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用于识别集成电路产品的装置的制作方法

2022-02-26 08:40:41 来源:中国专利 TAG:


1.本实用新型大体上涉及半导体技术领域,更具体地,涉及用于识别集成电路产品的装置。


背景技术:

2.在进行半导体注塑工艺之前,需要借助用于识别集成电路产品的装置对待注塑的集成电路产品进行识别,以确定该集成电路产品是否为待注塑集成电路产品。通常,在待识别的集成电路产品的表面上设置有识别标识,例如二维码,识别机构可读取并识别该识别标识。当确定该集成电路产品为待注塑集成电路产品时,可执行半导体注塑工艺。
3.然而,在一些情况下,现有的用于识别集成电路产品的装置可能无法正常读取待识别的集成电路产品的表面上的识别标识,这导致无法确定该集成电路产品是否为待注塑集成电路产品,从而影响半导体注塑工艺的进行。
4.因此,现有的用于识别集成电路产品的装置需进一步改进。


技术实现要素:

5.本实用新型的目的之一在于提供一种用于识别集成电路产品的装置,其可有效地解决现有的用于识别集成电路产品的装置无法正常读取待识别的集成电路产品的表面上的识别标识的问题。
6.根据本实用新型一实施例,一种用于识别集成电路产品的装置包括:镜面结构以及识别机构。其中,镜面结构经配置以与机台平面呈一角度倾斜设置以镜像待识别的集成电路产品上的识别标识;识别机构经配置以读取并识别镜面结构所镜像的该识别标识。
7.与现有技术相比,通过对现有的用于识别集成电路产品的装置的结构进行改进,本实用新型实施例提供的用于识别集成电路产品的装置可准确地识别待识别的集成电路产品,从而避免了混料以及错料等风险,保证了后续半导体注塑工艺的顺利进行。
附图说明
8.图1为根据本实用新型一实施例的用于识别集成电路产品的装置在应用时的结构示意图。
9.图2为图1的局部示意图。
具体实施方式
10.为更好的理解本实用新型的精神,以下结合本实用新型的部分优选实施例对其作进一步说明。
11.图1为根据本实用新型一实施例的用于识别集成电路产品的装置在应用时的结构示意图。图2为图1的局部示意图。
12.参见图1和图2,根据本实用新型一实施例的用于识别集成电路产品的装置10包括
镜面装置102以及识别机构104。待识别的集成电路产品106设置于镜面装置102以及识别机构104之间。待识别的集成电路产品106的下表面106a设置有识别标识(未示出)。在本实用新型一实施例中,识别标识可为二维码。在本实用新型另一实施例中,待识别的集成电路产品106可为小外形封装(so)、方形扁平无引脚封装(qfn)、球状矩阵排列封装(wbga)、栅格阵列封装(lga)或aqfn的基板。
13.镜面装置102包括主体108以及平面结构110以及镜面结构112。
14.主体108包括凹槽114,凹槽114可用于容纳镜面结构112,以对镜面结构112进行保护。同时,主体108还可用于固定镜面结构112,使得镜面结构112的角度以及位置和识别机构104相迎合。主体108连接到平面结构110,容纳于凹槽114中的镜面结构112可经由主体108与平面结构110连接。在本实用新型一实施例中,平面结构110可与主体108一体成型或分体式连接。在本实用新型一实施例中,主体108可为耐高温金属材质,例如铝合金材质等。在本实用新型又一实施例中,主体108的长度大于40mm,且宽度大于35mm,以更好的涵盖待识别的集成电路产品106的下表面106a上的识别标识。
15.平面结构110可以使得主体108以及容纳于主体108的凹槽114中的镜面结构112稳定固定在传送待识别的集成电路产品106的轨道下方,保证容纳于主体108的凹槽114中的镜面结构112位置固定,方便识别机构104稳定读取并识别待识别的集成电路产品106的识别标识。平面结构110平置于机台平面(未示出)上。在本实用新型一实施例中,平面结构110为耐高温金属材质,例如铝合金材质等。在本实用新型另一实施例中,平面结构110的长度大于55mm,且宽度大于35mm,从而可使得镜面装置102更稳定地与机台契合。在本实用新型另一实施例中,平面结构110的厚度为6mm。在本实用新型另一实施例中,平面结构110与容纳于主体108的凹槽114中的镜面结构112呈20
°‑
40
°
的角度,从而可使得识别机构104更容易读取并识别待识别的集成电路产品106的下表面106a上的识别标识。在本实用新型一具体实施例中,平面结构110与容纳于主体108的凹槽114中的镜面结构112呈30
°
角,从而使得镜面结构112的镜像位置刚好覆盖待识别的集成电路产品106上的识别标识。在本实用新型另一实施例中,平面结构110与待识别的集成电路产品106在垂直方向上的距离h为49mm。
16.由于平面结构110平置于机台平面(未示出)上,因而镜面结构112可与机台平面呈一角度倾斜设置。例如,在本实用新型另一实施例中,镜面结构112也可与机台平面呈20
°‑
40
°
的角度。在本实用新型又一实施例中,镜面结构112也可与机台平面呈30
°
角。镜面结构112用于镜像待识别的集成电路产品106上的识别标识。在本实用新型一实施例中,镜面结构112可为玻璃反射镜片。然而,应当理解:玻璃反射镜片只是镜面结构112的一个具体实施例,在其他实施例中镜面结构112还可为其他结构形式,只要该镜面结构112能镜像待识别的集成电路产品106上的识别标识即可,在此不做限定。当镜面结构112为玻璃反射镜片时,可经由光的反射原理而将待识别的集成电路产品106的下表面106a上的识别标识反射到玻璃反射镜片上,以供识别机构104读取并识别。在本实用新型一实施例中,镜面结构112位于待识别的集成电路产品106的下方,且在水平方向x上超出待识别的集成电路产品106大于10mm,以方便识别机构104读取并识别待识别的集成电路产品106上的识别标识。在本实用新型另一实施例中,镜面结构112的长度大于38mm,且宽度大于30mm。
17.应当理解:在本实用新型一些实施例中,镜面装置102也可仅包括与机台平面呈一角度(例如20
°‑
40
°
以及30
°
角)倾斜设置的镜面结构112,这种简单的配置方式同样能够起
到将待识别的集成电路产品106的下表面106a上的识别标识镜像到镜面结构112,以供识别机构104读取并识别的作用。
18.识别机构104用于读取并识别镜面结构112所镜像的待识别的集成电路产品106的下表面106a上的识别标识。在本实用新型一实施例中,识别机构104可为,但不限于电荷耦合元件(ccd)图像传感器。在本实用新型另一实施例中,识别机构104与平面结构110在垂直方向上的距离为224mm。
19.当使用根据本实用新型一实施例的用于识别集成电路产品的装置10进行操作时:首先待识别的集成电路产品106的下表面106a上的识别标识被镜像到镜面结构112;接着识别机构104可读取并识别镜面结构112所镜像的该识别标识;如果该识别标识与预期一致,则确认该待识别的集成电路产品106,随后,可将该集成电路产品106进行半导体注塑工艺;如果该识别标识与预期不一致,则表示存在错料或混料的风险,无法进行后续的半导体注塑工艺。
20.与现有的用于识别集成电路产品的装置相比,本实用新型实施例提供的用于识别集成电路产品的装置10通过光学原理使识别机构104能够方便快捷准确读取并识别待识别的集成电路产品106上的识别标识,从而准确地识别待识别的集成电路产品106,避免了混料以及错料等风险。
21.本实用新型的技术内容及技术特点已揭示如上,然而熟悉本领域的技术人员仍可能基于本实用新型的教示及揭示而作种种不背离本实用新型精神的替换及修饰。因此,本实用新型的保护范围应不限于实施例所揭示的内容,而应包括各种不背离本实用新型的替换及修饰,并为本专利申请权利要求书所涵盖。
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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