微机电系统装置的制造方法、微机电系统装置和电子设备与流程

技术特征：
1.一种微机电系统装置的制造方法，其中，所述微机电系统装置包括薄膜型的微机电系统器件层，以及所述制造方法包括：在微机电系统衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成微机电系统器件层；经由临时键合层将载体层临时键合在微机电系统器件层上，其中，载体层是透明的并且是刚性的；通过对牺牲层进行处理以释放微机电系统器件层；通过曝光从所释放的微机电系统器件层上对载体层进行解键合；以及去除临时键合层。2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述载体层是载体晶元。3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述牺牲层是二氧化硅层或埋入氧化物层，以及所述牺牲层的厚度范围是0.5微米至2微米。4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述临时键合层的固化温度小于或等于150℃。5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述临时键合层的厚度范围是1微米至10微米或2微米至5微米。6.根据权利要求1所述的制造方法，还包括：在释放微机电系统器件层之前，在微机电系统衬底中与微机电系统器件层相对的位置形成背洞。7.根据权利要求1所述的制造方法，还包括：对微机电系统衬底进行处理，以使得它的厚度小于或等于250微米或者小于或等于100微米。8.根据权利要求1所述的制造方法，其中，微机电系统装置是微机电系统压电传感器。9.一种使用根据权利要求1所述的制造方法制造的微机电系统装置。10.一种电子设备，包括根据权利要求9所述的微机电系统装置。

技术总结
公开了一种微机电系统装置的制造方法、微机电系统装置和电子设备。微机电系统装置包括薄膜型的微机电系统器件层，以及该制造方法包括：在微机电系统衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成微机电系统器件层；经由临时键合层将载体层临时键合在微机电系统器件层上，其中，载体层是透明的并且是刚性的；通过对牺牲层进行处理以释放微机电系统器件层；通过曝光从所释放的微机电系统器件层上对载体层进行解键合；以及去除临时键合层。以及去除临时键合层。以及去除临时键合层。


技术研发人员：邹泉波 丁凯文 冷群文 周良 张贺存 李刚 周汪洋
受保护的技术使用者：歌尔微电子股份有限公司
技术研发日：2021.11.08
技术公布日：2022/3/7