芯片级热特性分析方法、装置及终端设备与流程

1.本技术属于功率芯片技术技术领域，尤其涉及芯片级热特性分析方法、装置及终端设备。


背景技术：

2.随着电子产品小型化、超薄化的发展趋势，器件的功率密度日益提高，以氮化镓(gan)为代表的第三代半导体的发展受限于自热效应引起的结温升高问题。能否更好地解决散热问题成为限制电子产品小型化的关键因素。芯片级的热特性表征是电子产品热管理的基础，是评估可靠性的重要依据。
3.芯片级热管理不同于传统的系统级热管理，其物理尺度在微纳量级，数值仿真模型的尺寸跨度在3～4个数量级，由此带来了网格划分困难、计算资源要求过高的问题。


技术实现要素：

4.为克服相关技术中存在的问题，本技术实施例提供了芯片级热特性分析方法、装置及终端设备。
5.本技术是通过如下技术方案实现的：
6.第一方面，本技术实施例提供了一种芯片级热特性分析方法，包括：
7.获取芯片的参数，计算所述芯片单个中心热源的温升，所述参数包括所述芯片的结构参数、装配信息和热源面积比；根据所述芯片的参数和所述芯片单个中心热源的温升，得到所述芯片中功率管的热量分布；基于所述功率管的热量分布，进行内部热量再分配，得到所述功率管的结温；根据所述功率管的结温，迭代计算所述功率管的衬底热导率，直至所述功率管的衬底热导率偏差满足输出要求。
8.基于第一方面，在一些可能的实现方式中，所述计算所述芯片单个中心热源的温升，包括：根据扩散热阻理论，通过计算所述芯片的单个中心热源的温升；其中，φc为所述芯片的热阻的无量纲参数，λ为所述芯片的热源面积比，τ为所述芯片的热沉厚长比，bi为所述芯片的固体内部传热与外部散热关系的无量纲参数。
9.基于第一方面，在一些可能的实现方式中，所述芯片的参数包括所述芯片的发热功率管的具体位置、个数及间距，所述根据所述芯片的参数和所述芯片单个中心热源的温升，得到所述芯片中功率管的热量分布，包括：根据所述芯片的发热功率管的具体位置和所述芯片单个中心热源的温升，通过数值仿真得到所述单个功率管处于不同位置时的过余温度曲线，获取所述功率管的位置矫正系数；根据所述芯片的发热功率管个数及间距，建立单一中心热源的仿真模型，获取所述功率管不同位置的耦合系数矩阵，将所述位置矫正系数和所述耦合系数结合，得到所述功率管的热量分布。
10.基于第一方面，在一些可能的实现方式中，所述建立单一中心热源的仿真模型，包括：通过数值仿真得到所述单一功率管在所述芯片中心的过余温度曲线；对所述过余温度曲线进行处理，得到所述单一功率管耦合系数的表达式；代入所述功率管在芯片中的位置坐标，得到所述不同位置的功率管的耦合系数，基于叠加原理得到所述耦合系数矩阵。
11.基于第一方面，在一些可能的实现方式中，所述进行内部热量再分配，得到所述功率管的结温，包括：通过加窗方式获得所述功率管中发热沟道的温度；其中，所述加窗方式为保证温升在所述功率管面积内的积分一致，根据所述功率管的热量分布、功率管的面积和所述芯片中发热沟道的面积，得到所述芯片中发热沟道的温度；所述发热沟道的温度为芯片内温度最高点，记为结温。
12.基于第一方面，在一些可能的实现方式中，所述迭代计算所述功率管的衬底热导率，包括：基于衬底热导率随温度升高呈指数下降的关系，计算所述芯片在预设温度下的sic热导率；将所述结温θj代入公式k
sic
＝390
×
(θ/293)-1
.49，得到所述结温对应的所述衬底热导率；对所述衬底热导率与前一次计算得到的衬底热导率的偏差进行判断，若所述偏差满足输出要求，则停止迭代计算，并输出这一时刻的所述芯片的相应参数；若所述偏差不满足输出要求，则继续迭代运算，直至所述偏差满足输出要求，并输出此时所述芯片的相应参数。
13.基于第一方面，在一些可能的实现方式中，所述芯片的相应参数包括计算时间、结温、热阻以及脉冲条件下的瞬态结温。
14.上述芯片级热特性分析方法，在设计阶段输入芯片的尺寸、装配等设计信息，即可实现结温、热阻、瞬态结温等热学参数的预测，通过验证，结温预测误差在10％以内，避免了流片
→
测试
→
修正这一迭代过程，缩短了研发周期，显著提高了设计效率。
15.第二方面，本技术实施例提供了一种芯片级热特性分析装置，包括：获取模块，用于获取芯片的参数，计算所述芯片单个中心热源的温升，所述参数包括所述芯片的结构参数、装配信息和热源面积比；解析计算模块，用于根据所述芯片的参数，得到所述芯片中功率管的热量分布；再分配模块，用于基于所述功率管的热量分布，进行内部热量再分配，得到所述功率管的结温；迭代计算模块，用于根据所述功率管的平均温升，迭代计算所述功率管的衬底热导率，直至所述功率管的衬底热导率偏差符合标准。
16.第三方面，本技术实施例提供了一种芯片级热特性分析设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第一方面任一项所述的芯片级热特性分析方法。
17.第四方面，本技术实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如第一方面任一项所述的芯片级热特性分析方法。
18.第五方面，本技术实施例提供了一种计算机程序产品，当计算机程序产品在终端设备上运行时，使得终端设备执行上述第一方面中任一项所述的芯片级热特性分析方法。
19.可以理解的是，上述第二方面至第五方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述，在此不再赘述。
20.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本说明书。
附图说明
21.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
22.图1是本技术一实施例提供的芯片级热特性分析方法的应用场景示意图；
23.图2是本技术一实施例提供的芯片级热特性分析方法的流程示意图；
24.图3是本技术一实施例提供的单个功率管加窗示意图；
25.图4是本技术一实施例提供的迭代计算的流程示意图；
26.图5是本技术一实施例提供的脉冲条件下芯片级热特性分析方法的流程图；
27.图6是本技术一实施例提供的芯片级热特性分析系统的结构示意图；
28.图7是本技术一实施例提供的芯片级热特性分析系统的可视化界面；
29.图8是本技术实施例提供的芯片级热特性分析装置的结构示意图；
30.图9是本技术实施例提供的芯片级热特性分析装置的结构示意图；
31.图10是本技术实施例提供的终端设备的结构示意图。
具体实施方式
32.以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本技术实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本技术。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本技术的描述。
33.应当理解，当在本技术说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
34.还应当理解，在本技术说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
35.如在本技术说明书和所附权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。
[0036]
另外，在本技术说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0037]
在本技术说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本技术的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。
[0038]
随着电子产品小型化、超薄化的发展趋势，器件的功率密度日益提高，以氮化镓
(gan)为代表的第三代半导体的发展受限于自热效应引起的结温升高问题。能否更好地解决散热问题成为限制电子产品小型化的关键因素。芯片级的热特性表征是电子产品热管理的基础，是评估可靠性的重要依据。
[0039]
芯片级热管理不同于传统的系统级热管理，其物理尺度在微纳量级，数值仿真模型的尺寸跨度在3～4个数量级，由此带来了网格划分困难、计算资源要求过高的问题。
[0040]
基于上述问题，本技术实施例中的芯片级热特性分析方法，获取芯片的参数，计算芯片单个功率管的温升；根据芯片的参数和芯片单个中心热源的温升，得到芯片中功率管的热量分布；基于功率管的热量分布，进行内部热量再分配，得到功率管的结温；根据功率管的结温，迭代计算功率管的衬底热导率，直至功率管的衬底热导率偏差满足输出要求。
[0041]
举例说明，本技术实施例可以应用到如图1所示的示例性场景中。该场景中包括采集设备10和运算设备20。采集设备10用于获取芯片的相关参数并将相关参数传输至运算设备20，相关参数包括芯片的结构参数、装配信息和热源面积比。运算设备20用于构建芯片级热特性分析模型。
[0042]
例如，运算设备20计算芯片的单个中心热源温升，根据单个中心热源温升结合芯片的参数，得到芯片中功率管的热量分布，基于热量分布进行内部热量再分配，得到功率管的结温，迭代计算功率管的衬底热导率直至衬底热导率偏差满足输出要求，输出结温-位置曲线，得到芯片级热特性分析模型。
[0043]
本实施例中，运算设备20可以为计算机、手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、个人数字助理(personal digital assistant，pda)等终端，本技术实施例对设备的具体类型不作任何限制。
[0044]
以下结合图1对本技术的芯片级热特性分析方法进行详细说明。
[0045]
图2是本技术一实施例提供的芯片级热特性分析方法的示意性流程图，参照图2，对该芯片级热特性分析方法的详述如下：
[0046]
在步骤101中，获取芯片的参数，计算芯片单个中心热源的温升。
[0047]
其中，获取的芯片参数包括芯片的结构参数、装配信息和热源面积比。
[0048]
具体的，计算芯片单个中心热源的温升，包括：
[0049]
根据扩散热阻理论，通过计算芯片的单个中心热源的温升；其中，φc为芯片的热阻的无量纲参数，λ为芯片的热源面积比，τ为芯片的热沉厚长比，bi为芯片的固体内部传热与外部散热关系的无量纲参数。
[0050]
在步骤102中，根据芯片的参数和芯片单个中心热源的温升，得到芯片中功率管的热量分布。
[0051]
其中，芯片参数包括芯片的发热功率管的具体位置、个数及间距。
[0052]
示例性的，根据芯片的发热功率管的具体位置和芯片单个中心热源的温升，通过数值仿真得到单个功率管处于不同位置时的过余温度曲线，获取功率管的位置矫正系数；根据芯片的发热功率管个数及间距，建立单一中心热源的仿真模型，获取功率管不同位置的耦合系数矩阵，将位置矫正系数和耦合系数结合，得到功率管的热量分布。
[0053]
具体的，根据芯片的设计版图，确定发热功率管的具体位置，建立参数化模型：通过数值仿真得到单个功率管处于不同位置时的过余温度曲线，对该曲线进行多项式拟合并进行归一化处理得到位置修正系数表达式；代入功率管的坐标得到位置矫正系数向量：
[0054]
c1＝[c
1 c
2 ... cn]
[0055]
其中，n为同一级功率管的数目。将单个中心热源的温升与位置矫正系数向量相乘，得到参数化的单个中心热源模型。
[0056]
根据芯片的管子个数及间距，建立单一中心热源的仿真模型：通过数值仿真得到单个功率管处在芯片中心的过余温度曲线，对过余温度曲线进行高斯拟合并进行归一化处理得到耦合系数的表达式，代入功率管在芯片中的坐标，得到不同位置的耦合因子，通过叠加原理可以得到耦合系数矩阵
[0057][0058]
其中，n为同一级的功率管数目，m为单一功率管产生的过余温度位置坐标离散点数。将参数化的单个中心热源模型与耦合系数矩阵相乘，得到芯片功率管的平均温升，进而得到功率管的热量分布。
[0059]
在步骤103中，基于功率管的热量分布，进行内部热量再分配，得到功率管的结温。
[0060]
示例性的，通过加窗方式获得所述功率管中发热沟道的温度。
[0061]
其中，加窗方式为保证温升在所述功率管面积内的积分一致，根据功率管的热量分布、功率管的面积和芯片中发热沟道的面积，得到芯片中发热沟道的温度；将发热沟道的温度为芯片内温度最高点，记为结温。
[0062]
具体的，加窗的原则是保证温升在功率管面积内的积分一致，即
[0063][0064]
其中，δθ为功率管平均温升，a为功率管面积，δθi为单个栅条温升，a为栅条面积，n为单个功率管内栅条数目。
[0065]
发热沟道的温度为芯片内温度最高点，记为结温θj。热阻r＝δθj/q，其中，δθj为结温相对芯片边缘温度的温升，q为整个芯片的耗散功率。
[0066]
参见图3，图3为单个功率管加窗示意图。
[0067]
在步骤104中，根据功率管的结温，迭代计算功率管的衬底热导率，直至功率管的衬底热导率偏差满足输出要求。
[0068]
具体的，基于衬底热导率随温度升高呈指数下降的关系，计算芯片在预设温度下的sic热导率；将结温代入公式，得到结温对应的衬底热导率；对衬底热导率与前一次计算得到的衬底热导率的偏差进行判断，若偏差满足输出要求，则停止迭代计算，并输出这一时刻的芯片的相应参数；若偏差不满足输出要求，则继续迭代运算，直至偏差满足输出要求，并输出此时芯片的相应参数。
[0069]
其中，芯片的相应参数包括计算时间、结温、热阻以及脉冲条件下的瞬态结温。
[0070]
示例性的，参见图4，初始计算采用常温20℃下芯片的sic热导率，将芯片此刻对应的结温θj代入公式k
sic
＝390
×
(θ/293)-1.49
，判断计算出的衬底热导率与前一次迭代的衬底
热导率偏差是否小于5：如果是，则停止计算，输出结温、热阻等结果；如果不是，将计算出的衬底热导率参数代入公式k
sic
＝390
×
(θ/293)-1.49
，继续进行迭代计算，直到满足两次衬底热导率偏差值小于5，停止计算。
[0071]
一些实施例中，基于图2所示的实施例，上述芯片级热特性分析方法还可以包括：
[0072]
参见图5，芯片在脉冲条件下工作时，需要勾选脉冲条件复选框，输入信号周期t、占空比dr，得到信号脉宽tw＝t
×
dr。基于单个脉冲周期内温升对时间的积分一致原则，根据确定瞬态波动系数cf，进而得到周期内的瞬态结温θ
j,max
＝cfδθ
j,mean
θ0。
[0073]
参见图6，芯片级热特性分析系统结构包括：结构参数、装配信息模块，包括功率管、栅宽等芯片参数以及载体、夹具等装配参数，作为解析模型的输入条件；加电信息模块，包括漏压、漏电流、输出功率等参数；脉冲条件模块，包括周期、占空比等；输出窗口模块，输出解析模型结果，包括计算时间、结温、热阻以及脉冲条件下的瞬态结温等；可视化图形模块，输出结温-位置曲线。其中，可视化图形界面如图7所示。
[0074]
上述芯片级热特性分析方法，在设计阶段输入芯片的尺寸、装配等设计信息，即可实现结温、热阻、瞬态结温等热学参数的预测，通过验证，结温预测误差在10％以内，避免了流片
→
测试
→
修正这一迭代过程，缩短了研发周期，显著提高了设计效率。
[0075]
应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本技术实施例的实施过程构成任何限定。
[0076]
对应于上文实施例所述的芯片级热特性分析方法，图8示出了本技术实施例提供的芯片级热特性分析装置的结构框图，为了便于说明，仅示出了与本技术实施例相关的部分。
[0077]
参见图8，本技术实施例中的芯片级热特性分析装置可以包括获取模块201、解析计算模块202、再分配模块203、迭代计算模块204。
[0078]
其中，获取模块201，用于获取芯片的参数，计算芯片单个中心热源的温升；解析计算模块202，用于根据芯片的参数，得到芯片中功率管的热量分布；再分配模块203，用于基于功率管的热量分布，进行内部热量再分配，得到功率管的结温；迭代计算模块204，用于根据功率管的平均温升，迭代计算功率管的衬底热导率，直至功率管的衬底热导率偏差符合标准。
[0079]
示例性的，芯片的参数包括芯片的结构参数、装配信息和热源面积比。
[0080]
在一些实施例中，获取模块201具体可以用于：计算所述芯片单个中心热源的温升，包括：
[0081]
根据扩散热阻理论，通过计算所述芯片的单个中心热源的温升；其中，φc为所述芯片的热阻的无量纲参数，λ为所述芯片的热源面积比，τ为所述芯片的热沉厚长比，bi为所述芯片的固体内部传热与外部散热关系的无量纲参数。
[0082]
在一些实施例中，参见图9，基于图8所示的实施例，上述解析计算模块202可以包括位置矫正单元2021、耦合单元2022和整合单元2023。
[0083]
位置矫正单元2021，用于获取芯片中功率管的位置矫正系数。
[0084]
耦合单元2022，用于获取芯片中功率管的耦合系数矩阵。
[0085]
整合单元2023，用于将单个中心热源的温升与位置矫正系数及耦合系数矩阵相结合，得到功率管的热量分布。
[0086]
示例性的，位置矫正单元2021具体用于：
[0087]
根据所述芯片的发热功率管的具体位置和所述芯片单个中心热源的温升，通过数值仿真得到所述单个功率管处于不同位置时的过余温度曲线，获取所述功率管的位置矫正系数。
[0088]
耦合单元2022具体用于：
[0089]
根据所述芯片的发热功率管个数及间距，建立单一中心热源的仿真模型，获取所述功率管不同位置的耦合系数矩阵，将所述位置矫正系数和所述耦合系数结合，得到所述功率管的热量分布。
[0090]
通过数值仿真得到所述单一功率管在所述芯片中心的过余温度曲线；对所述过余温度曲线进行处理，得到所述单一功率管耦合系数的表达式；代入所述功率管在芯片中的位置坐标，得到所述不同位置的功率管的耦合系数，基于叠加原理得到所述耦合系数矩阵。
[0091]
在一些实施例中，再分配模块203具体可以用于：
[0092]
通过加窗方式获得所述功率管中发热沟道的温度；其中，所述加窗方式为保证温升在所述功率管面积内的积分一致，根据所述功率管的热量分布、功率管的面积和所述芯片中发热沟道的面积，得到所述芯片中发热沟道的温度；所述发热沟道的温度为芯片内温度最高点，记为结温。
[0093]
在一些实施例中，迭代计算模块204具体用于：
[0094]
基于衬底热导率随温度升高呈指数下降的关系，计算所述芯片在预设温度下的sic热导率；将所述结温θj代入公式k
sic
＝390
×
(θ/293)-1
.49，得到所述结温对应的所述衬底热导率；对所述衬底热导率与前一次计算得到的衬底热导率的偏差进行判断，若所述偏差满足输出要求，则停止迭代计算，并输出这一时刻的所述芯片的相应参数；若所述偏差不满足输出要求，则继续迭代运算，直至所述偏差满足输出要求，并输出此时所述芯片的相应参数。
[0095]
其中，所述芯片的相应参数包括计算时间、结温、热阻以及脉冲条件下的瞬态结温。
[0096]
在一些实施例中，芯片级热特性分析装置还可以包括脉冲模块，用于获取所述芯片在脉冲条件下工作的参数。
[0097]
需要说明的是，上述装置/单元之间的信息交互、执行过程等内容，由于与本技术方法实施例基于同一构思，其具体功能及带来的技术效果，具体可参见方法实施例部分，此处不再赘述。
[0098]
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上
描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中，上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。另外，各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本技术的保护范围。上述系统中单元、模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
[0099]
本技术实施例还提供了一种终端设备，参见图10，该终端设备300可以包括：至少一个处理器310、存储器320以及存储在所述存储器320中并可在所述至少一个处理器310上运行的计算机程序，所述处理器310执行所述计算机程序时实现上述任意各个方法实施例中的步骤，例如图2所示实施例中的步骤101至步骤104。或者，处理器310执行所述计算机程序时实现上述各装置实施例中各模块/单元的功能，例如图8所示模块201至204的功能。
[0100]
示例性的，计算机程序可以被分割成一个或多个模块/单元，一个或者多个模块/单元被存储在存储器320中，并由处理器310执行，以完成本技术。所述一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序段，该程序段用于描述计算机程序在终端设备300中的执行过程。
[0101]
本领域技术人员可以理解，图10仅仅是终端设备的示例，并不构成对终端设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件，例如输入输出设备、网络接入设备、总线等。
[0102]
处理器310可以是中央处理单元(central processing unit，cpu)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(digital signal processor，dsp)、专用集成电路(application specific integrated circuit，asic)、现成可编程门阵列(field-programmable gate array，fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
[0103]
存储器320可以是终端设备的内部存储单元，也可以是终端设备的外部存储设备，例如插接式硬盘，智能存储卡(smart media card，smc)，安全数字(secure digital，sd)卡，闪存卡(flash card)等。所述存储器320用于存储所述计算机程序以及终端设备所需的其他程序和数据。所述存储器320还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。
[0104]
总线可以是工业标准体系结构(industry standard architecture，isa)总线、外部设备互连(peripheral component，pci)总线或扩展工业标准体系结构(extended industry standard architecture，eisa)总线等。总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，本技术附图中的总线并不限定仅有一根总线或一种类型的总线。
[0105]
本技术实施例提供的芯片级热特性分析方法可以应用于计算机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、手机等终端设备上，本技术实施例对终端设备的具体类型不作任何限制。
[0106]
本技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现可实现上述芯片级热特性分析方法各个实施例中的步骤。
[0107]
本技术实施例提供了一种计算机程序产品，当计算机程序产品在移动终端上运行时，使得移动终端执行时实现可实现上述芯片级热特性分析方法各个实施例中的步骤。
[0108]
所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用
时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本技术实现上述实施例方法中的全部或部分流程，可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质至少可以包括：能够将计算机程序代码携带到拍照装置/终端设备的任何实体或装置、记录介质、计算机存储器、只读存储器(rom，read-only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质。例如u盘、移动硬盘、磁碟或者光盘等。在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不可以是电载波信号和电信信号。
[0109]
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
[0110]
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本技术的范围。
[0111]
在本技术所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/网络设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/网络设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。
[0112]
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
[0113]
以上所述实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本技术的保护范围之内。