应用于5G-Sub6G频段通信系统的射频功率放大器的制作方法

技术特征：
1.一种应用于5g-sub6g频段通信系统的射频功率放大器，其特征在于，包括依次串联连接的第一级匹配网络、第一晶体管q1、第二级匹配网络、第二晶体管q2、第三级匹配网络、第三晶体管q3以及输出匹配网络；所述第一级匹配网络的输入端用于连接输入信号rfin，所述第一级匹配网络的输出端与第一晶体管q1的基极连接，所述第一晶体管q1的发射极接地且集电极与第二级匹配网络的输入端连接，所述第二级匹配网络的输出端与所述第二晶体管q3的基极连接，所述第二级晶体管q2的发射极接地且集电极与所述第三级匹配网络的输入端连接，所述第三级匹配网络的输出端与所述第三晶体管q3的基极连接，所述第三晶体管q3的发射极接地且集电极与所述输出匹配网络的输入端连接，所述输出匹配网络的输出端用于输出信号rfout；所述第一级匹配网络包括谐振单元，所述谐振单元包括第一电容c1、第一电阻r1和第一电感l1，所述第一电容c1的一端和所述第一晶体管q1的基极并联且连接节点用于输入所述输入信号rfin，所述第一电容c1的另一端与所述第一电感l1的一端连接，所述第一电感l1的另一端接地，所述第一电阻r1并联在所述第一电感l1的两端。2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一级匹配网络还包括第二电容c2、第三电容c3以及第二电感l2，所述第二电容c2的一端与所述第二电感l2的一端、所述第三电容c3的一端相连接，所述第二电容c2的一端与所述连接节点连接，所述第三电容c3的另一端与所述第一晶体管q1的基极连接，所述第二电感l2的另一端接地。3.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，还包括第二电阻r2和负反馈网络，所述第二电阻r2串联在所述第三电容c3和所述第一晶体管q1的基极之间，所述负反馈网络连接在所述第一晶体管q1的集电极和基极之间，并与所述第二电阻r2并联。4.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，所述负反馈网络包括第三电阻r3和第四电容c4，其中所述第三电阻r3的一端与所述第一晶体管q1的基极连接，所述第三电阻r3的另一端与所述第四电容c4的一端连接，所述第四电容c4的另一端与所述第一晶体管q1的集电极连接。5.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第二级匹配网络包括第五电容c5、第六电容c6、第三电感l3以及第四电感l4；所述第五电容c5和所述第六电容c6串联在所述第一晶体管q1的集电极和所述第二晶体管q2的基极之间，所述第三电感l3的一端连接所述第一晶体管q1的集电极且另一端连接电压信号vcc1，所述第四电感l4的一端连接在所述第五电容c5和所述第六电容c6之间且另一端接地；其中在所述第六电容c6和所述第二晶体管q2的基极之间还串联有第四电阻r4。6.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第三级匹配网络包括第七电容c7、第八电容c8、第五电感l5以及第六电感l6；所述第七电容c7和所述第八电容c8串联在所述第二晶体管q2的集电极和所述第三晶体管q3的基极之间，所述第五电感l5的一端连接所述第二晶体管q2的集电极且另一端连接电压信号vcc2，所述第六电感l6的一端连接在所述第七电容c7和所述第八电容c8之间且另一端接地；其中在所述第八电容c8和所述第三晶体管q3的基极之间还串联有第五电阻r5。7.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述输出匹配网络包括第九电
容c9、第十电容c10、第七电感l7以及第八电感l8；所述第九电容c9和所述第十电容c10串联且串联的一端与所述第三晶体管q3的集电极，串联的另一端用于输出信号rfout，所述第七电感l7的一端连接所述第三晶体管q3的集电极且另一端连接电压信号vcc3，所述第八电感l8的一端连接在所述第九电容c9和所述第十电容c10之间且另一端接地。8.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，还包括分别为所述第一晶体管q1的基极、所述第二晶体管q2的基极以及所述第三晶体管q3的基极提供偏置电压的第一偏置电路、第二偏置电路以及第三偏置电路；所述第一偏置电路、第二偏置电路以及第三偏置电路均为相同的偏置电路结构。9.根据权利要求8所述的射频功率放大器，其特征在于，所述偏置电路结构包括第四晶体管q4至第八晶体管q8、第六电阻r6至第15电阻r15，第十一电容c11至第十三电容c13；其中，所述第四晶体管q4的集电极与所述第五晶体管q5的基极、所述第六电阻的一端连接，所述第五晶体管q5的集电极与所述第六晶体管q6的基极、所述第八电阻r8的一端连接，所述第六晶体管q6的集电极与所述第七晶体管q7的基极、所述第十电阻r10的一端连接，所述第六电阻r6的另一端与所述第八电阻r8的另一端、第十电阻r10的另一端均连接至电压信号vreg，所述第四晶体管q4的发射极、第五晶体管q4的发射极以及第六晶体管q6的发射极分别通过所述第七电阻r7、第九电阻r9以及第十一电阻r11接地；所述第四晶体管q4的基极与所述第十四电阻r14的一端连接，所述第十四电阻r14的另一端与所述第十二电阻r12的一端、所述第十三电容c13的一端、所述第七晶体管q7的发射极并联，所述第七晶体管q7的集电极连接电压信号vbat，所述第十二电阻r12的另一端与所述第八晶体管q8的集电极和基极连接，所述第八晶体管q8的发射极通过所述第十三电阻r13接地，所述第十三电容c13的另一端接地，所述第十一电容c11的一端与所述第七晶体管q7的基极并联且另一端接地，所述第十二电容c12的一端与所述第七晶体管q7的发射极并联且另一端接地，所述第十五电阻r15的一端连接所述第七晶体管q7的发射极且另一端用于输出偏置电压。

技术总结
本发明实施例公开了一种应用于5G-Sub6G频段通信系统的射频功率放大器，包括依次串联连接的第一级匹配网络、第一晶体管Q1、第二级匹配网络、第二晶体管Q2、第三级匹配网络、第三晶体管Q3以及输出匹配网络，输入信号RFin依次经过第一晶体管Q1、第二晶体管Q2以及第三晶体管Q3的放大后经由输出匹配网络输出，其中所述第一级匹配网络包括谐振单元，所述谐振单元包括第一电容C1、第一电阻R1和第一电感L1，所述第一电容C1的一端和所述第一晶体管Q1的基极并联且连接节点用于输入所述输入信号RFin，所述第一电容C1的另一端与所述第一电感L1的一端连接，所述第一电感L1的另一端接地，所述第一电阻R1并联在所述第一电感L1的两端，由此可以提高增益平坦度。以提高增益平坦度。以提高增益平坦度。


技术研发人员：谢志远 赵宇霆 郭嘉帅
受保护的技术使用者：深圳飞骧科技股份有限公司
技术研发日：2021.10.14
技术公布日：2022/3/4