一种透明电极组件、装置及透明电极组件制备方法与流程

1.本发明涉及电极技术领域，更具体地说，是涉及一种透明电极组件、装置及透明电极组件制备方法。


背景技术：

2.随着显示技术的高速发展，显示器的发展也可谓日新月异，例如触摸屏幕结构中，显示屏幕的表面还设有需要导电的结构，以实现触控功能。这些结构将或多或少地对发光产生吸收或反射，对发光效率甚至显示效果产生影响，必须使用具有高透过率的导电材料。例如，商业应用中广泛使用的是以掺杂锡的氧化铟薄膜(indium tin oxide，ito)为代表金属氧化物薄膜。
3.然而，在制作触摸屏幕的过程中，需要对其中的电极结构进行图案化，以满足设计需求，图案化会导致电极结构各个部分的光线透过率发生变化，使得各个部分的光线透过率不同，容易出现电极的底影，影响整体透明效果。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种透明电极组件，以解决现有技术中图案化导致容易出现电极的底影，影响整体透明效果的技术问题。
5.为实现上述目的，本发明的第一方面，提供一种透明电极组件，透明电极组件包括：
6.透明基底层；
7.经过图案化的透明电极，所述透明电极设于所述基底层的表面；
8.消影层，由光致变色材料制成，包括第一消影区和第二消影区，所述第一消影区设于所述透明电极背向所述基底层的表面，所述第二消影区设于经过蚀刻的所述透明电极之间且位于所述基底层的表面。
9.在一个实施例中，所述第二消影区由所述光致变色材料经预设波段的光谱照射后形成。
10.在一个实施例中，所述光谱为紫外光。
11.在一个实施例中，所述第二消影区的透光率低于所述第一消影区的透光率。
12.在一个实施例中，所述光致变色材料为共轭有机分子材料。
13.在一个实施例中，所述共轭有机分子材料包括以下材料中的至少一种：共轭二烯烃、α，β不饱和醛酮、苯乙烯、苯乙酮。
14.在一个实施例中，所述第一消影区的厚度为200纳米～1000纳米；
15.所述第二消影区的厚度为200纳米～1000纳米。
16.在一个实施例中，所述第一消影区的透光率为86～90％；
17.所述第二消影区的透光率为86～90％。
18.在一个实施例中，所述透明电极包括：
19.第一透明介质层，设于所述基底层的表面；
20.第二透明介质层，设于所述第一透明介质层和所述消影层之间；
21.导电单元，设于所述第一透明介质层和所述第二透明介质层之间，所述导电单元包括至少两层透明导电层和第三透明介质层，相邻两所述导电层之间设有所述第三透明介质层。
22.在一个实施例中，所述导电层由金属材料制成，所述金属材料包括银、金、铜、铝中的至少一种；
23.或者，以银、金、铜、铝中的至少一种金属为主要成分的合金。
24.在一个实施例中，所述导电层的厚度范围为2～25纳米。
25.在一个实施例中，所述透明电极的透光率为40％～90％，所述透明电极的电阻为0.05～20欧姆/平方。
26.在一个实施例中，所述透明电极还包括透明外导电层；
27.所述第二透明介质层背向所述导电单元一侧的表面设有所述外导电层；
28.和/或，所述第一透明介质层背向所述导电单元一侧的表面设有所述外导电层。
29.本发明提供的一种透明电极组件的有益效果至少在于：本发明实施例通过分别设置第一消影区和第二消影区，可以使得整个透明电极组件对于光谱(例如可见光)的透过率相同，从消影层一侧观看时，不会观看到其中透明电极的底影，从而达到消影的目的。
30.本发明的第二方面，提供了一种装置，包括上述的透明电极组件。
31.在一个实施例中，所述装置为显示装置，所述显示装置包括液晶显示器、oled显示器、投影显示器、平板显示器、眼睛佩戴显示器、透明显示器或透视显示器。
32.在一个实施例中，所述装置为触控装置。
33.在一个实施例中，所述装置为透明天线，所述透明天线适用于4g通讯波段和/或5g通讯波段和/或6g通讯波段。
34.本发明的第三方面，提供了一种透明电极组件制备方法，包括：
35.在经过图案化的透明电极表面设置消影层，所述消影层由光致变色材料制成；
36.在所述透明电极背向所述消影层的一侧采用预设波段的光谱进行照射，以使得所述消影层在光谱的作用下变色，形成第一消影区和第二消影区，以获取透明电极组件，其中所述第一消影区设于所述透明电极背向基底层的表面，所述第二消影区设于经过蚀刻的所述透明电极之间且位于基底层的表面。
37.在一个实施例中，所述光谱为紫外光。
38.在一个实施例中，所述光致变色材料为共轭有机分子材料。
39.本发明提供的一种透明电极组件制备方法的有益效果至少在于：本发明实施例通过在图案化的透明电极表面设置消影层，并通过预设波段的光谱从背向消影层的一侧对其进行照射，可以使得消影层的结构发生变化，从而形成透射率不同的第一消影区和第二消影区，可以使得整个透明电极组件对于光谱的透过率相同，从消影层一侧观看时，不会观看到其中透明电极的底影，从而达到消影的目的。
附图说明
40.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述
中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
41.图1为本发明实施例提供的透明电极组件的结构示意图；
42.图2为本发明实施例提供的透明电极组件中第一种透明电极的结构示意图；
43.图3为本发明实施例提供的透明电极组件中第二种透明电极的结构示意图；
44.图4为本发明实施例提供的透明电极组件中第三种透明电极的结构示意图；
45.图5为本发明实施例提供的透明电极组件中第四种透明电极的结构示意图；
46.图6为本发明实施例提供的透明电极组件制备方法的流程示意图；
47.图7为本发明实施例提供的透明电极组件制备方法中透明电极组件的形成示意图。
具体实施方式
48.为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
49.需要说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接或者间接位于该另一个部件上。当一个部件被称为“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置为基于附图所示的方位或位置，仅是为了便于描述，不能理解为对本技术方案的限制。术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
50.请参阅图1，本发明实施例的目的在于提供一种透明电极组件，透明电极组件包括透明基底层10、经过图案化的透明电极20以及消影层30。其中，经过图案化的透明电极20设于基底层10的表面，消影层30由光致变色材料制成，包括第一消影区301和第二消影区302，第一消影区301设于透明电极20背向基底层10的表面，第二消影区302设于经过蚀刻的透明电极20之间且位于基底层10的表面。
51.在本实施例中，基底层10由透明材料制成，其具有高透光率，从而确保电磁光谱可以透过该透明电极。透明电极20在图案化的过程中，部分会被蚀刻，从而形成预设图案；通过在透明电极20的表面铺设一层光致变色材料形成消影层，部分光致变色材料会填充于透明电极20蚀刻的位置处，与蚀刻位置处相对应的部分为第二消影区302，设于未蚀刻的透明电极20表面的部分则为第一消影区301。
52.本实施例通过分别设置第一消影区301和第二消影区302，可以使得整个透明电极组件对于光谱(例如可见光)的透过率相同，从消影层30一侧观看时，不会观看到其中透明电极20的底影，从而达到消影的目的。本实施例提供的透明电极组件可以应用于诸多领域，例如可以应用于显示领域，由于可以起到良好的消影作用，从而可以确保具有良好的显示效果。
53.进一步地，为了确保消影层30能够起到良好的消影效果，需要对消影层30的透过
率进行调整。由于消影层30是由光致变色材料制成，因此当采用预设波段的光谱对消影层30进行照射时，消影层30照射到的部分将会发生变化，其颜色会变深，从而降低通过该部分的光线的透过率；而未被照射的部分则不会发生变化。在本实施例中，对消影层30进行照射的光谱为紫外光，透明电极20可以有效吸收紫外光，从而导致紫外光无法透过到达第一消影层301；而透明电极20被蚀刻的部分则无法吸收紫外线，从而紫外线可以照射至第二消影层302，使得第二消影层302发生变化。当然，在其他实施例中，根据光致变色材料的不同，也可以通过其他波段的光谱对消影层30进行照射。可以理解的是，随着光致变色材料的不同，光谱的具体波长范围也可以相应进行调整。
54.进一步地，第一消影区301和第二消影区302的透光率不同。考虑到透明电极20对于光谱的吸收作用，图案化后的透明电极20中，未被刻蚀部分的透明电极的透光率小于被刻蚀部分的透明电极的透光率，因此需要对透明电极的透光率进行调整，通过将第二消影区302的透光率调整为小于第一消影区301的透光率，从而可以使得透明电极组件的各个部分的透光率趋于一致，起到消影的作用。
55.进一步地，光致变色材料为共轭有机分子材料，从而可以起到良好的消影作用。共轭有机分子材料包括以下材料中的至少一种：共轭二烯烃、α，β不饱和醛酮、苯乙烯、苯乙酮。当满足条件的紫外光被共轭有机分子材料吸收后，其分子结构会发生变化，从而导致其透光率等性质发生变化，达到调节透光率的目的。在本实施例中，所述第一消影区的透光率为86～90％，所述第二消影区的透光率为86～90％。当然，在其他实施例中，第一消影区和第二消影区的透光率还可以为其他值，并不仅限于上述的情形。
56.为了达到更好的消影效果，本实施例中第一消影区的厚度为200nm～1000nm，所述第二消影区的厚度为200nm～1000nm。当然，在其他实施例中，第一消影区和第二消影区的厚度还可以为其他值，并不仅限于上述的情形。
57.请参阅图2，进一步地，透明电极20包括层叠设置的第一透明介质层21、导电单元22以及第二透明介质层23。其中，第一透明介质层21设于基底层10的表面，第二透明介质层23设于第一透明介质层21与消影层30之间，导电单元22设于第一透明介质层21和第二透明介质层23之间。导电单元22包括至少两层透明导电层221和第三透明介质层222，相邻两导电层221之间设有第三透明介质层222。
58.在本实施例中，基底层10、透明电极的介质层(包括第一透明介质层21、第二透明介质层23以及第三透明介质层222)以及导电层221均由透明材料制成，其具有高透光率，从而确保电磁光谱可以透过该透明电极。不仅如此，导电单元22中设置有至少两层导电层221，其可以在提高透光率的同时，降低透明电极的电阻，有利于电信号的传输。
59.本实施例提供的透明电极可以满足同时具有低电阻和高透光率的要求。具体地，本实施例通过在两层透明介质层之间设置一导电单元，导电单元中设置至少两层导电层，且两相邻层导电层之间通过一透明介质层实现电性隔离。由于导电单元中包括多层导电层，其可以视为一个特殊的一维光子晶体结构，在每一个界面处都会发生光的部分反射和部分透射，而透射光的相长干涉可有效增强整个透明电极中叠层的整体传输，从而可以提高透光率。因此，通过设置多层导电层，可以减少每层导电层的厚度，不仅可以保证透明电极的导电性能，而且可以有效降低电磁光谱透过导电单元时的损耗，提高透光率。
60.应当理解的是，导电单元22中导电层221的数量可以根据需要进行设置，此处给出
几种可以选择的方式。
61.请参阅图2，在一个实施例中，导电层221的数量为两层，第三透明介质层222的数量为一层，第三透明介质层222设于两导电层221之间，两导电层221分别与第一透明介质层21和第二透明介质层23连接。此时透明电极的结构为一个层状结构，包括依次层叠设置的：第一透明介质层21、导电层221、第三透明介质层222、导电层221以及第二透明介质层23。与采用一个导电层相比，采用两个导电层时每个导电层的厚度可以降低，从而在确保低电阻的同时，整体的透光率提高。
62.请参阅图3，在一个实施例中，导电层221的数量为三层，第三透明介质层222的数量为两层，两相邻导电层221之间设有一第三透明介质层222，位于两侧的两导电层221分别与第一透明介质层21和第二透明介质层23连接。此时透明电极的结构为一个层状结构，包括依次层叠设置的：第一透明介质层21、导电层221、第三透明介质层222、导电层221、第三透明介质层222、导电层221以及第二透明介质层23。与采用一个导电层相比，采用三个导电层时每个导电层的厚度可以进一步降低，从而在确保低电阻的同时，整体的透光率提高。
63.请参阅图4，在一个实施例中，导电层221的数量为四层，第三透明介质层222的数量为三层，两相邻导电层221之间设有一第三透明介质层222，位于两侧的两导电层221分别与第一透明介质层21和第二透明介质层23连接。此时透明电极的结构为一个层状结构，包括依次层叠设置的：第一透明介质层21、导电层221、第三透明介质层222、导电层221、第三透明介质层222、导电层221、第三透明介质层222、导电层221以及第二透明介质层23。与采用一个导电层相比，采用四个导电层时每个导电层的厚度可以进一步降低，从而在确保低电阻的同时，整体的透光率提高。
64.当然，在其他实施例中，导电单元22中导电层221的数量也可以为四层以上，并不仅限于上述的情形，此处不做限制。
65.进一步地，导电层221的制作材料可以根据需要进行选择。为了确保导电层的导电性能，本实施例采用金属材料制作导电层221。金属材料的具体类型可以根据需要进行选择，例如可以为银(ag)、铝(al)、金(au)、铜(cu)、钛(ti)、镍(ni)、铬(cr)、镁(mg)、钽(ta)等，其可以是某一种金属；也可以是以银、金、铜、铝中的至少一种金属为主要成分的合金，合金中还包括其他金属(例如镍、钯、钨等)。
66.例如，导电层221由金属银等单金属制成，具有良好的导电性和透光性。应当理解的是，导电单元22中的多层导电层221可以由相同的金属材料制作而成(例如均由金属银制成)，也可以分别由不同的金属材料制作而成(例如其中一层导电层221由金属银制成，另一层导电层221由金属铝制成，再一层导电层221由金属铜制成等)，此处不做限制。考虑到实际制程，可以选择用同种金属材料制作所有的导电层221。
67.再如，导电层221还可以由两种金属组成，例如，导电层221可以包含第一金属和第二金属，其中第一金属为银、金或铜，第二金属为铝(al)、钛(ti)、镍(ni)、铬(cr)、镁(mg)、铜(cu)或钽(ta)等，第一金属和第二金属的比例可以根据需要进行调整，以改善晶粒大小及表面平整度，从而可以进一步对透明电极的透光率和电阻进行调整，以满足多样化的性能要求。应当理解的是，导电单元22中的多层导电层221可以由相同的金属组合制作而成(例如第一金属均为银，第二金属均为铝)，也可以分别由不同的金属组合制作而成(例如其中一层导电层221的第一金属为银、第二金属为铝，另一层导电层221的第一金属为银、第二
金属为钛，再一层导电层221的第一金属为银、第二金属为镍等)，此处不做限制。考虑到实际制程，可以选择用同种金属组合制作所有的导电层221。
68.进一步地，介质层(包括第一透明介质层21、第二透明介质层23以及第三透明介质层222)的制作材料可以根据需要进行选择。例如，介质层可以由无机材料制成，例如si3n4、aln、moo3、znse、zns、znte、igzo、gan等；也可以由金属氧化物制成，例如ta2o5、zno、ito、azo、tio2、teo2、wo3、nio,hfo2、al2o3、sio2、vo2、v2o5、geo2、sio、zro2、y2os、yb2o3等，可以包含其中的一种，也可以包含两种以上的混合物；还可以由有机材料制成，例如导电高分子材料，导电高分子材料至少包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)(pedot:pss)、聚苯胺(polyaniline)、聚吡咯(poly(ppyrole))以及聚噻吩(polythiophene)中的一种。
69.应当理解的是，不同介质层可以采用相同类型的材料制成(例如，第一透明介质层21、第二透明介质层23以及第三透明介质层222均可以由无机材料、金属氧化物或有机材料制成)，也可以采用不同的材料制成(例如，第一透明介质层21由无机材料制成，第二透明介质层23由金属氧化物制成，第三透明介质层222由有机材料制成)。当第三透明介质层222的数量为两层或以上时，多层第三透明介质层222可以采用相同的材料制成(例如，多层第三透明介质层222均采用zno制成)，也可以采用不同的材料制成(例如，一第三透明介质层222采用zno制成，另一第三透明介质层222采用al2o3制成等)，此处不做限制。
70.进一步地，根据使用场景的不同，基底层10可以由不同类型的透明材料制成。在一个实施例中，基底层10可以由刚性透明材料制成，例如可以由玻璃、熔融石英,al2o3等制成，此时透明电极可以应用于普通的显示器以及电子设备等装置中，此时的显示器或电子设备等不需要进行弯曲，因此基底层10可以对其上的介质层以及导电层起到良好的支撑和固定作用。而当透明电极需要应用于柔性装置中，基底层10可以由柔性透明材料制成，例如可以由pet、pen、cop、cpi、pc等材料制成。此时透明电极可以具有良好的柔韧性，可以随着柔性装置的弯曲而弯曲，满足柔性装置的使用需求。
71.在一个实施例中，基底层10的厚度为：5～500微米(例如可以为10～200微米)，从而可以对透明电极中其他层起到良好的支撑作用和固定作用，同时具有良好的透光率。例如，当基底层10为熔融石英(fused silica)时，其厚度可以设置为50-500微米。
72.进一步地，透明电极中各层的厚度可以根据需要进行设置。
73.在一个实施例中，导电层221的厚度范围为2～25纳米(例如可以为4～15纳米)，从而可以确保导电层221具有良好的导电性能和透光率。可以理解的是，随着导电层221层数的增多，可以减少每层导电层221的厚度。例如，当导电层221的数量为两层时，每层导电层221的厚度可以设置为20纳米；当导电层221的数量增加至三层时，每层导电层221的厚度可以设置为13纳米；当导电层221的数量增加至四层时，每层导电层221的厚度可以设置为10纳米。当然，在一个透明电极中，每层导电层221的厚度可以设置为相同，也可以设置为不同，此处不做限制。
74.在一个实施例中，第一透明介质层21的厚度范围为30～120纳米，从而可以确保第一透明介质层21可以对导电层221起到良好的保护作用和电性隔离作用，同时具有良好的透光率。可以理解的是，随着导电单元22的不同，第一透明介质层21的厚度也可以不同。例如，当导电层221的数量为两层时，第一透明介质层21的厚度可以设置为44纳米；当导电层221的数量为三层时，第一透明介质层21的厚度可以设置为42纳米；当导电层221的数量为
四层时，第一透明介质层21的厚度可以设置为40纳米。当然，在其他实施例中，对于不同的导电单元22，第一透明介质层21的厚度也可以设置为相同，此处不做限制。
75.在一个实施例中，第二透明介质层23的厚度范围为30～120纳米，从而可以确保第二透明介质层23可以对导电层221起到良好的保护作用和电性隔离作用，同时具有良好的透光率。可以理解的是，随着导电单元22的不同，第二透明介质层23的厚度也可以不同。例如，当导电层221的数量为两层时，第二透明介质层23的厚度可以设置为45纳米；当导电层221的数量为三层时，第二透明介质层23的厚度可以设置为43纳米；当导电层221的数量为四层时，第二透明介质层23的厚度可以设置为41纳米。当然，在其他实施例中，对于不同的导电单元22，第二透明介质层23的厚度也可以设置为相同，此处不做限制。
76.在一个实施例中，第三透明介质层222的厚度范围为30～120纳米，从而可以确保第三透明介质层222可以对导电层221起到良好的保护作用和电性隔离作用，同时具有良好的透光率。可以理解的是，随着导电单元22中导电层221的不同，第三透明介质层222的厚度也可以不同。例如，当导电层221的数量为两层时，第三透明介质层222的数量为一层，其厚度可以设置为101纳米；当导电层221的数量为三层时，第三透明介质层222的数量为两层，每层厚度可以设置为98纳米；当导电层221的数量为四层时，第三透明介质层222的数量为三层，每层厚度可以设置为90纳米。
77.应当理解的是，当第三透明介质层222的数量为两层以上时，各层第三透明介质层222的厚度也可以设置为不同。例如，当导电层221的数量为三层时，第三透明介质层222的数量为两层，其中一层的厚度可以设置为98纳米，另一层的厚度可以设置为101纳米；当导电层221的数量为四层时，第三透明介质层222的数量为三层，其中一层的厚度可以设置为88纳米，另一层的厚度可以设置为91纳米，再一层的厚度可以设置94纳米。
78.在进行导电层221的制备时，金属导电层221可以通过物理气相沉积(pvd)工艺、化学气相沉积(cvd)工艺、溅射工艺、原子层沉积(ald)工艺等成型于第三透明介质层222的表面。当导电层221中金属为两种或以上时，可以通过共沉积的方式制备，共沉积通过pvd溅射法，例如磁控溅射、热蒸镀、电子束蒸镀等方式实现。
79.本实施例提供的透明电极，透过的电磁波谱的波长优选为380nm～780nm，透光率范围为40％～90％。例如，对于选定的电磁光谱的目标波长或波长范围(其可以是偏振或非偏振的)，其透光率可以大于或等于40％，或者大于或等于50％，或者大于或等于55％，或者大于或等于60％，或者大于或等于65％，或者大于或等于70％，或者大于或等于75％，或者大于或等于80％，或者大于或等于85％，或者大于或等于90％。当然，在一些实施例中，对于选定的电磁光谱的目标波长，其透光率可以更高。透明电极中的介质层可以对紫外光进行吸收，从而使得紫外光无法透过。当然，透明电极透过的电磁光谱还可以为可见光 红外光，根据应用场景的不同，可以进行调整。
80.本实施例提供的透明电极，对于选定的波长范围以外的电磁光谱，其反射率范围为50％～90％。例如，对于选定的电磁光谱以外的目标波长或波长范围，其反射率可以大于或等于50％，或者大于或等于55％，或者大于或等于60％，或者大于或等于65％，或者大于或等于70％，或者大于或等于75％，或者大于或等于80％，或者大于或等于85％，或者大于或等于90％。当然，在一些实施例中，对于选定的电磁光谱以外的目标波长，其反射率可以更高。
81.本实施例提供的透明电极，电阻范围为0.05～20欧姆/平方(例如可以为0.5～20欧姆/平方)。例如，透明电极的薄层电阻(sheet resistance)小于或等于约20欧姆/平方，或者小于或等于约15欧姆/平方，或者小于或等于约10欧姆/平方，或者小于或等于约5欧姆/平方，或者小于或等于约4欧姆/平方，或者小于或等于约3欧姆/平方，或者小于或等于约2欧姆/平方，或者小于或等于约1欧姆/平方，或者小于或等于约0.5欧姆/平方，或者小于或等于约0.1欧姆/平方，或者小于或等于约0.05欧姆/平方。
82.请参阅图5，进一步地，为了进一步提高透明电极的导电性能，透明电极还包括透明外导电层24，外导电层24设于第二透明介质层23背向导电单元22一侧的表面，其可用于辅助导电单元22中的导电层221。当然，第一透明介质层20背向导电单元22一侧的表面也可以设置外导电层24，进一步辅助导电单元22中的导电层221。
83.在一个实施例中，外导电层24可以由金属网格材料制成，金属可以是金，也可以是银等，可以包含一种金属，也可以包含两种以上的金属。在进行外导电层24的制备时，金属外导电层24可以通过物理气相沉积(pvd)工艺、化学气相沉积(cvd)工艺、原子层沉积(ald)工艺等成型于第二透明介质层23或第一透明介质层20的表面。当外导电层24中金属为两种或以上时，可以通过共沉积的方式制备，共沉积通过pvd溅射法，例如磁控溅射、热蒸镀、电子束蒸镀等方式实现。其还可以通过涂布的方式成型于第二透明介质层23或第一透明介质层20的表面。
84.在一个实施例中，外导电层24也可以由碳纳米管制成，其具有良好的透光率，同时也可以满足导电性能的需求。
85.在其他实施例中，外导电层24还可以由其他材料制成，并不仅限于上述的情形。
86.在一个实施例中，外导电层24的厚度范围为0.1～5微米，从而可以确保外导电层24具有良好的导电性能和透光率。
87.本实施例的目的还在于提供一种装置，包括至少一个上述的透明电极组件。本实施例提供的透明电极组件可以用于多种光学和光子学应用中，在这些应用中可以替代目前的透明导体，例如ito。与采用ito电极的装置相比，采用本实施例提供的透明电极组件的装置具有显著改善的弯曲能力和稳定性，同时可以很好地消影，从而具有良好的显示效果。
88.在一个实施例中，上述装置为显示装置，显示装置包括液晶显示器(lcd)、oled显示器、投影显示器(如使用数字镜技术或硅基液晶(lcos))、平板显示器、眼睛佩戴型显示器、透明显示器或透视显示器等，透明电极组件可以作为导体应用于显示器中。应当理解的是，显示器还可以是具有触摸功能的显示器，例如电子设备的触摸屏。
89.在一个实施例中，上述装置为触控装置，例如触摸显示屏的触摸组件，透明电极组件可用于触摸组件中，改善触摸显示屏的显示效果。
90.在一个实施例中，所述装置为透明天线。本实施例提供的透明电极组件可应用于透明天线中替代原导电材料，具有更好的透光性和导电性能，以确保透明天线能够应用于其他电子设备中，达到更好的透光效果。
91.本实施例提供的透明天线可以适用于任何通讯波段，例如可以适用于4g通讯波段、5g通讯波段以及6g通讯波段中的至少一个通讯波段。随着通讯技术的发展，目前移动通信技术已经发展至第五代移动通信技术(5th generation mobile networks，简称5g或5g技术)，5g技术是最新一代蜂窝移动通信技术，也是即4g(lte-a、wimax)、3g(umts、lte)和2g
(gsm)系统之后的延伸。5g有助于实现高数据速率、减少延迟、节省能源、降低成本、提高系统容量和大规模设备连接。本实施例提供的透明天线可以适用于5g通讯波段，甚至适用于6g通讯波段，以满足采用该透明天线的电子设备的通讯要求。电子设备可以是移动终端(例如手机、平板电脑等)，也可以其他类型的智能设备(例如智能电视等)，此处不做限制。透明天线还可以应用于汽车中，有助于汽车能够实现实时联网等功能。透明天线还可以应用于其他装置中，并不仅限于上述的情形，此处不做限制。
92.当然，在其他实施例中，上述装置还可以为其他类型，此处不做限制。
93.请参阅图6，本实施例的目的还在于提供一种透明电极组件的制备方法，可以理解的是，本实施例提供的透明电极组件制备方法可以用于制备上述的透明电极组件，但并不仅限于上述的透明电极组件。
94.透明电极组件的制备方法包括：
95.步骤s10：在经过图案化的透明电极表面设置消影层，所述消影层由光致变色材料制成。
96.在获得了透明电极以后，通过将透明电极固定在基底层上，并按照预设要求对透明电极进行图案化，从而可以获得经过图案化的透明电极(请参阅图7(a))。在图案化的透明电极表面覆盖一层消影层，消影层可以采用涂覆的方式设置在图案化的透明电极表面，也可以通过其他方式，此处不做限制。
97.步骤s20：在所述透明电极背向所述消影层的一侧采用预设波段的光谱进行照射(请参阅图7(b))，以使得所述消影层在光谱的作用下变色，形成第一消影区和第二消影区，以获取透明电极组件(请参阅图7(c))，其中所述第一消影区设于所述透明电极背向基底层的表面，所述第二消影区设于经过蚀刻的所述透明电极之间且位于基底层的表面。
98.在本实施例中，所述光谱为紫外光，光致变色材料为共轭有机分子材料，从而可以起到良好的消影作用。共轭有机分子材料包括以下材料中的至少一种：共轭二烯烃、α，β不饱和醛酮、苯乙烯、苯乙酮。当满足条件的紫外光被共轭有机分子材料吸收后，其分子结构会发生变化，从而导致其透光率等性质发生变化，达到调节透光率的目的。在本实施例中，所述第一消影区的透光率为86～90％，所述第二消影区的透光率为86～90％。当然，在其他实施例中，第一消影区和第二消影区的透光率还可以为其他值，并不仅限于上述的情形。消影层中第一消影层和第二消影层的厚度可以根据需要进行设置，例如，本实施例中第一消影区的厚度为200nm～1000nm，所述第二消影区的厚度为200nm～1000nm。当然，在其他实施例中，第一消影区和第二消影区的厚度还可以为其他值，并不仅限于上述的情形。
99.本实施例通过在图案化的透明电极表面设置消影层，并通过预设波段的光谱从背向消影层的一侧对其进行照射，可以使得消影层的结构发生变化，从而形成透射率不同的第一消影区和第二消影区，可以使得整个透明电极组件对于光谱(例如可见光)的透过率相同，从消影层一侧观看时，不会观看到其中透明电极的底影，从而达到消影的目的。
100.以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。