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一种低损耗电源的系统配置的制作方法

2022-03-02 07:15:53 来源:中国专利 TAG:


1.本实用新型涉及节能控制技术领域,尤其涉及一种低损耗电源的系统配置。


背景技术:

2.在当前led作为主流照明光源的技术背景下,电致发光(el)器件轻薄面光源、柔性可弯曲,同时料制备技术成熟,亮度高、寿命长和工作温度范围广,可制成面光源铺贴于弯曲表面,也可制作成连续的线状光源,适用于室内外装饰标识和广告等照明,显示出与led光源不同的特色。采用粉末电致发光材料易于制作成无机电致发光器件,可用于照明领域,具有与led光源不同的电气特性,需要交流高压驱动。
3.无机粉末电致发光器件结构为发光粉薄层包夹在两侧的介质膜和电极层之间,在两侧电极层所加的电场作用下发光层内部电子被加速后碰撞发光中心发出可见光。因此电致发光屏表现为容性负载,对它驱动的交流开关电源电路中,晶体管由截止到导通的开关切换期间对电致发光屏充/放电的瞬间电流就会很大,可达到几十到100a的电流,造成晶体管开关损耗大温升高,也很容易烧毁开关晶体管,开关电路的可靠性难以保证。


技术实现要素:

4.本实用新型要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种低损耗电源的系统配置。
5.本实用新型公开了一种低损耗电源的系统配置,包括开关电源模块、延时导通控制模块及负载;所述开关电源模块分别与所述延时导通控制模块电连接,所述延时导通控制模块与所述负载电连接;所述延时导通控制模块包括第一延时导通控制单元,所述第一延时导通控制单元分别与所述开关电源模块及所述负载电连接。
6.优选地,所述延时导通控制模块还包括第二延时导通控制单元;所述第二延时导通控制单元分别与所述开关电源及所述负载电连接。
7.优选地,所述第一延时导通控制单元包括第一可控硅触发管、第一可控硅二极管、第二可控硅二极管、第一电阻及第一电容;所述第一可控硅二极管的阳极分别与所述开关电源模块、所述第二可控硅二极管的阳极、所述第一电阻的第一端及所述第一电容的第一端电连接,所述第二可控硅二极管的阴极分别与所述第一电阻的第二端及所述第一可控硅触发管的第一端电连接,所述第一可控硅触发管的第二端分别与所述第一可控硅二极管的阴极、所述第一电容的第二端及所述开关电源模块电连接。
8.优选地,所述第一延时导通控制单元还包括第三可控硅二极管及第二电阻;所述第三可控硅二极管的阴极及所述第二电阻的第一端均与所述第一可控硅二极管的阳极电连接,所述第三可控硅二极管的阳极分别与所述第二电阻的第二端及所述第一电阻的第一端电连接。
9.优选地,所述第二延时导通控制单元包括第二可控硅触发管、第四可控硅二极管、第五可控硅二极管、第三电阻及第二电容;所述第四可控硅二极管的阳极分别与所述开关
电源模块、所述第五可控硅二极管的阳极、所述第三电阻的第一端及所述第二电容的第一端电连接,所述第五可控硅二极管的阴极分别与所述第三电阻的第二端及所述第二可控硅触发管的第一端电连接,所述第二可控硅触发管的第二端分别与所述第四可控硅二极管的阴极、所述第二电容的第二端及所述开关电源模块电连接。
10.优选地,所述第二延时导通控制单元还包括第六可控硅二极管及第四电阻;所述第六可控硅二极管的阴极及所述第四电阻的第一端均与所述第四可控硅二极管的阳极电连接,所述第五可控硅二极管的阳极分别与所述第五电阻的第二端及所述第四电阻的第一端电连接。
11.本实用新型的一种低损耗电源的系统配置具有如下有益效果,本实用新型公开的一种低损耗电源的系统配置包括:开关电源模块、延时导通控制模块及负载;所述开关电源模块分别与所述延时导通控制模块电连接,所述延时导通控制模块与所述负载电连接;所述延时导通控制模块包括第一延时导通控制单元,所述第一延时导通控制单元分别与所述开关电源模块及所述负载电连接。本实用新型避免了晶体管的发热,降低开关管的晶体损耗,提高开关电源工作的可靠性。
附图说明
12.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的部分实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他附图:
13.图1是本实用新型较佳实施例的一种低损耗电源的系统配置的原理框图;
14.图2是本实用新型较佳实施例的一种低损耗电源的系统配置的原理框图;
15.图3是本实用新型较佳实施例的一种低损耗电源的系统配置的延时导通控制模块的电路图;
16.图4是本实用新型较佳实施例的一种低损耗电源的系统配置的开关电源模块的电路图。
具体实施方式
17.为了使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本实用新型的部分实施例,而不是全部实施例。基于本实用新型的实施例,本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型的保护范围。
18.本实用新型较佳实施例的如图1所示,包括开关电源模块1、延时导通控制模块2及负载3;所述开关电源模块1分别与所述延时导通控制模块2电连接,所述延时导通控制模块2与所述负载3电连接;所述延时导通控制模块2包括第一延时导通控制单元21,所述第一延时导通控制单元21分别与所述开关电源模块1及所述负载3电连接。本实用新型避免了晶体管的发热,降低开关管的晶体损耗,提高开关电源工作的可靠性。
19.优选地,请参阅图4,所述开关电源模块1为半桥开关电路,半桥开关电路中的晶体管采用输入阻抗高便于控制的mos管,在开关电路中晶体管功率损耗为经过开关管的电流
电压乘积,因此在关断(电流很小)与开通(压降很低)两种状态下晶体管的功率损耗都比较小。然而,关断与开通的切换过程需要一定时间,在这切换期间晶体管同时承担一-定的电压和电流,这时晶体管的开关损耗大,包括开通损耗(turn-on loss)和关断损耗(turn-offloss)。尤其是开关电源电路的负载呈容性的情况下,对电容性负载快速充放电的电流很大,这样造成的晶体管的开关损耗更大。
20.具体地,本实用新型通过控制在晶体管完全导通后承受接近于0的较低压降下电流通过,从而大幅降低晶体管的功率损耗。所述延时导通控制模块2用于延迟电流滞后一个合理时间,使开关电源电路中的晶体管完全导通处于低阻状态时再允许对容性负载充放电的瞬间大电流通过,由此避免晶体管在关-开切换期间大电流通过造成开关损耗过大,从而是减小开通损耗。
21.优选地,请参阅图2,所述延时导通控制模块2还包括第二延时导通控制单元22;所述第二延时导通控制单元22分别与所述开关电源及所述负载3电连接。
22.优选地,请参阅图3,所述第一延时导通控制单元21包括第一可控硅触发管db31、第一可控硅二极管q1、第二可控硅二极管d2、第一电阻r1及第一电容c1;所述第一可控硅二极管q1的阳极分别与所述开关电源模块1、所述第二可控硅二极管d2的阳极、所述第一电阻r1的第一端及所述第一电容c1的第一端电连接,所述第二可控硅二极管d2的阴极分别与所述第一电阻r1的第二端及所述第一可控硅触发管db31的第一端电连接,所述第一可控硅触发管db31的第二端分别与所述第一可控硅二极管q1的阴极、所述第一电容c1的第二端及所述开关电源模块1电连接。
23.优选地,所述第一延时导通控制单元21还包括第三可控硅二极管d1及第二电阻r2;所述第三可控硅二极管d1的阴极及所述第二电阻r2的第一端均与所述第一可控硅二极管q1的阳极电连接,所述第三可控硅二极管d1的阳极分别与所述第二电阻r2的第二端及所述第一电阻r1的第一端电连接。
24.优选地,在本实施例中,采用两个rc延迟控制单向可控硅导通电路正反向并联,进行交流电流的双向控制,如图3所示。当开关电源在任一方向上有输出电压后,例如电压上端为正下端为负,积分延迟电路为r2-c1,输出电压通过第二电阻r2对第一电容c1充电,经过一定积分时间后所述第一电容c1的电压逐渐上升超过所述第一可控硅触发管db31的导通电压对所述第三可控硅二极管d1的门极放电,触发所述第三可控硅二极管d1延迟导通,经过负载的电流才能通过。将所述第二电阻r2并联所述第二可控ui二极管d2以导通反向,电流减少所述第二电阻r2的功耗。同时所述第一电阻ri在反向交流电压下起到限流作用,防止通过所述第一可控硅二极管q1的门极触发管。所述第一可控硅触发管db31电流过大,所述第一电容c1电压达到触发管所述第一可控硅触发管db31的转折电压直接通过所述第三可控硅二极管di放电触发所述第一可控硅二极管q1。
25.优选地,所述第二延时导通控制单元22包括第二可控硅触发管db32、第四可控硅二极管q2、第五可控硅二极管d3、第三电阻r3及第二电容c2;所述第四可控硅二极管q2的阳极分别与所述开关电源模块1、所述第五可控硅二极管d3的阳极、所述第三电阻r3的第一端及所述第二电容c2的第一端电连接,所述第五可控硅二极管d3的阴极分别与所述第三电阻r3的第二端及所述第二可控硅触发管db32的第一端电连接,所述第二可控硅触发管db32的第二端分别与所述第四可控硅二极管q2的阴极、所述第二电容c2的第二端及所述开关电源
模块1电连接。
26.优选地,所述第二延时导通控制单元22还包括第六可控硅二极管d4及第四电阻r4;所述第六可控硅二极管d4的阴极及所述第四电阻r4的第一端均与所述第四可控硅二极管q2的阳极电连接,所述第五可控硅二极管d3的阳极分别与所述第五电阻的第二端及所述第四电阻r4的第一端电连接。
27.优选地,在本实施例中,所述第二延时导通控制单元22与所述第一延时导通控制单元21的工作方式相同,控制方向相反,与所述第一延时导通控制单元21形成双向延迟控制。
28.综上所述,本实用新型所提供的一种低损耗电源的系统配置包括开关电源模块1、延时导通控制模块2及负载3;所述开关电源模块1分别与所述延时导通控制模块2电连接,所述延时导通控制模块2与所述负载3电连接;所述延时导通控制模块2包括第一延时导通控制单元21,所述第一延时导通控制单元21分别与所述开关电源模块1及所述负载3电连接。本实用新型避免了晶体管的发热,降低开关管的晶体损耗,提高开关电源工作的可靠性。
29.以上对本实用新型所提供的一种低损耗电源的系统配置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本实用新型的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容仅为本实用新型的实施方式,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。不应理解为对本实用新型的限制。
再多了解一些

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