的技术方案做进一步的详细阐述。
39.图1为本技术中数据处理方法的流程实现示意图一，如图1所示，该方法包括：
40.步骤101，响应于预设条件，将数据存储在所述存储装置中的数据高保留区。
41.其中，所述数据高保留区的单个数据存储单元容量小于数据低保留区的单个数据存储单元容量。比如，该数据低保留区是四位式存储单元(qlc)、五位式存储单元(plc)，该数据高保留区是单位式存储单元(slc)。
42.所述预设条件包括所述存储装置处于待出厂状态、数据操作指令、预设数据标识、所述存储装置的断电时长和所述存储装置的擦写次数中至少之一。
43.本技术中，该方法可以应用于存储装置，比如该存装置是固态硬盘，且该存储装置中具有数据低保留区和数据高保留区。当用户向该存储装置中进行写数据时，该写数据通常可以随机存储在该数据低保留区和该数据高保留区。也可以根据用户操作指令确定将写数据存储在数据低保留区还是数据高保留区。
44.具体地，用户在向存储装置中进行写数据时，该数据可以具有对应的数据操作指令，在该存储装置满足预设条件的情况下，如果该数据对应的数据操作指令是数据迁移至数据高保留区指令，则将该数据低保留区的数据迁移到该数据高保留区，以响应于该数据迁移至数据高保留区指令。或者，如果该数据对应的数据操作指令是数据写入至数据高保留区指令，则将该数据直接存储在数据高保留区，以响应于该数据写入至数据高保留区指令。如此，可以以不同的方式将写数据存储在数据高保留区，以实现固态硬盘中数据的长时间存储。
45.本技术中，如果是通过数据迁移的方式将数据低保留区的数据迁移至数据高保留区，则在迁移完成后，该存储装置还可以向存储装置所在的电子设备发送并记录该数据迁移完成的反馈指令。这里，该存储装置所在的电子设备可以是服务器端也可以是电脑终端。具体地，该存储装置可以向电子设备的中央处理器(cpu)发送该数据迁移完成的反馈指令。以使得该电子设备根据该反馈指令对该存储装置的数据存储状态进行记录。
46.在一种实现方式中，如果该预设条件包括该存储装置处于待出厂状态的情况下，则该存储装置可以将数据全部存储在该存储装置中的数据高保留区。如此，可以保证该存储装置在待出厂状态下，能够保证数据的完整性，且该电子设备出厂到达用户手里后，该电子设备也能够正常启动。
47.例如，如果检测到该存储装置一直处于断电状态，且从未有通电使用记录的情况下，可以确定该存储装置处于待出厂状态，在存储装置接通电源后首次写入数据的情况下，将写入的数据存储在数据高保留区中。
48.在另一种实现方式中，如果该预设条件包括数据操作指令的情况下，则该存储装置如果检测到表征将数据迁移至数据高保留区的数据操作指令，则将数据低保留区的所有数据或部分数据迁移到数据高保留区，以响应于该数据迁移至数据高保留区的数据操作指令；或者，如果该存储装置检测到表征将数据写入至数据高保留区的数据操作指令，则将写数据直接存储在该数据高保留区，以响应于该数据写入至数据高保留区的数据操作指令。如此，可以以不同方式实现数据高保留区的数据保存，使得随机存储在数据低保留区和数据高保留区的数据也能被存储在数据高保留区，如此，可以提高存储装置内的数据保存时长，避免存储装置受长期断电的影响而导致数据丢失或异常的情况。
49.在另一实现方式中，如果该预设条件包括预设数据标识的情况下，则该存储装置可以检测存储装置中的数据或当前写数据中是否携带有该预设数据标识，如果检测到该存储装置中存储的数据或当前的写数据中携带有预设数据标识，则将携带有该预设数据标识的数据存储在该数据高保留区。如此，可以保证部分数据或特定数据的长时间存储。比如系统数据可以携带有表征要存储在数据高保留区的预设数据标识，以保证电子设备能够被正常启动，而不会受环境因素、长期断电因素的影响。
50.在另一实现方式中，如果该预设条件包括存储装置的断电时长的情况下，则该存储装置还可以检测该存储装置当前的通电记录，如果发现该存储装置当前的通电记录为零，则确定当前存储装置为待出厂状态，则进一步确认该存储装置在待出厂状态下的断电时长是否超出第一预设时长(比如7年)，如果该存储装置在待出厂状态下的断电时长未超出第一预设时长(或者在第一预设时长之内)，则将该存储装置内的所有数据(包括数据低保留区和数据高保留区的数据)都存储在该存储装置的数据高保留区。如此，可以保证存储装置内数据不受外界环境因素、长期断电因素的影响，可以保证该电子设备到达用户手里时，能够被正常启动，保证存储装置内数据的完整性。
51.这里，该第一预设时长通常是技术人员预估的时长，也可以基于实际需求自行设定。
52.本技术中，该存储装置还可以在该第一预设时长内接收针对该数据的访问请求，基于该访问请求从数据高保留区成功访问到该数据。如此，可以保证数据的长时间保存，使用户能够成功访问到该数据。
53.本技术中，该存储装置还可以包括有一个低功耗的温度控制芯片，通过该温度控制芯片可以在该存储装置不通电的情况下且在该第一预设时长内检测该存储装置的环境温度，如果检测到该环境温度大于预设温度，则降低该存储装置的当前温度，以使得该存储装置的当前温度始终保持在小于或等于预设温度的状态。如此，可以降低存储装置受环境因素的影响而导致数据异常的情况。
54.这里，该预设温度比如是43度。
55.本技术中，该存储装置还可以在该第一预设时长内检测该存储装置的通电状态，如果检测到该存储装置处于通电状态，则在该存储装置从该通电状态切换到断电状态时，则从当前的断电时间开始，重新计算该存储装置在待出厂状态下的断电时长是否超出第一预设时长。如此，可以保证数据在数据高保留区的存储时长。
56.在另一实现方式中，如果包括该存储装置的电子设备已经出厂到达到用户手里，或者已有通电记录，则该存储装置还可以检测该存储装置在已出厂状态下的断电时长是否超出第二预设时长，如果该存储装置在已出厂状态下的断电时长超出第二预设时长，则将该存储装置内的所有数据(包括数据低保留区和数据高保留区的数据)都存储在该存储装置的数据高保留区。
57.这里，该第二预设时长通常可以是用户自行设置的时长。比如，用户在一段时间内不需要使用包括该存储装置的电子设备(比如电脑)，则用户可以手动设置一个第二预设时长，在确认该存储装置的断电时长会超出第二预设时长时，就将数据全部保存在数据高保留区，如此，可以避免用户长时间不使用该电子设备，或该电子设备长期不通电而导致数据丢失的风险。
58.本技术中，如果该预设条件包括该存储装置的擦写次数据的情况下，该存储装置还可以检测针对该存储装置的擦写次数，如果检测到针对该存储装置的擦写次数为大于零，则将该存储装置内的所有数据(包括数据低保留区和数据高保留区的数据)和当前的写数据存储在数据高保留区。以保证该存储装置内数据的长时间保存，而不会受环境因素、长期断电因素的影响而出现数据异常。
59.本技术中，该存储装置还可以在检测到针对该存储装置的擦写次数为大于零，但
是该擦写次数未超出预设擦写次数的情况下，将当前的写数据直接存储在数据高保留区。以保证数据得到长时间的保存，而不会受环境因素、长期断电因素的影响而出现数据异常的情况。
60.本技术中，该存储装置还可以在检测到针对该存储装置的擦写次数为大于零，但是该擦写次数超出预设擦写次数的情况下，将数据低保留区的数据全部移至数据高保留区。如此，可以保证该存储装置内的数据不会受环境因素和长期断电因素的影响，可以长时间保存。
61.本技术中，如果该存储装置在已出厂状态下，接收到用户触发的表征数据迁移至数据低保留区的数据操作指令，还可以响应于该表征数据迁移至数据低保留区的数据操作指令，以将数据高保留区的数据迁移到数据低保留区。由于数据低保留区的单个数据存储单元容量大于数据高保留区的单个数据存储单元容量，所以将数据从数据高保留区迁移至数据低保留区，可以扩大该存储装置的存储容量。比如一个数据低保留区的存储容量是一个数据高保留区的四倍。如果数据低保留区的存储容量是4g，则在将数据低保留区虚拟成数据高保留区时，该存储装置则会变成只有1g的存储容量。但是数据高保留区的数据存储时间会大大高于数据低保留区的存储时间。
62.本技术中，如果当前的写数据对应有写入参数，则该存储装置还可以根据该写入参数，动态调整该数据高保留区和该数据低保留区的存储容量。
63.这里，该写入参数至少表征该写数据的数据容量。
64.比如，该存储装置的数据高保留区的存储容量为50兆，当前的写数据的数据容量为100兆，如果想将该写数据全部写在该数据高保留区进行保存，显然当前的数据高保留区的存储容量无法装载该写数据。在这样的情况下，该存储装置则可以根据当前写数据的数据容量100兆，从数据低保留区中动态调整出一个虚拟的数据高保留区，比如，当前的数据低保留区是4g，则将其中的800兆存储容量虚拟成数据高保留区，这样800兆的数据低保留区变成数据高保留区就成了200兆，然后再加上之前的50兆存储容量，当前的数据高保留区的总存储容量为250兆，如此，能够有足够的存储空间存储当前的写数据。
65.本技术中，该存储装置还可以检测该存储装置的通电状态，如果检测到该存储从断电状态切换到通电状态，则将该数据高保留区的数据迁移至数据低保留区。如此，可以扩大存储装置的存储容量，使数据高保留区只存储当前的写数据，而历史数据则可以转存在数据低保留区。
66.这里，在将数据高保留区的数据迁移至数据低保留区时，可以是将数据高保留区的部分存储空间虚拟成数据低保留区。比如，将100兆的数据高保留区的存储空间虚拟成数据低保留区后，该数据低保留区的存储容量为400兆，如此，原本可以存储100兆的数据容量可以存储400兆的数据。大大扩大了该存储装置的存储容量。
67.本技术通过将数据存储在数据高保留区，可以降低比如操作系统数据在电脑长时间不通电的情况下而发生数据损坏的风险。而在已出厂状态下，通过将数据存储在数据低保留区，可以扩大存储装置的存储容量，以存储更多的数据。
68.图2为本技术中数据处理方法的流程实现示意图二，如图2所示，包括：
69.步骤201，预载操作系统；
70.步骤202，是否完成数据写入至存储装置；
71.这里，写数据在写入存储装置时，是通过随机方式写在存储装置的数据低保留区和数据高保留区。如果完成数据写入，则执行步骤203，如果未完成数据写入，则执行步骤201。
72.步骤203，触发数据迁移至数据高保留区指令；
73.步骤204，将数据低保留区的数据迁移至数据高保留区；
74.步骤205，确定迁移是否完成；
75.如果将数据低保留区的数据向数据高保留区迁移完成，则执行步骤206，如果没有迁移完成，则执行步骤204；
76.步骤206，向存储装置所在的主机发送迁移完成指令，并记录数据迁移完成的相应信息到指定页。
77.这里，相应信息比如可以是当前数据的存储位置、数据存储容量等等。
78.步骤207，主机接到迁移完成指令后，结束该操作系统的整个预载流程。
79.图3为本技术中数据处理方法的流程实现示意图三，如图3所示，包括：
80.步骤301，预载操作系统；
81.步骤302，检测存储装置的擦写次数是否达到阈值；
82.这里，可以设置擦写p/e(program/erase)消耗次数阀值，例如100p/e周期，设置数据高保留区的存储容量，以确保该数据高保留区的存储容量远大于存储装置所在的电脑的操作系统的数据容量。在存储装置所在的电脑下载操作系统时，该存储装置自动确认该存储装置当前的擦写次数是否在设置的阈值内。如果检测到该擦写次数达到阈值(或超出该阈值)，则执行步骤308，如果检测到该擦写次数未达到阈值(或在该阈值内)，则执行步骤303；
83.步骤303，数据全部优先写入数据高保留区；
84.这里是指将写数据直接存储在数据高保留区。
85.步骤304，检测操作系统是否完成下载。
86.如果操作系统完成下载，执行步骤305；如果操作系统未完成下载，执行步骤303；
87.步骤305，检查以确保数据全部存储在数据高保留区；
88.如果当前的数据全部存储在数据高保留区，则执行步骤306；如果当前的数据部分存储在数据高保留区，部分存储在数据低保留区，则执行步骤309。
89.步骤306，向存储装置所在的主机发送完成指令；
90.步骤307，主机接到完成指令后，结束该操作系统的整个预载流程。
91.步骤308，是否完成数据写入至存储装置；
92.这里，是指通过随机方式将写数据随机写在存储装置的数据低保留区和数据高保留区，如果完成数据写入，则执行步骤309，如果未完成数据写入，则执行步骤301。
93.步骤309，触发数据迁移至数据高保留区指令；
94.步骤310，将数据低保留区的数据迁移至数据高保留区；
95.步骤311，确定迁移是否完成；
96.如果将数据低保留区的数据向数据高保留区迁移完成，则执行步骤312，如果没有迁移完成，则执行步骤310；
97.步骤312，向存储装置所在的主机发送迁移完成指令，并记录数据迁移完成的相应
信息到指定页。
98.这里，相应信息比如可以是当前数据的存储位置、数据存储容量等等。
99.步骤313，主机接到迁移完成指令后，结束该操作系统的整个预载流程。
100.通过本技术提供的数据处理方法，可以保证数据高保留区有足够的存储容量存储整个操作系统的数据，并且在待出厂状态下可以保证所有数据均在数据高保留区，降低因环境因素、长时间断电因素而导致数据损坏的风险。
101.另外，本技术还可以将数据低保留区动态转换成虚拟的数据高保留区，如此，可以降低成本，同时还可以将数据保留在数据高保留区以提高数据的存储时长。
102.图4为本技术中电子设备的结构组成示意图一，如图4所示，该电子设备包括：
103.存储装置401，用于存储数据；
104.处理单元402，用于响应于预设条件，将数据存储在所述存储装置中401的数据高保留区。
105.其中，所述数据高保留区的单个数据存储单元容量小于数据低保留区的单个数据存储单元容量；所述预设条件包括所述存储装置处于待出厂状态、数据操作指令、预设数据标识、所述存储装置的断电时长和所述存储装置的擦写次数中至少之一。
106.这里，处理单元402具体可以是处理器，比如中央处理器(cpu)。该电子设备可以是台式电脑、笔记本电脑、手机、智能手表等等。
107.在优选方案中，处理单元402在向存储装置401存储数据时，如果所述数据对应于数据迁移至数据高保留区指令，处理单元402可以响应于所述数据迁移至数据高保留区指令，将所述数据低保留区的所述数据迁移到所述数据高保留区；或者，如果所述数据对应于数据写入至数据高保留区指令，处理单元402可以响应于所述数据写入至数据高保留区指令，将所述数据直接存储在所述数据高保留区。
108.在优选方案中，如果处理单元402将所述数据低保留区的所述数据向所述数据高保留区迁移完成，处理单元402还用于向电子设备发送并记录所述数据迁移完成的反馈指令。
109.在优选方案中，如果所述数据中携带有所述预设数据标识，处理单元402可以将携带有所述预设数据标识的数据存储在所述存储装置401的数据高保留区。
110.在优选方案中，处理单元402还可以检测电子设备的出厂状态，如果检测到电子设备的通电记录为零，则确定电子设备处于待出厂状态。进一步地，处理单元402还可以检测电子设备在待出厂状态下的断电时长，如果电子设备在待出厂状态下的断电时长未超出第一预设时长，则将所述数据存储在所述存储装置401中的数据高保留区；或者，如果电子设备在已出厂状态下的断电时长超出第二预设时长，将所述数据存储在所述存储装置401中的数据高保留区。
111.其中，第一预设时长可以是技术人员预估的时长，第二预设时长可以是用户自行设置的时长。
112.优选方案中，该处理单元402还可以检测存储装置401的擦写次数，如果处理单元402检测到所述存储装置401的擦写次数为大于零，则将所述数据存储在所述存储装置401中的数据高保留区。
113.或者，如果处理单元402检测到所述存储装置401的擦写次数未超出预设擦写次
memory)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的ram可用，例如静态随机存取存储器(sram，static random access memory)、同步静态随机存取存储器(ssram，synchronous static random access memory)、动态随机存取存储器(dram，dynamic random access memory)、同步动态随机存取存储器(sdram，synchronous dynamic random access memory)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(ddrsdram，double data rate synchronous dynamic random access memory)、增强型同步动态随机存取存储器(esdram，enhanced synchronous dynamic random access memory)、同步连接动态随机存取存储器(sldram，synclink dynamic random access memory)、直接内存总线随机存取存储器(drram，direct rambus random access memory)。本技术实施例描述的存储器502旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
124.本技术实施例中的存储器502用于存储各种类型的数据以支持电子设备500的操作。这些数据的示例包括：用于在电子设备500上操作的任何计算机程序，如操作系统5021和应用程序5022；联系人数据；电话簿数据；消息；图片；视频等。其中，操作系统5021包含各种系统程序，例如框架层、核心库层、驱动层等，用于实现各种基础业务以及处理基于硬件的任务。应用程序5022可以包含各种应用程序，例如媒体播放器(media player)、浏览器(browser)等，用于实现各种应用业务。实现本技术实施例方法的程序可以包含在应用程序5022中。
125.上述本技术实施例揭示的方法可以应用于处理器501中，或者由处理器501实现。处理器501可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器501中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器501可以是通用处理器、数字信号处理器(dsp，digital signal processor)，或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。处理器501可以实现或者执行本技术实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者任何常规的处理器等。结合本技术实施例所公开的方法的步骤，可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于存储介质中，该存储介质位于存储器502，处理器501读取存储器502中的信息，结合其硬件完成前述方法的步骤。
126.在示例性实施例中，电子设备500可以被一个或多个应用专用集成电路(asic，application specific integrated circuit)、dsp、可编程逻辑器件(pld，programmable logic device)、复杂可编程逻辑器件(cpld，complex programmable logic device)、现场可编程门阵列(fpga，field-programmable gate array)、通用处理器、控制器、微控制器(mcu，micro controller unit)、微处理器(microprocessor)、或其他电子元件实现，用于执行前述方法。
127.在示例性实施例中，本技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，例如包括计算机程序的存储器502，上述计算机程序可由电子设备500的处理器501执行，以完成前述方法所述步骤。计算机可读存储介质可以是fram、rom、prom、eprom、eeprom、flash memory、磁表面存储器、光盘、或cd-rom等存储器；也可以是包括上述存储器之一或任意组合的各种设备，如移动电话、计算机、平板设备、个人数字助理等。
128.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器运行
时，可以执行上述数据处理方法中任一步骤。
129.在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。
130.上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。
131.本技术所提供的几个方法实施例中所揭露的方法，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的方法实施例。
132.本技术所提供的几个产品实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的产品实施例。
133.本技术所提供的几个方法或设备实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的方法实施例或设备实施例。
134.以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。