晶圆升降柱及其制备方法、晶圆处理设备与流程

技术特征：
1.一种晶圆升降柱，设置于半导体基座内，以用于升降晶圆，其特征在于，所述晶圆升降柱包括金属基体和陶瓷涂层，所述陶瓷涂层设置于所述金属基体的外表面。2.根据权利要求1所述的晶圆升降柱，其特征在于，所述金属基体的全部外表面均设置有所述陶瓷涂层。3.根据权利要求1所述的晶圆升降柱，其特征在于，所述陶瓷涂层的厚度为0.01mm-1mm。4.根据权利要求1所述的晶圆升降柱，其特征在于，所述晶圆升降柱的上端部的所述金属基体的外表面设置的所述陶瓷涂层的厚度大于所述金属基体的剩余外表面设置的所述陶瓷涂层的厚度，所述上端部为所述晶圆升降柱承托晶圆的端部。5.根据权利要求1所述的晶圆升降柱，其特征在于，所述陶瓷涂层设置于所述金属基体至少部分外表面，所述至少部分外表面包括位于外凸部的所述金属基体的外表面，所述外凸部为所述晶圆升降柱上升凸出所述基座的升降孔结构的部分，所述外凸部的长度为10mm-15mm。6.根据权利要求1所述的晶圆升降柱，其特征在于，所述晶圆升降柱承托晶圆的上端部的所述陶瓷涂层为半球面结构。7.根据权利要求1所述的晶圆升降柱，其特征在于，所述晶圆升降柱承托晶圆的上端部的所述陶瓷涂层为锥形结构，所述上端部的所述陶瓷涂层的顶端面为球面结构，且所述顶端面设有环形凹槽。8.根据权利要求1所述的晶圆升降柱，其特征在于，所述晶圆升降柱承托晶圆的上端部的所述陶瓷涂层为锥形结构，且所述上端部的所述陶瓷涂层的顶端面为球面结构。9.根据权利要求1所述的晶圆升降柱，其特征在于，所述陶瓷涂层的材料为氧化铝和氮化铝中的任意一种。10.根据权利要求1所述的晶圆升降柱，其特征在于，所述晶圆升降柱包括上部件、下部件和高度调节结构，所述上部件和所述下部件通过所述高度调节结构连接固定。11.根据权利要求1-10任意一项所述的晶圆升降柱的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1：提供所述金属基体；s2：在所述金属基体的外表面形成所述陶瓷涂层。12.根据权利要求11所述的晶圆升降柱的制备方法，其特征在于，所述步骤s2中在所述金属基体的外表面形成所述陶瓷涂层的步骤之后还包括步骤：s3：对所述晶圆升降柱的上端部的所述陶瓷涂层进行加工处理，以得到承托晶圆的承托结构。13.根据权利要求11所述的晶圆升降柱的制备方法，其特征在于，所述步骤s2中在所述金属基体的外表面形成所述陶瓷涂层的步骤包括：通过喷涂方式和涂布方式中的任意一种在所述金属基体的外表面形成所述陶瓷涂层。14.一种晶圆处理设备，其特征在于，包括设置于腔体内的基座和如权利要求1-10任意一项所述的晶圆升降柱，所述基座设有升降孔结构，所述晶圆升降柱活动设置于所述升降孔结构以升降晶圆。15.根据权利要求14所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述晶圆处理设备包括处理模
块和装卸模块中的至少一种，所述腔体为所述处理模块和所述装卸模块中的任意一种的腔体。

技术总结
本发明提供了一种晶圆升降柱，设置于半导体基座内，以用于升降晶圆，所述晶圆升降柱包括金属基体和陶瓷涂层，所述陶瓷涂层设置于所述金属基体的外表面，使得减小了晶圆升降柱折断的概率，减少了PA产生，即通过金属材料制成的所述金属基体导电性好，可以有效地转移走静电，而且金属基体易加工，成型性强，韧性好，不易折断，而所述陶瓷涂层耐磨损，可解决PA超标引起的问题，而且所述陶瓷涂层可以重复加工，使得晶圆升降柱顶部承托晶圆的承托结构可以翻新使用。本发明还提供了所述晶圆升降柱的制备方法和晶圆处理设备。备方法和晶圆处理设备。备方法和晶圆处理设备。


技术研发人员：谈太德 郭月 杨辰烨 陈新益
受保护的技术使用者：拓荆科技股份有限公司
技术研发日：2021.12.03
技术公布日：2022/3/4