高垄覆膜栽培玉米的方法与流程

1.本发明涉及玉米栽培技术领域，具体涉及高垄覆膜栽培玉米的方法。


背景技术：

2.玉米是旱粮作物，但全生育期没有足够的水分，难以正常生长，有的因墒情不足、缺少水分，造成玉米出苗率低，因此田块保墒显得非常重要，而且每个生长阶段还必须要求有充足的肥料养分，才能保证玉米壮苗壮株，否则会造成脱肥早衰现象。根据我国各地配方施肥研究表明，大田作物氮当季利用率35％以下、磷当季利用率20％以下、钾当季利用率50％以下。传统的种植方式在土壤中普遍撒施肥料并耕翻，肥料分散在土壤中，部分肥料在土壤中下漏沉底，或露在地表的肥料分解成气体散失在空气中，使得部分肥料流失，不能被玉米植株根系完全吸收利用，导致肥料利用率低；在玉米播种季节常少雨，旱田周边常因缺水不能及时洇灌，而大面积耕翻土地造成跑墒，不利于玉米种子出全苗。
3.分层施肥，在玉米、小麦、大豆、花生等作物上已有应用，但现有提出的分层施肥，主要分为多种：一是将肥料分层施于种子的下方，虽将种子与肥料隔开，但这种施肥方式很容易烧伤玉米苗的根须，使其丧失吸水或吸肥的功能；二是将肥料交叉分层施于种子的周边，虽然相隔5cm以上的距离，但这种施肥方式因肥料局部浓度高也容易伤及玉米苗的根须；多是在种子周围挖坑分层埋肥，有的坑上大下小，很容易造成肥料散失，肥料利用率仍然不是很高。


技术实现要素：

4.为解决上述背景技术中的问题，本发明的目的在于提供一种高垄覆膜栽培玉米的方法。
5.为实现如上目的，本发明具体的技术方案如下：
6.高垄覆膜栽培玉米的方法，包括以下步骤：
7.1)整地：进行整地垄作，形成中部高、两侧低，高度在10～15cm、20～30cm的梯形垄，垄底宽120cm～130cm，中部垄台宽90cm～100cm，两侧垄顶宽20～25cm；中部垄台播种，行距30cm～40cm；
8.在梯形垄的中部垄台面上再整地，形成多条宽10～15cm、深10
±
2cm的集水龚沟，在中部深挖形成15-20cm、深8
±
2cm的施肥沟；
9.在梯形垄的两侧垄台面上整地做施肥沟，施肥沟与相邻一行播种区的间距在15-20cm；
10.2)覆膜增墒：选用幅宽40cm～60cm的地膜进行覆膜，覆膜时地膜要与垄台、集水龚沟贴紧，并每隔2.0m横压土腰带，防大风揭膜，并拦截集水龚沟内的径流；覆膜时注意覆盖至中部龚台两侧，并露出施肥沟；
11.3)播种后用质量浓度75％乙草胺乳液1200ml/hm对水600kg对垄台面均匀喷施，在施肥区用宽20～25cm的地膜平整覆盖施肥区，膜上覆2cm厚的土壤，覆膜盖土后在裸露的地
面再喷施一次乙草胺除草剂。
12.进一步地，所述集水龚沟位于相邻两行播种区之间，两者之间的间距在5-10cm。
13.进一步地，出苗期管理：玉米播种后7-10天出苗，覆膜后，待幼苗第一叶展开后，及时破膜放苗，放苗后封严苗孔，并观察玉米生长情况，适时浇水施肥，防治病虫害。
14.进一步地，查苗补苗管理：穴播玉米应在3～4叶期间苗，4～5叶期定苗，地下虫害严重或风口地块，可适当晚定苗，每穴留一株，去弱苗，留壮苗，留大苗。
15.进一步地，所述地膜为生物可降解膜，厚度为0.006～0.008cm。
16.与已有技术相比，本发明有益效果体现在：
17.本发明中采用覆膜栽培提高地温，采用梯形垄的垄作方式，在垄台顶部开挖集水垄沟，集水垄沟位于每行播种区之间，保证雨水或灌溉水不溢出龚面，达到集雨的目的，并在覆膜后横压土腰带，拦截垄沟内的径流；达到集水保墒目的，为玉米种子萌发出苗提供必要的水分，促使玉米全苗。
18.在梯形垄的两侧垄台面上施肥沟，使玉米种子与施肥沟分开，相距大于15cm，肥料高度低于播种高度，施肥区肥水通过扩散慢慢将肥料释放到播种区，保证不会因肥料相对集中发生烧种烧苗情况。
附图说明
19.图1为本发明玉米栽培的示意图。
20.附图标记：1-中部垄台、2-侧垄台、3-集水龚沟、4-施肥沟、5-播种区。
具体实施方式
21.以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
22.如图1所示，高垄覆膜栽培玉米的方法，包括以下步骤：
23.1)整地：进行整地垄作，形成中部高、两侧低，高度在10～15cm、20～30cm的梯形垄，垄底宽120cm～130cm，中部垄台宽90cm～100cm，两侧垄顶宽20～25cm；中部垄台播种，行距30cm～40cm；
24.在梯形垄的中部垄台面上再整地，形成多条宽10～15cm、深10
±
2cm的集水龚沟，集水龚沟位于相邻两行播种区之间，两者之间的间距在5-10cm；在中部深挖形成15-20cm、深8
ꢀ±
2cm的施肥沟；
25.在梯形垄的两侧垄台面上整地做施肥沟，施肥沟与相邻一行播种区的间距在15-20cm；
26.2)覆膜增墒：选用厚度为0.008cm、幅宽40cm～60cm的生物可降解地膜，进行覆膜，覆膜时地膜要与垄台、集水龚沟贴紧，并每隔2.0m横压土腰带，防大风揭膜，并拦截集水龚沟内的径流；覆膜时注意覆盖至中部龚台两侧，并露出施肥沟；
27.3)播种后用质量浓度75％乙草胺乳液1200ml/hm对水600kg对垄台面均匀喷施，在施肥区用宽20～25cm的地膜平整覆盖施肥区，膜上覆2cm厚的土壤，覆膜盖土后在裸露的地面再喷施一次乙草胺除草剂。
28.出苗期管理：玉米播种后7-10天出苗，覆膜后，待幼苗第一叶展开后，及时破膜放
苗，放苗后封严苗孔，并观察玉米生长情况，适时浇水施肥，防治病虫害。
29.查苗补苗管理：穴播玉米应在3～4叶期间苗，4～5叶期定苗，地下虫害严重或风口地块，可适当晚定苗，每穴留一株，去弱苗，留壮苗，留大苗。
30.实施例1
31.1)整地：进行整地垄作，形成中部高、两侧低，高度在15cm、25cm的梯形垄，垄底宽 120cm，中部垄台宽100cm，两侧垄顶宽25cm；中部垄台播种，行距40cm；
32.在梯形垄的中部垄台面上再整地，形成多条宽10cm、深8cm的集水龚沟，集水龚沟位于相邻两行播种区之间，两者之间的间距在10cm；在中部深挖形成15cm、深8cm的施肥沟；
33.在梯形垄的两侧垄台面上整地做施肥沟，施肥沟与相邻一行播种区的间距在15cm；
34.2)覆膜增墒：选用厚度为0.008cm、幅宽50cm的生物可降解地膜，进行覆膜，覆膜时地膜要与垄台、集水龚沟贴紧，并每隔2.0m横压土腰带，防大风揭膜，并拦截集水龚沟内的径流；覆膜时注意覆盖至中部龚台两侧，并露出施肥沟；
35.3)播种后用质量浓度75％乙草胺乳液1200ml/hm对水600kg对垄台面均匀喷施，在施肥区用宽25cm的地膜平整覆盖施肥区，膜上覆2cm厚的土壤，覆膜盖土后在裸露的地面再喷施一次乙草胺除草剂。
36.出苗期管理：玉米播种后7-10天出苗，覆膜后，待幼苗第一叶展开后，及时破膜放苗，放苗后封严苗孔，并观察玉米生长情况，适时浇水施肥，防治病虫害。
37.查苗补苗管理：穴播玉米应在3～4叶期间苗，4～5叶期定苗，地下虫害严重或风口地块，可适当晚定苗，每穴留一株，去弱苗，留壮苗，留大苗。
38.实施例2
39.1)整地：进行整地垄作，形成中部高、两侧低，高度在15cm、25cm的梯形垄，垄底宽 120cm，中部垄台宽90cm，两侧垄顶宽25cm；中部垄台播种，行距30cm；
40.在梯形垄的中部垄台面上再整地，形成多条宽10cm、深8cm的集水龚沟，集水龚沟位于相邻两行播种区之间，两者之间的间距在10cm；在中部深挖形成15cm、深8cm的施肥沟；
41.在梯形垄的两侧垄台面上整地做施肥沟，施肥沟与相邻一行播种区的间距在15cm；
42.2)覆膜增墒：选用厚度为0.008cm、幅宽45cm的生物可降解地膜，进行覆膜，覆膜时地膜要与垄台、集水龚沟贴紧，并每隔2.0m横压土腰带，防大风揭膜，并拦截集水龚沟内的径流；覆膜时注意覆盖至中部龚台两侧，并露出施肥沟；
43.3)播种后用质量浓度75％乙草胺乳液1200ml/hm对水600kg对垄台面均匀喷施，在施肥区用宽25cm的地膜平整覆盖施肥区，膜上覆2cm厚的土壤，覆膜盖土后在裸露的地面再喷施一次乙草胺除草剂。
44.出苗期管理：玉米播种后7-10天出苗，覆膜后，待幼苗第一叶展开后，及时破膜放苗，放苗后封严苗孔，并观察玉米生长情况，适时浇水施肥，防治病虫害。
45.查苗补苗管理：穴播玉米应在3～4叶期间苗，4～5叶期定苗，地下虫害严重或风口地块，可适当晚定苗，每穴留一株，去弱苗，留壮苗，留大苗。
46.对照例1
47.1)整地：垄高在25cm，垄底宽120cm，垄台宽100cm，垄台播种，行距40cm；
48.2)覆膜增墒：选用厚度为0.008cm、幅宽50cm的生物可降解地膜，进行覆膜，覆膜时地膜要与垄台贴紧，并每隔2.0m横压土腰带，防大风揭膜；
49.余下步骤与实施例1相同。
50.对照例2
51.1)整地：垄高在25cm，垄底宽120cm，垄台宽90cm，垄台播种，行距30cm；
52.2)覆膜增墒：选用厚度为0.008cm、幅宽45cm的生物可降解地膜，进行覆膜，覆膜时地膜要与垄台贴紧，并每隔2.0m横压土腰带，防大风揭膜；
53.余下步骤与实施例2相同。
54.实施例1、2与对照例1、2选用产量高、抗性好、根系发达的普通玉米优良品种“丰玉2 号”。实施例1、2与对照例1、2的效益对比如表1所示。
55.表1效益对比结果表
[0056][0057]
试验结果表明，本发明实施例1、2玉米栽培方式的亩产量比普通覆膜栽培方式的亩产量具有明显的增产增收效果。
[0058]
虽然本发明专利的具体实施方案已公开如上，但本发明专利的创新并不局限于上述实施方案，它完全可以适用于本发明专利使用的多个领域，熟悉本领域的技术人员在不违背权利要求的情况下，可以做出同等变形或替换。本发明专利并不限于这里描述出的特定图例和细节。