封装体及其制备方法、终端与流程

技术特征：
1.一种封装体，其特征在于，包括：封装基体，包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底表面的钝化层以及形成于所述钝化层表面且与所述半导体衬底电性连接的线路层，所述线路层包括金属线路和线路开口，所述钝化层于所述线路开口露出；以及第一隔离层，形成于所述金属线路的表面，且延伸至所述线路开口内并覆盖露出于所述线路开口的所述钝化层，所述第一隔离层对应所述金属线路开设有第一开孔，所述金属线路于所述第一开孔露出。2.根据权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述第一隔离层的材质为具有吸水率不高于1.1％，以及电阻率不低于10^13ω
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cm的材料。3.根据权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述第一隔离层的材料为二氧化硅或氮化硅。4.根据权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述封装体还包括形成于所述第一隔离层靠近所述钝化层一侧的第二隔离层。5.根据权利要求4所述的封装体，其特征在于，所述第二隔离层的材料为二氧化硅或氮化硅。6.根据权利要求1或4所述的封装体，其特征在于，所述封装体还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第一隔离层远离所述钝化层的一侧，所述绝缘层对应所述第一开孔开设有第二开孔，所述第一开孔与所述第二开孔连通。7.根据权利要求5所述的封装体，其特征在于，所述封装体还包括形成于所述第一隔离层与所述第二隔离层之间的第三隔离层，所述第三隔离层包括设于所述金属线路表面的平坦部以及设于所述线路开口内的填充部。8.根据权利要求7所述的封装体，其特征在于，所述平坦部设于所述金属线路围绕所述线路开口的区域的表面。9.根据权利要求8所述的封装体，其特征在于，所述第三隔离层的材料为二氧化硅。10.一种封装体的制备方法，其特征在于，包括：提供封装基体，所述封装基体包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底表面的钝化层以及形成于所述钝化层表面且与所述半导体衬底电性连接线路层，所述线路层包括金属线路和线路开口，所述钝化层于所述线路开口露出；以及于所述金属线路的表面形成第一隔离层，所述第一隔离层延伸至所述线路开口内并覆盖露出于所述线路开口的所述钝化层，所述第一隔离层对应所述金属线路开设有第一开孔，所述金属线路于所述第一开孔露出，从而获得所述封装体。11.根据权利要求10所述的封装体的制备方法，其特征在于，所述第一隔离层通过物理气相沉积法、化学气相沉积法、增强化学气相沉积法或原子层沉积法形成于所述金属线路和所述钝化层的表面。12.根据权利要求10所述的封装体的制备方法，其特征在于，形成所述第一隔离层之前，所述制备方法还包括：于所述金属线路和所述钝化层的表面形成第二隔离层。13.根据权利要求12所述的封装体的制备方法，其特征在于，所述第二隔离层通过物理气相沉积法、化学气相沉积法、增强化学气相沉积法或原子层沉积法形成于所述第一隔离
层的表面。14.根据权利要求12所述的封装体的制备方法，其特征在于，形成所述第二隔离层之后，所述制备方法还包括：于所述第二隔离层的表面形成第三隔离层，所述第三隔离层包括设于所述金属线路表面的平坦部以及设于所述线路开口内的填充部。15.根据权利要求14所述的封装体的制备方法，其特征在于，所述平坦部设于所述金属线路围绕所述线路开口的区域的表面。16.根据权利要求15所述的封装体的制备方法，其特征在于，所述第三隔离层通过物理气相沉积法、化学气相沉积法、增强化学气相沉积法或原子层沉积法形成于所述第一隔离层的表面。17.根据权利要求10或12所述的封装体的制备方法，其特征在于，形成所述第一隔离层之后，所述制备方法还包括：于所述第一隔离层远离所述钝化层的一侧形成绝缘层；于所述绝缘层上开设第二开孔；于所述第一隔离层对应所述第二开孔处开设所述第一开孔，所述第一开孔与所述第二开孔连通。18.一种终端，其特征在于，包括壳体以及容置于所述壳体内的封装体，所述封装体为权利要求1至9中任一项所述的封装体。

技术总结
本申请提供一种封装体，包括封装基体和第一隔离层，该封装基体包括半导体衬底、形成于半导体衬底表面的钝化层以及形成于钝化层表面且与半导体衬底电性连接的线路层，该线路层包括金属线路和线路开口，钝化层于线路开口露出；第一隔离层形成于金属线路的表面且延伸至线路开口内并覆盖露出于线路开口的钝化层，第一隔离层对应金属线路开设有第一开孔，金属线路于第一开孔露出。本申请还提供该封装体的制备方法以及应用该封装体的终端。通过在线路层和钝化层的表面设置第一隔离层能够有效隔离水汽，同时阻断金属线路的离子迁移路径，有利于提升封装体的性能稳定性，进而提高产品良率和寿命。和寿命。和寿命。


技术研发人员：周建 丁永欢 吴鸣 安德里亚斯
受保护的技术使用者：华为技术有限公司
技术研发日：2021.10.12
技术公布日：2022/2/28