用于等离子清洗设备的压框结构的制作方法

1.本技术涉及半导体技术领域，特别涉及一种用于等离子清洗设备的压框结构。


背景技术：

2.常见的半导体封装技术，在封装过程中需要对一些中间结构的表面进行清洗，以除去表面的杂质。一般采用等离子清洗设备对中间结构的表面进行清洗，等离子清洗设备产生的等离子体撞击并蚀刻中间结构的表面使杂质去除。
3.中间结构的面积一般较大，边缘区域容易产生翘曲，一般在中间结构的边缘设置压框结构。现有的压框结构包括金属板部及镀在金属板部表面的氧化绝缘层，如此压框结构表面绝缘且重量较大。但是压框结构的导热性较好，等离子体撞击中间结构产生的热量会聚集在压框结构附近，从而使等离子体在压框结构附近聚集，导致等离子体在中间结构的表面分布不均匀，进而导致中间结构表面的不同区域被蚀刻的速率不同，蚀刻均一性较差。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供了一种用于等离子清洗设备的压框结构。所述等离子清洗设备包括相对设置的上电极和下电极，所述等离子清洗设备可清洗半导体封装结构；所述压框结构用于压在位于所述下电极上的半导体封装结构的边缘上；
5.所述压框结构设有开孔，所述开孔用于暴露所述半导体封装结构的中心区域；所述压框结构包括金属板部及绝缘壳体，所述绝缘壳体包覆所述金属板部。
6.在一个实施例中，所述绝缘壳体的材料为无机非金属材料。
7.在一个实施例中，所述绝缘壳体的材料为玻璃。
8.在一个实施例中，所述绝缘壳体由多个绝缘板部组装而成。
9.在一个实施例中，所述绝缘板部的至少一端设有拼接结构，所述拼接结构包括相适配的凸出部或凹陷部；所述绝缘板部设有所述拼接结构的端部与相邻的所述绝缘板部设有所述拼接结构的端部通过所述拼接结构相互拼接，所述绝缘板部未设有所述拼接结构的端部与相邻的所述绝缘板部未设有所述拼接结构的端部相互抵接。
10.在一个实施例中，所述多个绝缘板部中，两个所述绝缘板部的一端设有拼接结构，另一端未设有所述拼接结构。
11.在一个实施例中，所述绝缘板部未设有所述拼接结构的端部形成有抵接面，所述绝缘板部的抵接面与相邻的所述绝缘板部的抵接面相互抵接，所述抵接面位于所述金属板部的底部，且所述抵接面沿纵向延伸。
12.在一个实施例中，所述绝缘壳体的厚度范围为1mm至2mm。
13.在一个实施例中，所述金属板部与所述绝缘壳体之间设置有粘结层。
14.在一个实施例中，所述下电极上设有用于卡设所述半导体封装结构的环形固定部；所述压框结构的内侧设有缺口部，所述缺口部环绕所述开孔，所述缺口部位于所述压框
结构的底部；所述缺口部用于与所述环形固定部抵接。
15.本技术实施例所达到的主要技术效果是：
16.本技术实施例提供的用于等离子清洗设备的压框结构，压框结构压在半导体封装结构的边缘可避免半导体封装结构的边缘翘曲，压框结构的开孔暴露半导体封装结构的待清洗表面的中心区域，等离子清洗设备产生的等离子体可对撞击半导体封装结构待清洗表面的中心区域进行清洗；压框结构包括金属板部及包覆金属板部的绝缘壳体，绝缘壳体使金属板部与等离子清洗设备的下电极绝缘，不影响等离子清洗设备的工作；绝缘壳体的导热性能较差，等离子体撞击半导体封装结构的表面时产生的热量不会聚集在绝缘壳体的附近，有助于使得等离子体在半导体封装结构表面分布均匀，进而可提高半导体封装结构的表面不同区域蚀刻的均一性。
附图说明
17.图1是本技术一示例性实施例提供的压框结构用于等离子清洗设备时的结构示意图；
18.图2是本技术一示例性实施例提供的压框结构的俯视图；
19.图3是图2所示的压框结构沿直线aa进行剖切得到的分解示意图；
20.图4是图2所示的压框结构沿直线aa进行剖切得到的剖视图。
具体实施例
21.这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本技术相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。
22.在本技术使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术。在本技术和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
23.应当理解，尽管在本技术可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本技术范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在
……
时”或“当
……
时”或“响应于确定”。
24.下面结合附图，对本技术的一些实施例作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
25.本技术实施例提供了一种用于等离子清洗设备的压框结构。参见图1，所述等离子清洗设备100包括腔体101，腔体101内设有上电极102和下电极103，上电极102和下电极103相对设置。所述等离子清洗设备100可清洗半导体封装结构104表面的杂质。
26.半导体封装结构104可以是芯片封装工艺过程中的中间结构，半导体封装结构104包括多个间隔设置的待封装的芯片，采用等离子清洗设备对半导体封装结构104的表面进
行清洗，可将半导体封装结构104表面的杂质清洗掉，从而在半导体封装结构104表面形成的其他膜层与半导体封装结构104之间的粘附性更好，有助于避免出现分层或开裂的现象。
27.在使用等离子清洗设备清洗半导体封装结构104时，将半导体封装结构104放置于下电极103上，半导体封装结构104待清洗的表面背离下电极103，朝向上电极102。等离子清洗设备产生的等离子体撞击并蚀刻半导体封装结构104的表面，使半导体封装结构104的杂质脱离半导体封装结构104的表面。
28.所述压框结构10用于压在位于所述下电极103上的半导体封装结构104的边缘上，避免半导体封装结构104的边缘区域翘曲。参见图2至图4，所述压框结构10设有开孔14，所述开孔14用于暴露所述半导体封装结构104的中心区域，其中半导体封装结构104的中心区域为待清洗的区域。所述压框结构10包括金属板部11及绝缘壳体12，所述绝缘壳体12包覆所述金属板部11。
29.本技术实施例提供的用于等离子清洗设备的压框结构10，压框结构10压在半导体封装结构的边缘可避免半导体封装结构的边缘翘曲，压框结构10的开孔14暴露半导体封装结构104的待清洗表面的中心区域，等离子清洗设备产生的等离子体可对撞击半导体封装结构104待清洗表面的中心区域进行清洗；压框结构10包括金属板部11及包覆金属板部11的绝缘壳体12，绝缘壳体12使金属板部11与等离子清洗设备的下电极绝缘，不影响等离子清洗设备的工作；绝缘壳体12的导热性能较差，等离子体撞击半导体封装结构的表面时产生的热量不会聚集在绝缘壳体12的附近，有助于使得等离子体在半导体封装结构表面分布均匀，进而可提高半导体封装结构的表面不同区域蚀刻的均一性。
30.本技术实施例中，绝缘壳体12包覆金属板部11指的是，金属板部11全部被绝缘壳体12包覆，金属板部11的表面不会露出绝缘壳体12。金属板部11包括顶壁、底壁、内侧壁及外侧壁，绝缘壳体12将金属板部11的顶壁、底壁、内侧壁及外侧壁全部包覆。
31.图2所示的实施例中，开孔14的形状大致呈矩形。半导体封装结构包括中心区域及环绕中心区域的边缘区域，中心区域设置芯片，边缘区域未设置芯片。压框结构10压在半导体封装结构上时，压框结构10压住半导体封装结构的边缘区域，开孔14暴露半导体封装结构的中心区域，半导体封装结构的中心区域的大小及形状可与开孔14大致相同。在其他实施例中，开孔14也可呈其他形状，例如圆形、不规则形状等。
32.在一个实施例中，再次参见图1，所述下电极103上设有用于卡设所述半导体封装结构104的环形固定部105。再次参见图4，所述压框结构10的内侧设有缺口部15，所述缺口部15环绕所述开孔14，所述缺口部15位于所述压框结构10的底部，所述缺口部15用于与所述环形固定部105抵接。在将半导体封装结构104放置在下电极103上时，半导体封装结构104卡设在环形固定部105内，可避免半导体封装结构104在下电极103上移动。通过在压框结构10的内侧设缺口部15，压框结构10压在半导体封装结构104上时，缺口部15的侧壁与环形固定部105的内侧面相抵，缺口部15的顶壁(也即是压框结构10的底壁的一部分)与环形固定部105的顶表面相抵，如此可防止压框结构10相对于半导体封装结构104移动，而导致压框结构10无法有效将半导体封装结构104的边缘压住的情况。
33.在一个实施例中，所述绝缘壳体12的材料为无机非金属材料。如此，等离子体撞击到无机非金属材料上时，几乎不会蚀刻无机非金属材料，几乎不会产生杂质或者产生的杂质很少，相对于绝缘壳体12的材料采用有机材料的方案，可避免等离子清洗设备的腔体被
污染。
34.在一些实施例中，所述绝缘壳体12的材料为玻璃。如此设置，绝缘壳体12的材料成本较低，有助于降低压框结构10的成本，并且绝缘壳体12的材料易于获得。在其他实施例中，绝缘壳体12的材料也可以为其他无机非金属材料。
35.在一个实施例中，所述绝缘壳体12由多个绝缘板部组装而成。绝缘壳体12的材料为无机非金属材料时，若将绝缘壳体12制备成一体式结构，或者将绝缘壳体12制备成组装在一起的两个半壳体，制备的难度较大；绝缘板部的制备难度较低，通过设置绝缘壳体12由多个绝缘板部组装而成，可降低制备工艺的难度。
36.图2及图3所示的实施例中，绝缘壳体12由六个绝缘板部组装而成，六个绝缘板部分别为第一绝缘板部121、第二绝缘板部122、第三绝缘板部123、第四绝缘板部124、第五绝缘板部125及第六绝缘板部126。第一绝缘板部121位于金属板部11的顶壁；第二绝缘板部122位于金属板部11的内侧壁，且一端与第一绝缘板部121相邻；第三绝缘板部123位于缺口部15的顶壁，且一端与第二绝缘板部122相邻；第四绝缘板部124位于缺口部15的侧壁，且一端与第三绝缘板部123相邻；第五绝缘板部125位于金属板部11的底壁，且一端与第四绝缘板部124相邻；第六绝缘板部126位于金属板部11的外侧壁，两端分别与第五绝缘部125及第一绝缘板部121相邻。这六个绝缘板部均为环形板部，开孔14呈矩形时，六个绝缘板部为方环形板部。在其他实施例中，绝缘壳体12包括的绝缘板部的数量可不同于六个，例如可大于六个。
37.在一个实施例中，所述金属板部11与所述绝缘壳体12之间设置有粘结层13。通过设置粘结层13可使得金属板部11与绝缘壳体12之间粘结更牢固，防止绝缘壳体12的绝缘板部与金属板部11脱离，而导致绝缘壳体12无法有效隔热的问题。并且，即使绝缘板部上产生裂纹而裂成多块碎片，绝缘板部的多块碎片通过粘结层13粘结在一起，相邻碎片之间不会产生较大的缝隙，不会使得金属板部11暴露，可保证绝缘壳体12的隔热效果及绝缘效果，有助于延长压框结构10的使用寿命。
38.在一个实施例中，绝缘壳体12的绝缘板部包括相对的两端，绝缘板部沿水平方向延伸时，绝缘板部的其中一端位于内侧，另一端位于外侧；所述绝缘板部沿纵向延伸时，绝缘板部的其中一端位于上侧，另外一端位于下侧。所述绝缘板部的至少一端设有拼接结构，所述拼接结构包括相适配的凸出部或凹陷部。所述绝缘板部设有所述拼接结构的端部与相邻的所述绝缘板部设有所述拼接结构的端部通过所述拼接结构相互拼接，所述绝缘板部未设有所述拼接结构的端部与相邻的所述绝缘板部未设有所述拼接结构的端部相互抵接。其中，凸出部与凹陷部均为环形的结构，环绕开孔。绝缘板部设有拼接结构的端部与相邻的绝缘板部设有拼接结构的端部通过拼接结构相互拼接，指的是其中一个绝缘板部的端部设有凸出部，另一个绝缘板部的端部设有凹陷部，这两个绝缘板部的端部相邻，凸出部卡设在凹陷部内，从而将这两个绝缘板部拼接在一起。绝缘板部未设有拼接结构的端部与相邻的绝缘板部未设有拼接结构的端部相互抵接，指的是这连个绝缘板部的相邻的两个端部均未设置拼接结构，直接抵接。
39.由于绝缘板部的至少一端设有拼接结构，相邻的两个绝缘板部设有拼接结构的端部通过拼接结构拼接，可使得这两个绝缘板部组装更牢固；拼接结构包括相适配的凸出部及凹陷部，相邻的两个绝缘板通过凸出部与凹陷部拼接后，等离子体若经过凸出部与凹陷
部之间的缝隙进入到粘结层13时经过的路径较长，能量损失较大，等离子体与粘结层13的表面接触时能量变得很小，对粘结层13进行蚀刻产生的杂质很少，对等离子清洗设备的污染很小。
40.在一个实施例中，所述绝缘壳体12的所述多个绝缘板部中，两个所述绝缘板部的一端设有拼接结构，另一端未设有所述拼接结构，且该两个所述绝缘板部未设置所述拼接结构的一端相抵。也即是，绝缘板部12的多个绝缘板中，只有两个绝缘板部一端设有拼接结构，另一端未设拼接结构。如此设置，在组装多个绝缘板部时，首先将两端均设有拼接结构的绝缘板部拼接在一起，最后将两个仅一端设有拼接结构的绝缘板部与其他绝缘板部拼接在一起，相对于绝缘壳体12的每个绝缘板部的两端均设有拼接结构的方案来说，更便于绝缘壳体的组装。
41.图示实施例中，第一绝缘板部121的一端设有凹陷部1211，另一端设有凹陷部1212；第二绝缘板部122与第一绝缘板部121相邻的一端设有凸出部1221，另一端设有凹陷部1222；第三绝缘板部123与第二绝缘板部122相邻的一端设有凸出部1231，另一端设有凹陷部1232；第四绝缘板部124与第三绝缘板部123相邻的一端设有凸出部1241，另一端设有凹陷部1242；第五绝缘板部125的一端设有凸出部1251，另一端未设拼接结构；第六绝缘板部126与第五绝缘板部125相邻的端部未设拼接结构，另一端与第一绝缘板部121相邻，且设有凸出部1261。第一绝缘板部121的凹陷部1211与第二绝缘板部122的凸出部1221拼接，第二绝缘板部122的凹陷部1222与第三绝缘板部123的凸出部1231拼接，第三绝缘板部123的凹陷部1232与第四绝缘板部124的凸出部1241拼接，第四绝缘板部124的凹陷部1242与第五绝缘板部125的凸出部1251拼接，第五绝缘板部125未设拼接结构的一端与第六绝缘板部126未设拼接结构的一端抵接，第六绝缘板部126的凸出部1261与第一绝缘板部121的凹陷部1212拼接。如此，六块绝缘板部组装成绝缘壳体12，将金属板部11包覆。
42.在将绝缘壳体12的六块绝缘板部组装在一起时，可按照如下顺序进行组装：首先将第二绝缘板部122与第一绝缘板部121拼接在一起；随后将第一绝缘板121通过粘结层13粘结在金属板部11上；随后将拼接在一起的第二绝缘板部122与第三绝缘板部123通过粘结层13粘结在金属板部11上，同时将第二绝缘板部122与第一绝缘板部121拼接在一起；随后将第四绝缘板部124通过粘结层13粘结在金属板部11上，同时将第四绝缘板部124与第三绝缘板部123拼接在一起；随后将第五绝缘板部125通过粘结层13粘结在金属板部11上，同时将第五绝缘板部125与第四绝缘板部124拼接在一起；随后将第六绝缘板部126通过粘结层13粘结在金属板部11上，同时将第六绝缘板部126与第一绝缘板部121拼接在一起，第六绝缘板部126与第五绝缘板部125相邻的一端抵接。当然，也可按照其他组装顺序将绝缘壳体12的六块绝缘板部组装在一起。
43.在一个实施例中，所述绝缘壳体12的所述多个绝缘板部中，两个所述绝缘板部的一端设有拼接结构，所述绝缘板部未设有所述拼接结构的端部形成有抵接面，所述绝缘板部的抵接面与相邻的所述绝缘板部的抵接面相互抵接，所述抵接面位于所述金属板部的底部，且所述抵接面沿纵向延伸。再次参见图3及图4，第五绝缘板部125朝向第六绝缘板部126的一侧设有抵接面1252，第六绝缘板部126朝向第五绝缘板部125的一侧设有抵接面1262，第五绝缘板部125的抵接面1252与第六绝缘板部126的抵接面1262抵接。
44.两个抵接面抵接后会存在间隙，等离体子通过该间隙进入到粘结层13表面时经过
的路径较短，能量损失较小，等离子体会与粘结层13的表面接触时能量较大，会蚀刻粘结层13的表面并产生杂质。通过设置抵接面位于金属板部11的底部且抵接面沿纵向延伸，当压框结构10压在半导体封装结构上时，抵接面位于金属板部11与半导体封装结构之间，抵接面不会暴露。等离子体需要先通过压框结构10与半导体封装结构之间的缝隙才能进入到两个抵接面之间的间隙，等离子体进入到粘结层13的表面时，等离子体的能量变得很弱，几乎不会蚀刻粘结层或者蚀刻粘结层13时产生的杂质很少，有助于避免污染等离子清洗设备的腔室。
45.在一个实施例中，所述绝缘壳体12的厚度范围为1mm至2mm。如此设置，既可避免绝缘壳体12的厚度太小而导致绝缘壳体12的隔热性能不好、加工难度较大，又可避免绝缘壳体12的厚度太大而导致压框结构10的尺寸太大。在一些实施例中，绝缘壳体12的厚度例如可以是1mm、1.2mm、1.4mm、1.6mm、1.7mm、2.0mm等。
46.本技术实施例中，金属板部11的材质为金属，金属板部11的重量较大，增大金属板部11的厚度，可明显增大压框结构10的重量。金属板部11的厚度可根据需要的压框结构10的重量确定，例如金属板部11的厚度可以是5mm、6mm、7mm、8mm、9mm、10mm等。金属板部11的材料可以是铁、铅、钼等，如此，金属板部11的密度较大，成本较低，且材料易于得到。
47.需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
48.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本技术的其它实施方案。本技术旨在涵盖本技术的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本技术的一般性原理并包括本技术未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本技术的真正范围和精神由权利要求指出。
49.应当理解的是，本技术并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本技术的范围仅由所附的权利要求来限制。