直流多普勒雷达校准装置及其校准方法与流程

技术特征：
1.一种直流多普勒雷达校准方法，通过直流多普勒雷达校准装置将多普勒中频信号限制在输入范围之内，其特征在于，包括以下步骤：步骤s1：多普勒中频信号经过第一处理后被处理器采样，以获得多普勒中频信号的频率；步骤s2：雷达上电后，处理器的采样端adc1采集电压跟随电路输出的电压并且经过平均处理，以获得多普勒中频信号的直流电压；步骤s3：通过处理器的传输端dac将获得的多普勒中频信号的直流电压传输到放大电路的输入端；步骤s4：开启处理器的采样端adc2并且将经过放大电路放大处理后的直流电压进行采样，以经过平均计算处理后获得放大电路输出的直流偏置电压，从而获得传输端dac的调整电压值，从而进行偏置校准；步骤s5：处理器周期采集采样端adc2的直流电压，并且判断采样端adc2的平均值是否超出预设的偏置电压范围，从而进行选择性校准。2.根据权利要求1所述的一种直流多普勒雷达校准方法，其特征在于，步骤s1具体实施为以下步骤：步骤s1.1：多普勒中频信号通过滤波电路进行滤波处理，以获得第一信号；步骤s1.2：第一信号通过电压跟随电路输入放大电路进行放大处理，以获得第二信号；步骤s1.3：第二信号输入到处理器的采样端adc2进行采样，以获得多普勒中频信号的频率。3.根据权利要求2所述的一种直流多普勒雷达校准方法，其特征在于，步骤s4中通过以下公式进行调整电压：vdacnew＝2*(vadc2-vref)/a vdacold；其中，a为放大电路的增益，vadc2为当前多普勒中频信号的直流电压，vref为目标偏置电压，vdacold为当前传输端dac的电压，vdacnew为调整电压值。4.用于实施权利要求1-3任一项所述的一种直流多普勒雷达校准方法的一种直流多普勒雷达校准装置，其特征在于，包括处理器，其中：多普勒中频信号经过第一处理后被处理器采样，以获得多普勒中频信号的频率；雷达上电后，处理器的采样端adc1采集电压跟随电路输出的电压并且经过平均处理，以获得多普勒中频信号的直流电压；通过处理器的传输端dac将获得的多普勒中频信号的直流电压传输到放大电路的输入端；开启处理器的采样端adc2并且将经过放大电路放大处理后的直流电压进行采样，以经过平均计算处理后获得放大电路输出的直流偏置电压，从而获得传输端dac的调整电压值，从而进行偏置校准；处理器周期采集采样端adc2的直流电压，并且判断采样端adc2的平均值是否超出预设的偏置电压范围，从而进行选择性校准。5.根据权利要求4所述的一种直流多普勒雷达校准装置，其特征在于，多普勒中频信号通过滤波电路进行滤波处理，以获得第一信号；第一信号通过电压跟随电路输入放大电路进行放大处理，以获得第二信号；
第二信号输入到处理器的采样端adc2进行采样，以获得多普勒中频信号的频率。6.根据权利要求5所述的一种直流多普勒雷达校准装置，其特征在于，包括滤波电路、电压跟随电路、放大电路和处理器，其中：所述滤波电路包括电阻r10和电容c5，所述电压跟随电路包括电压跟随器u1a，其中：所述电阻r10的一端连接多普勒中频信号并且所述电阻r10的另一端与所述电压跟随器u1a的正极输入端电性连接并且所述电压跟随器u1a的正极输入端还通过电容c5接地；所述电压跟随器u1a的负极输入端和输出端之间连接有电阻r8，并且所述电压跟随器u1a的输出端通过电阻r5连接处理器的采样端adc1。7.根据权利要求6所述的一种直流多普勒雷达校准装置，其特征在于，所述放大电路包括运放器u1b，其中：所述电压跟随器u1a的输出端依次通过电阻r11和电阻r12与所述运放器u1b的正极输入端电性连接；所述运放器u1b的负极输入端和输出端之间连接有电容c2并且所述电容c2的两端并接有电阻r7，所述运放器u1b的输出端通过电阻r31连接处理器的采样端adc2；所述运放器u1b的负极输入端依次通过电阻r9和电阻r6与所述处理器的传输端dac电性连接，所述电阻r6和所述电阻r9的共接端分别通过电容c1接地和通过电阻r34接地，电阻r6和电阻r34组成分压电路，对传输端dac输出电压进行分压。8.根据权利要求7所述的一种直流多普勒雷达校准装置，其特征在于，所述运放器u1b的正极输入端通过电阻r13连接直流偏置，直流偏置由电阻r14和电阻r15组成分压电路。

技术总结
本发明公开了直流多普勒雷达校准装置及其校准方法，直流多普勒雷达校准方法，通过直流多普勒雷达校准装置将多普勒中频信号限制在输入范围之内，包括步骤S1：多普勒中频信号经过第一处理后被处理器采样，以获得多普勒中频信号的频率；步骤S2：雷达上电后，处理器的采样端ADC1采集电压跟随电路输出的电压并且经过平均处理，以获得多普勒中频信号的直流电压。本发明公开的直流多普勒雷达校准装置及其校准方法，相比交流放大电路，直流放大电路能测量更低频的信号，通过直流校准，将放大后的中频限制在ADC输入范围内。中频限制在ADC输入范围内。中频限制在ADC输入范围内。


技术研发人员：周德伟 卢煜旻 朱欣恩
受保护的技术使用者：上海矽杰微电子有限公司
技术研发日：2021.11.23
技术公布日：2022/2/24