技术特征：
1.一种用于光刻装置的光学元件，所述光学元件包括盖层，所述盖层包括在其中的多个氧空位。
2.根据权利要求1所述的光学元件，其中所述盖层包括掺杂的氧化锆。
3.根据权利要求2所述的光学元件，其中所述掺杂的氧化锆包括处于其氧化状态的三价阳离子作为所述氧化锆中的掺杂剂。
4.根据权利要求1所述的光学元件，其中所述盖层包括氧化锆和一种或多种金属氧化物，所述一种或多种金属氧化物选自由以下项构成的组：钇氧化物、铈氧化物、钙氧化物、镁氧化物、钛氧化物和稀土金属氧化物。
5.根据权利要求1所述的光学元件，其中所述盖层包括氧化锆和氧化钇。
6.根据权利要求1所述的光学元件，其中所述盖层包括钇稳定的氧化锆。
7.根据权利要求4所述的光学元件，其中以摩尔分数计，所述一种或多种金属氧化物构成所述盖层的约1％至约25％。
8.根据权利要求1所述的光学元件，其中所述盖层包括合金金属或合金金属氧化物。
9.根据权利要求8所述的光学元件，其中所述合金金属或合金金属氧化物包括具有半金属和/或非金属的合金。
10.根据权利要求9所述的光学元件，其中所述半金属和/或非金属包括氮。
11.根据权利要求9所述的光学元件，其中所述半金属和/或非金属包括硼。
12.根据权利要求11所述的光学元件，其中所述合金金属或合金金属氧化物包括合金氧化锆。
13.根据权利要求11所述的光学元件，其中以摩尔分数计，所述硼构成所述盖层的约1％至约15％。
14.根据权利要求8所述的光学元件，其中所述合金金属或合金金属氧化物包括合金钌。
15.根据权利要求1所述的光学元件，其中所述盖层包括Mo(x-y)RuxBy，其中x y＝1，并且其中0.01≤y≤0.15。
16.根据权利要求1所述的光学元件，其中所述光学元件是收集镜。
17.根据权利要求1所述的光学元件，其中所述光学元件是薄膜、动态气锁膜、掩模版或掩模版-台基准标记。
18.根据权利要求1所述的光学元件，其中所述盖层包括混合金属氧化物。
19.根据权利要求1所述的光学元件，其中所述盖层包括钇稳定的氧化锆。
20.一种光刻装置，包括根据权利要求5所述的光学元件。
21.一种用于光刻装置的光学元件，所述光学元件包括盖层，所述盖层包括两种或更多种金属氧化物。
22.根据权利要求21所述的光学元件，其中所述盖层还包括在其中的金属或半金属掺杂剂。
23.根据权利要求22所述的光学元件，其中所述金属或半金属掺杂剂包括一种或多种金属，所述一种或多种金属选自由以下项构成的组：钇、铈、钙、镁、钛和稀土金属。
24.根据权利要求23所述的光学元件，其中所述光学元件是所述光刻装置的收集镜。
25.根据权利要求21的光学元件，其中所述盖层包括氧化锆和氧化钇。
26.一种用于光刻装置的光学元件，所述光学元件包括钌盖层，所述钌盖层包括在其中的一种或多种掺杂剂。
27.根据权利要求26所述的光学元件，其中所述一种或多种掺杂剂选自由硼和氮构成的组。
28.根据权利要求27所述的光学元件，其中以摩尔分数计，所述一种或多种掺杂剂以所述盖层的约1％到约25％的量存在。
技术总结
提供了一种用于光刻装置的光学元件。光学元件包括盖层，该盖层包括在其中的氧空位。氧空位通过阻止氢和其他物质穿透盖层和下面的层来防止对盖层的攻击。盖层提供低的氢复合率，使得氢能够清洁光学元件的表面。盖层可以包括合金金属、混合金属氧化物或掺杂的金属氧化物，并且其可以是钌盖层，该钌盖层包括在其中的一种或多种掺杂剂。
技术研发人员：马悦;M·A·范德凯克霍夫;朱秋石;K·M·休姆勒;P·M·迈耶;K·霍夫曼;A·D·拉弗格;I·V·福门科夫;D·J·W·布朗;
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司;
技术研发日：2020.06.26
技术公布日：2022.03.01
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