双极性晶体管像素电路、像素阵列电路及图像传感器装置的制作方法

1.本技术关于双极性晶体管像素电路，特别有关于一种双极性晶体管像素电路及其相关的像素阵列电路、图像传感器装置。


背景技术：

2.一般来说，对于使用具有一二极管检测器结构的一像素电路来感测入射光的能量以补捉图像数据的一个传统光学追踪系统而言，由于当传统像素电路的一存储电容在被放电时其电压水平极容易在较高光强度的情况下发生饱和现象，所以传统光学追踪系统的效能表现会受到环境光、快门的开启时间长度或与光源有关的其他因子所影响，其图像对比度的质量将不可避免地会因为电压饱和而失真，连带使得光学追踪的效能表现也较差。


技术实现要素：

3.因此本技术的目的之一在于公开一种双极性晶体管像素电路、像素阵列电路及图像传感器装置，以解决上述的难题。
4.根据本技术的实施例，公开了一种双极性晶体管像素电路。该双极性晶体管像素电路包括一双极性晶体管、一二极管检测器、一快门电路以及一存储电容。该双极性晶体管具有耦接于该二极管检测器的基极、耦接于该快门电路的发射极以及耦接于一参考接地水平的集电极。该二极管检测器具有耦接于该双极性晶体管的该基极的第一端点以及耦接于该参考接地水平的第二端点，用来基于入射于该二极管检测器的光的光强度来产生一基极电流。该快门电路耦接于该双极性晶体管的该发射极，并用来根据一快门信号来控制该二极管检测器的曝光时间。该存储电容耦接于该快门电路与可调整接地水平之间，该可调整接地水平不同于该参考接地水平，该存储电路用来储存该二极管检测器所捕捉的图像数据，其中该可调整接地水平于该曝光时间的期间时被推升高于该参考接地水平一次或多次。
5.根据本技术的实施例，公开了一种像素阵列电路。像素阵列电路包括上述的多个双极性晶体管像素电路，该多个双极性晶体管像素电路至少包括第一双极性晶体管像素电路以及第二双极性晶体管像素电路。该第一双极性晶体管像素电路内的第一存储电容所相应的第一可调整接地水平以及该第二双极性晶体管像素电路内的第二存储电容所相应的第二可调整接地水平两者均于该曝光时间的期间时被第一电压差所推升。当入射于该第二双极性晶体管像素电路的第二二极管检测器的光的光强度低于入射于该第一双极性晶体管像素电路的第一二极管检测器的光的光强度时，该第一电压差是相关于该第二双极性晶体管像素电路。
6.根据本技术的实施例，公开了一种图像传感器装置。图像传感器装置包括一像素阵列电路以及一控制电路，像素阵列电路包括多个双极性晶体管像素电路，每一个双极性晶体管像素电路包括一双极性晶体管、一二极管检测器、一快门电路以及一存储电容。双极性晶体管具有耦接于二极管检测器的基极、耦接于快门电路的发射极以及耦接于参考接地
水平的集电极。该二极管检测器具有耦接于该双极性晶体管的该基极的第一端点以及耦接于该参考接地水平的第二端点，用来基于入射于该二极管检测器的光的光强度来产生基极电流。该快门电路耦接于该双极性晶体管的该发射极，并用来根据快门信号来控制该二极管检测器的曝光时间。存储电容耦接于该快门电路与不同于该参考接地水平的可调整接地水平之间，并用来储存该二极管检测器所捕捉到的图像数据。控制电路耦接于该像素阵列电路，并用来于该曝光时间的期间时一次或多次地动态调整该每一个双极性晶体管像素电路的该可调整接地水平，其中该可调整接地水平被推升而高于该参考接地水平。
7.根据本技术的实施例，该些双极性晶体管像素单元的图像对比度可以被大幅地提升，因此具有较佳的图像质量，而当被应用于一光学追踪装置或系统时，相较于传统的光学追踪装置或系统，该图像传感器装置也因此具有较佳的追踪效能表现。
附图说明
8.图1是本技术实施例的一图像传感器装置的示意图。
9.图2是图1实施例所示的图像传感器装置的存储电容c1对于具有局部/全局最大光强度的反射光选择进行推升与选择不进行推升可调整接地水平之间的不同电压水平变化以及存储电容c1对于具有局部/全局最小光强度的反射光选择进行推升与选择不进行推升可调整接地水平之间的不同电压水平变化的关系示意图。
10.图3是根据图1所示的实施例不连续地调整该些可调整接地水平的范例示意图。
11.图4是根据图3所示的实施例对于一张图框的至少一空间范围/部分/区域内所设置的多个双极性晶体管像素电路(或对于一张图框中所设置的所有双极性晶体管像素电路)的可调整接地水平int_gnd的范例示意图。
12.其中，附图标记说明如下：
13.100
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图像传感器装置
14.105
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像素阵列电路
15.110
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控制电路
16.115_11至115_1m～
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双极性晶体管像素电路
17.115n1至115_nm
具体实施方式
18.图1是本技术一实施例的一图像传感器装置100的示意图，图像传感器装置100用来补捉一被照光的导航表面(illuminated navigation surface)的图像数据并包含有一像素阵列电路105以及一控制电路110，像素阵列电路105包含有多个双极性晶体管像素电路115_11至115_1m～115n1至115_nm，也就是分别相应于空间上被设置于一图框中的多个不同的像素单元的n
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m个双极性晶体管像素电路，n及m的个数均不受限。
19.每一个双极性晶体管像素电路(例如115_11，但不限定)至少包括有一二极管检测器pd(例如一光电二极管)、一双极性晶体管q1、一快门电路sh、一放大器电路amp以及一存储电容c1，举例来说，在这个例子中，快门电路sh包括晶体管m1与m3，放大器电路amp包括晶体管m2、m4与m5，存储电容c1是用来储存二极管检测器pd所补捉到的图像数据。
20.在每一个双极性晶体管像素电路中，双极性晶体管q1具有耦接至二极管检测器pd
的一基极、耦接至快门电路sh的一发射极以及耦接至一参考接地水平rgl的一集电极。二极管检测器pd具有耦接至双极性晶体管q1的基极的一第一端点以及耦接至参考接地水平rgl的一第二端点，参考接地水平rgl例如等效上是零伏(但不限定)，二极管检测器pd是用来基于入射于二极管检测器pd上的光的一光强度来产生一基极电流。快门电路sh耦接于双极性晶体管q1的发射极并用来根据一快门信号s1来控制二极管检测器pd的一曝光时间，快门信号s1也可以由控制电路110(但不限定)所产生。存储电容c1耦接于快门电路sh与一可调整接地水平之间，可调整接地水平例如是用于双极性晶体管像素电路115_11的接地水平agl_11，但不限定，其中可调整接地水平可以相同于或不同于参考接地水平rgl，而存储电容c1是用来储存二极管检测器pd所补捉的图像数据。多个可调整接地水平例如是多个不同双极性晶体管像素电的接地水平agl_11至agl_1m～agl_n1至agl_nm，该些接地水平可以彼此相同或彼此都不相同。
21.控制电路110耦接至像素阵列电路105并用来于该曝光时间的期间时一次或多次动态地及连续地(或不连续地)调整该些双极性晶体管像素电路115_11至115_1m～115n1至115_nm的该些接地水平agl_11至agl_1m～agl_n1至agl_nm，其中该些可调整接地水平agl_11至agl_1m～agl_n1至agl_nm会被推升而高于参考接地水平rgl(但不限定)。
22.对于每一个双极性晶体管像素电路，在每一图框的起始时，一光源(并非显示于图中)会基于一光控制信号而脉冲激发以产生一反射光照光于二极管检测器pd上。二极管检测器pd会响应于从一光源所发出的光的光强度来产生从双极性晶体管q1的基极流至参考接地水平rgl的一基极电流。接着，放大器电路amp开始建立双极性晶体管q1的发射极与基极之间的一跨压以增加双极性晶体管q1的β值至一稳定水平，其中此处β值是指双极性晶体管q1的集电极电流与基极电流之间的比率。接着，双极性晶体管q1会操作于一个稳定的β值并产生一稳定的发射极电流。快门电路sh同时会被每一个双极性晶体管像素电路的一快门信号所触发，使得存储电容c1可以基于稳定的发射极电流ie而放电以补捉每一像素单元的图像数据来产生每一像素单元的一像素值(也就是一光测量值)，例如是一亮度值(灰阶值(gray level)或灰度值(gray scale))，但不限定)。当快门电路sh被触发时，由于存储电容c1会基于一发射极电流而通过双极性晶体管q1来放电，所以存储电容c1上的电压跨压会基于该发射极电流而减少，双极性晶体管q1的该发射极电流的电流量是正比于该反射光照光于二极管检测器pd的强度/大小，因此存储电容c1的端点n1上的电压水平会随着该反射光照光于二极管检测器pd上的不同强度/大小而快速地下降或缓慢地降低。
23.在一实施例，举例来说，参考接地水平rgl会等效上是零伏，而电压vdd是等于1.8伏；这并非是本技术的限制。也就是说，一个理想上的全刻度电压范围是1.8伏至零伏。然而，基于每一个双极性晶体管像素电路的电路结构，实际上在存储电容c1的能量已经被完全放电之后存储电容c1的端点n1上的最小电压水平可能不会等于零伏，举例来说，存储电容c1的端点n1上的电压水平的一实际全刻度电压范围例如可能是从1.8伏至一个稍微高于零伏的电压水平(例如0.9伏，但不限定)，也就是说，当快门电路sh被触发时，如果该反射光的强度或大小例如由于高强度光环境而变得过强或过高时，则存储电容c1的端点n1上的电压水平会被快速地放电而于0.9伏时发生饱和，而由于一或多个存储电容上的一或多个电压水平均可能发生饱和，所以相应于不同光强度的不同像素值之间的识别度就会受到影响而变差。
24.为了解决这样的难题，在一实施例，控制电路110会通过侦测分别位于一或多个参考图框中的多个像素单元的光强度来产生像素阵列电路115内的多个像素单元的一部分或全部的双极性晶体管像素电路的一统计光强度结果，其中图像传感器装置100包括有一数据模式以及一训练模式，而该些参考图框例如是过去先前的多个数据图框或是多个训练图框。接着，控制电路110根据所有双极性晶体管像素电路中的一双极性晶体管像素电路的二极管检测器pd上所照射的反射光的一最大光强度(也就是一全局最大光强度)，或是根据像素阵列电路105的一特定空间部分/范围/区域内的一双极性晶体管像素电路的二极管检测器pd上所照射的反射光的一最大光强度(也就是一局部最大光强度)，来推升一或多个不同双极性晶体管像素电路的一或多个不同的可调整接地水平。
25.图2显示了图1实施例所示的图像传感器装置100的存储电容c1对于具有局部/全局最大光强度的反射光选择进行推升与选择不进行推升可调整接地水平之间的不同电压水平变化的关系以及存储电容c1对于具有局部/全局最小光强度的反射光选择进行推升与选择不进行推升可调整接地水平之间的不同电压水平变化的关系。如图2所示，举例来说，一第一双极性晶体管像素电路(例如115_11，但不限定)的一第一二极管检测器pd被具有局部/全局最大光强度的一反射光所照射，而一第二双极性晶体管像素电路(例如115_nm，但不限定)的一第二二极管检测器pd被具有局部/全局最小光强度的另一反射光所照射。快门时间指的是快门电路sh的开启时间，举例来说其时间长度是从零至时间t4(但不限定)。曲线cv1表示了在不推升第一双极性晶体管像素电路的第一存储电容c1的可调整接地水平的情况下该第一存储电容c1的端点n1上的一电压水平的实施例，其中该第一双极性晶体管像素电路的第一存储电容c1的端点n1上的该电压水平会被快速地放电，例如从1.8伏放电至时间点t2并且于0.9伏时发生饱和。而曲线cv2表示了在不推升第二双极性晶体管像素电路的第二存储电容c1的可调整接地水平的情况下该第二存储电容c1的端点n1上的一电压水平的实施例，其中第二双极性晶体管像素电路的第二存储电容c1的端点n1上的该电压水平会被缓慢放电，例如从1.8伏开始缓慢放电，由于是缓慢放电，所以即使在时间点t2或者是时间点t3时均并未于0.9伏发生饱和的情形。
26.如图2所示，在时间点t1，在上述该些存储电容c1的该些端点n1上的该些电压水平之间的电压差等于δ1，而接着在时间点t2时电压差会变成等于δ2，其中δ2大于δ1，而在时间点t2之后该电压差会开始逐渐变得较小，例如，在时间点t3的该电压差δ3会小于在时间点t1的该电压差δ1，而在时间点t4的该电压差δ4(并未显示于图中)会等于零，如此，在不推升一或多个双极性晶体管像素电路的一或多个存储电容c1的一或多个可调整接地水平的情况下，一旦一或多个快门电路的开启时间较长时、反射光的光强度过高时或是反射光的光强度改变时，一或多张图框的图像对比度质量的表现就可能会变得较差或失真。
27.为了增进图像对比度质量的表现，本案通过连续地或不连续地调整或推升一或多个双极性晶体管像素电路的一或多个存储电容c1的一或多个可调整接地水平。控制电路110用来以一特定电压差来推升在一个图框的至少一特定空间范围/部分/区域中所设置的一或多个双极性晶体管像素单元的一或多个双极性晶体管像素电路的一或多个可调整接地水平，该特定电压差可以由控制电路110基于被具有最小光强度大小的反射光所照光的一双极性晶体管像素单元的一存储电容c1的端点n1上的一电压水平在一张或多张图框中的变化(亦即瞬间变化或平均变化)所决定。也就是说，对于图框的至少一特定空间范围/部
分/区域中所设置的一或多个双极性晶体管像素单元的一或多个双极性晶体管像素电路，控制电路110可以使用并调整一相同的电压水平作为一或多个相应的可调整接地水平。此外，实作上，控制电路110能够侦测一张或多张图框的多个双极性晶体管像素单元(如上述)的多个像素值(也就是多个亮度值)来决定出一张图框(或多张图框)中具有一局部/全局最小亮度值的一双极性晶体管像素单元，以根据上述该双极性晶体管像素单元的存储电容c1的节点n1上的电压水平变化来决定对于该些可调整接地水平的一电压调整量。相似地，控制电路110也能够以一特定电压差来推升一张图框中所设置的所有双极性晶体管像素单元的多个双极性晶体管像素电路的多个可调整接地水平，该特定电压差可由控制电路110基于被具有最小光强度大小的反射光所照光的一双极性晶体管像素单元的一存储电容c1的端点n1上的一电压水平在一张或多张图框中的变化(亦即瞬间变化或平均变化)所决定。
28.请再度参照图2。如前段所述，曲线cv1相应于在选择不推升第一存储电容c1的可调整接地水平的情况下被具有全局/局部最大光强度的反射光所照光的第一双极性晶体管像素电路的第一存储电容c1的端点n1上的电压水平的范例，而曲线cv2相应于在选择不推升第二存储电容c1的可调整接地水平的情况下被具有全局/局部最小光强度的反射光所照光的第二双极性晶体管像素电路的第二存储电容c1的端点n1上的电压水平的一范例，此外，曲线cv3表示了对于一张图框的至少一空间范围/部分/区域中所设置的一或多个双极性晶体管像素单元该控制电路110根据该一或多个双极性晶体管像素单元的一或多个像素值的该最小像素值(或亮度值)所决定并输出的多个可调整接地水平的一范例，在这个例子中，控制电路110能够随着该快门时间来连续地并逐步地调整或增加该些可调整接地水平的准位，其中曲线cv3指出了多个双极性晶体管像素单元的多个存储电容的多个可调整接地水平随时间而被逐步增加的一范例，如此，被具有全局/局部最小光强度的反射光所照光的该双极性晶体管像素单元的存储电容c1的端点n1上的电压水平就可以如曲线cv4所示被保持在1.8伏的电压水平(但不限定)，而被具有全局/局部最大光强度的反射光所照光的该双极性晶体管像素单元的存储电容c1的端点n1上的电压水平就能够如曲线cv5所示变得随时间而缓缓下降(相较于曲线cv1是缓缓降低)，对于全局/局部最大光强度的相同照光条件，曲线cv5的斜率不相同于曲线cv1的斜率。在时间点t4时，如果上述分别被具有最小光强度及具有最大光强度的反射光所照射的两双极性晶体管像素单元的两快门电路sh均于时间点t4关闭时，上述分别被具有最小光强度及具有最大光强度的反射光所照射的该两双极性晶体管像素单元的两存储电容c1的两个端点n1上的两个电压水平之间的电压差就会变成具有一最大差值，因此，即使一双极性晶体管像素单元被具有一较高或最大光强度的反射光所照光，然而在快门电路sh的开启时间中所述双极性晶体管像素单元的存储电容c1的电压水平均并未发生饱和的状况下，图像传感器装置100的图像对比度质量的表现并不会因为较高或最大光强度来发生失真，可大幅地增进图像对比度质量的表现。
29.再者，在一实施例，控制电路110能够不连续地调整一张图框的至少一空间范围/部分/区域中所设置的多个像素单元的多个双极性晶体管像素电路的多个存储电容c1的多个可调整接地水平，或者也能够不连续地调整一张图框中的所有像素单元的所有双极性晶体管像素电路的所有存储电容c1的所有可调整接地水平。
30.请搭配参考图3及图4。图3是根据图1所示的实施例不连续地调整该些可调整接地水平的范例示意图，图4是根据图3所示的实施例对于一张图框的至少一空间范围/部分/区
域内所设置的多个双极性晶体管像素电路的可调整接地水平int_gnd的范例或者对于一张图框中所设置的所有双极性晶体管像素电路的可调整接地水平int_gnd的范例的示意图。应注意的是，该可调整接地水平int_gnd在不同的实施例可以指的是一个、多个或所有的可调整接地水平agl_11至agl_1m～agl_n1至agl_nm。如图3所示，对于一群局部或全局的多个双极性晶体管像素电路，控制电路110例如可以推升或增加该群双极性晶体管像素电路的多个可调整接地水平int_gnd两次(但不限定)。举例来说，控制电路110在时间点ta时立即以一特定电压差sv1(如图4所示的电压调整量)推升该些可调整接地水平int_gnd使其从零伏向上被推升至该电压水平sv1，使得被具有最小光强度的反射光所照光的一第二双极性晶体管像素电路的存储电容c1的端点n1上的电压水平在时间点ta时如图3的曲线cv7所示从电压水平v2被推升至1.8伏(但不限定)，以及使得被具有最大光强度的反射光所照光的一第一双极性晶体管像素电路的存储电容c1的端点n1上的电压水平在时间点ta时如图3的曲线cv6所示从电压水平(0.9伏，但不限定)被推升至电压水平v1。在时间点ta至时间点tb的期间，由于该第二双极性晶体管像素电路系被最小光强度所照光，所以该第二双极性晶体管像素电路的存储电容c1的端点n1上的电压水平会缓慢下降，并且于时间点tb时位于电压水平v2’。而在时间点ta至时间点tb的期间，由于该第一双极性晶体管像素电路系被最大光强度所照光，所以该第一双极性晶体管像素电路的存储电容c1的端点n1上的电压水平会快速降低，并且于时间点tb时位于电压水平0.9伏(但不限定)。
31.接着，在时间点tb时，控制电路110会立刻以另一特定电压差sv2(如图4所示的电压调整量)来推升该些可调整接地水平int_gnd使该些接地水平从水平sv1向上被推升至水平sv2，使得在时间点tb时该第二双极性晶体管像素电路的存储电容c1的端点n1上的电压水平如图3的曲线cv7所示会从电压水平v2’被推升至1.8伏(但不限定)，以及在时间点tb时该第一双极性晶体管像素电路的存储电容c1的端点n1上的电压水平如图3的曲线cv6所示从电压水平0.9伏(但不限定)被推升至电压水平v1’。接着，在时间点tb至时间点tc的期间，该第二双极性晶体管像素电路的存储电容c1的端点n1上的电压水平会缓慢下降并于时间点tc时位于电压水平v2”，而在时间点tb至时间点tc的期间，该第一双极性晶体管像素电路的存储电容c1的端点n1上的电压水平会快速下降并于时间点tc时位于电压水平0.9伏(但不限定)。
32.如图3所示，曲线cv6及曲线cv7之间的电压差可以随着快门时间变长而变大，举例来说，在时间点ta时其电压差为δa，在时间点tb时该电压差变大为δb，在时间点tc时该电压差变大为δc。因此，通过以不同的/相同的电压差多次地于不同的电压推升阶段中不连续地推升一张图框的至少一空间范围/部分/区域中所设置的多个像素单元(或一张图框中所有的像素单元)的多个双极性晶体管像素电路的多个存储电容c1的多个可调整接地水平，就能够大幅地增进图像传感器装置100的图像对比度质量的效能表现，使得不会所受环境光的干扰影响。
33.再者，控制电路110可以同时地或是在不同时间点时以不同的调整量来决定并调整该些可调整接地水平。举例来说，控制电路110可以在一第一时间点采用一第一调整量来推升一空间群组中的多个像素单元的该些可调整接地水平(例如双极性晶体管像素电路115_11至115_1m的该些可调整接地水平agl_11至agl_1m；但不限定)，以及也可以在一第二时间点采用一第二调整量来推升另一不同的空间群组中的多个像素单元的该些可调整接
地水平(例如双极性晶体管像素电路115_n1至115_nm的该些可调整接地水平agl_n1至agl_nm；但不限定)。该第一调整量可以相同于或不同于该第二调整量，以及该第一时间点可以相同于或不同于该第二时间点。该些可调整接地水平调整能够由控制电路110根据环境光的改变或其他光源的因子来动态地执行调整，例如，控制电路110可以侦测并得到在单一张图框或多张图框的不同空间群组中的多个像素单元的多个像素值(例如多个灰阶值或多个亮度值)；如果图像传感器装置100包括一数据模式与一训练模式，则该单一张图框例如可以是前一张数据图框或一训练图框，该多张图框可以是多张先前的数据图框或多张训练图框。控制电路110接着可以根据不同空间群组中的该些像素单元的多个像素值的多个相同或不同的统计结果(例如平均像素的结果，但不限定)，对于不同空间群组中的该些像素单元来决定相同或不同的该些可调整接地水平，举例来说，一第一双极性晶体管像素电路及一第二双极性晶体管像素电路可以是设置于像素阵列电路105的一第一区域上，而一第三双极性晶体管像素电路及一第四双极性晶体管像素电路是设置于像素阵列电路105的一第二区域上，该第一区域不同于该第二区域并且两区域在空间上可以被另一区域所隔开。该第一双极性晶体管像素电路内的该第一存储电容所相应的该第一可调整接地水平以及该第二双极性晶体管像素电路内的该第二存储电容所相应的该第二可调整接地水平两者均于该曝光时间的期间被一第一电压差所推升，而该第三双极性晶体管像素电路内的该第三存储电容所相应的该第三可调整接地水平以及该第四双极性晶体管像素电路内的该第四存储电容所相应的该第四可调整接地水平两者均于该曝光时间的期间被一第二电压差所推升。当入射于该第二双极性晶体管像素电路的一第二二极管检测器上的光的光强度较低于入射于该第一双极性晶体管像素电路的一第一二极管检测器上的光的光强度时，该第一电压差相关于该第二双极性晶体管像素电路，而不相关于该第三双极性晶体管像素电路与第四双极性晶体管像素电路的光强度。当入射于该第四双极性晶体管像素电路的一第四二极管检测器上的光的光强度较低于入射于该第三双极性晶体管像素电路的一第三二极管检测器上的光的光强度时，该第二电压差相关于该第四双极性晶体管像素电路，而不相关于该第一双极性晶体管像素电路与第二双极性晶体管像素电路的光强度。该第一电压差可以不同于该第二电压差，但不限定。
34.再者，调整在一张图框中所设置的不同空间群组的多个像素单元的该些可调整接地水平的操作可以通过参照该不同空间群组的该些像素单元的多个快门电路的多个开启时间的多个相同或不同的时间长度来执行，以更有效地增进图像传感器装置100所补捉的图框的图像对比度质量的表现。
35.再者，在一实施例，上述电压推升操作所执行时的一特定时序，例如时间点ta或时间tb，也可以是相关于被具有局部/全局最大光强度的入射光所照光的该像素单元的该双极性晶体管像素电路，或可以是主要基于被具有局部/全局最大光强度的入射光所照光的该像素单元的该双极性晶体管像素电路所决定。而在另一实施例，时间点ta的选择也可以另外修改为较早于时间ta的另一时间点，相同地，时间点tb的选择也可以另外修改为另一时间点。
36.再者，应注意的是，在本技术的实施例中，由于执行该电压推升操作的时间点能够相应地被控制电路110所控制，所以该些存储电容c1的端点n1上的该些电压水平并不会被推升到高于电压vdd例如1.8伏(但不限定)，然而，在其他实施例，如果该些存储电容c1的端
点n1上的该些电压水平可以在被推升到更高的水平的话，则控制电路110也能够执行相应的控制操作。
37.以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。