一种微流控像素电路、阵列和微流控芯片的制作方法

技术特征：
1.一种微流控像素电路，其特征在于，包括：测温模块和驱动模块；所述测温模块，设置为感知设定区域的温度；所述设定区域包括：单个微流控像素所在区域；所述驱动模块，设置为在所述测温模块感知到任意的第一设定区域的温度高于第一预设温度阈值时，驱动微流控阵列表面温度低于第二预设温度阈值的液体流动到所述第一设定区域，所述第二预设温度阈值小于所述第一预设温度阈值；还设置为在所述测温模块感知到所述第一设定区域的温度降低到第三预设温度阈值时，驱动所述液体移出所述第一设定区域。2.根据权利要求1所述的微流控像素电路，其特征在于，所述测温模块包括：电流镜模块、环形振荡器模块和输出模块；所述电流镜模块、所述环形振荡器模块和所述输出模块依次相连。3.根据权利要求2所述的微流控像素电路，其特征在于，所述电流镜模块包括：参考电流源、第一n型铟镓锌氧化物场效应igzo mos管、第二n型igzo mos管、第一电阻和第一p型mos管；第一n型igzo mos管和所述第二n型igzo mos管的栅极相连后，与所述参考电流源的负极相连，所述参考电流源的正极与输入电源相连；所述第一n型igzo mos管的源极与所述参考电流源的负极相连；所述第一n型igzo mos管的漏极接地；所述第二n型igzo mos管的源极与所述第一p型mos管的漏极相连；所述第二n型igzo mos管的漏极接地；所述第一p型mos管的漏极与所述第一p型mos管的栅极相连；所述第一p型mos管的栅极，作为所述电流镜模块的输出端，与所述环形振荡器模块的输入端相连；所述第一p型mos管的源极与所述第一电阻的第一端相连，所述第一电阻的第二端与所述输入电源相连。4.根据权利要求2所述的微流控像素电路，其特征在于，所述环形振荡器模块包括：多组相同的反相器；所述多组相同的反相器环形连接；其中，每组反相器包括：第二p型mos管、第三p型mos管和第四p型mos管；多组反相器的所述第二p型mos管的栅极全部相连后，作为所述环形振荡器模块的输入端，与所述电流镜模块的输出端相连；每组反相器中，所述第二p型mos管的源极与输入电源相连，所述第二p型mos管的漏极与所述第三p型mos管的源极相连，所述第三p型mos管的漏极与所述第四p型mos管的源极相连，所述第四p型mos管的漏极接地；每组反相器中的所述第三p型mos管的栅极均与上一组反相器的所述第三p型mos管的漏极相连；多组反相器中的一组反相器的所述第三p型mos管的漏极作为所述环形振荡器模块的输出端，与所述输出模块的输入端相连；每组反相器中，所述第四p型mos管的栅极均接地。5.根据权利要求2所述的微流控像素电路，其特征在于，所述输出模块包括：第五p型mos管和第六p型mos管；所述第五p型mos管的栅极作为所述输出模块的输入端，与所述环形振荡器模块的输出
端相连；所述第五p型mos管的源极与输入电源相连；所述第五p型mos管的漏极与所述第六p型mos管的源极相连后，作为所述输出模块的输出端；所述第六p型mos管的漏极接地。6.根据权利要求1-5任意一项所述的微流控像素电路，其特征在于，还包括：加热模块；所述加热模块包括：第三n型igzo mos管和第二电阻；所述第三n型igzo mos管的栅极接收第一控制信号；所述第三n型igzo mos管的漏极接收第二控制信号，所述第三n型igzo mos管的源极与所述第二电阻的第一端相连；所述第二电阻的第二端接地。7.根据权利要求1-5任意一项所述的微流控像素电路，其特征在于，还包括：电极膜；所述电极膜，设置为作为工作电极提供输入电源。8.一种微流控像素阵列，其特征在于，包括多个如权利要求1-6任意一项所述的微流控像素电路；多个微流控像素电路按照预设的分布方式排列，构成所述微流控像素阵列。9.一种微流控芯片，其特征在于，包括如权利要求8所述的微流控像素阵列。10.根据权利要求9所述的微流控芯片，其特征在于，还包括：主控单元、显示单元和输入单元，所述主控单元分别与所述微流控像素阵列、所述显示单元和所述输入单元相连。

技术总结
本申请实施例公开了一种微流控像素电路、阵列和微流控芯片，该微流控像素电路包括：测温模块和驱动模块；测温模块设置为感知设定区域的温度；设定区域包括：单个微流控像素所在区域；驱动模块设置为在测温模块感知到任意的第一设定区域的温度高于第一预设温度阈值时，驱动微流控阵列表面温度低于第二预设温度阈值的液体流动到第一设定区域，第二预设温度阈值小于所述第一预设温度阈值；还设置为在测温模块感知到第一设定区域的温度降低到第三预设温度阈值时，驱动液体移出所述第一设定区域。通过该实施例方案，节省了空间，提高了温控精度。精度。精度。


技术研发人员：冯林润 刘哲 杜江文 史晓玲
受保护的技术使用者：杭州领挚科技有限公司
技术研发日：2021.09.28
技术公布日：2022/2/28