高稳定性的MEMS封装产品及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种高稳定性的mems封装产品，其特征在于，包括基板、asic芯片和sensor芯片，所述asic芯片和sensor芯片安装在基板上，所述基板设有真空空间，所述真空空间位于asic芯片和sensor芯片的安装位置下端。2.根据权利要求1所述的高稳定性的mems封装产品，其特征在于，所述真空空间的深度不超过基板厚度的一半；所述基板的厚度不小于0.3mm。3.根据权利要求1所述的高稳定性的mems封装产品，其特征在于，所述asic芯片和sensor芯片都采用装片胶贴装在基板上；所述asic芯片采用的装片胶的触变指数大于3.0；所述sensor芯片采用的装片胶为硅胶。4.根据权利要求1所述的高稳定性的mems封装产品，其特征在于，所述asic芯片和sensor芯片采用金线连接，所述asic芯片和基板采用金线连接。5.根据权利要求1所述的高稳定性的mems封装产品，其特征在于，所述sensor芯片包括敏感器件和补偿模块，所述敏感器件和补偿模块连接，所述补偿模块用于对敏感器件采用的实时信号进行补偿，补偿方式如下：首先，通过射频器件产生校验信号，通过空间辐射，使得校验信号到达数字阵列各通道的射频接收端，进行噪声放大及滤波处理后，数字阵列各通道通过校验信号与实时信号进行混频滤波，得到模拟信号；其次，将模拟信号转化为数字信号，送入测频装置，测量数字信号频率得到频率测量值，通过频率计算得到数字阵列各通道的延时值；最后，以延时值为基准，通过调节器改变测频装置内通道数字下变频的nco频率值，对数字阵列各通道进行频率补偿。6.一种高稳定性的mems封装产品的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：s10在基板上的asic芯片和sensor芯片的安装位置下端设置真空空间；s20将asic芯片安装在基板上的对应位置；s30将sensor芯片安装在基板上的对应位置；s40进行封装。7.根据权利要求6所述的高稳定性的mems封装产品的制造方法，其特征在于，在s10步骤中，所述真空空间的深度不超过基板厚度的一半；所述基板的厚度不小于0.3mm；所述基板采用条状硅板；在s40步骤中，封装完成后，采用金刚石刀片将产品从条状硅板上切割下来成单颗。8.根据权利要求6所述的高稳定性的mems封装产品的制造方法，其特征在于，在s20步骤中，所述asic芯片采用装片胶贴装在基板上，所述asic芯片采用的装片胶的触变指数大于3.0；在s30步骤中，所述sensor芯片采用装片胶贴装在基板上，所述sensor芯片采用的装片胶为硅胶。9.根据权利要求6所述的高稳定性的mems封装产品的制造方法，其特征在于，在s40步骤中，封装方式如下：s41画锡：包括在金边上使用画锡方式涂上一层锡膏；s43贴金属盖：包括使用smt工艺将金属盖贴装在锡膏上，再实施一次回流焊；s45测试与烧录：包括对单颗产品进行测试，筛选出符合感度要求的产品，进行烧录。10.根据权利要求6所述的高稳定性的mems封装产品的制造方法，其特征在于，在s30步
骤中，所述sensor芯片设置有敏感器件和补偿模块，所述敏感器件和补偿模块连接，所述补偿模块用于对敏感器件采用的实时信号进行补偿，补偿方式如下：首先，通过射频器件产生校验信号，通过空间辐射，使得校验信号到达数字阵列各通道的射频接收端，进行噪声放大及滤波处理后，数字阵列各通道通过校验信号与实时信号进行混频滤波，得到模拟信号；其次，将模拟信号转化为数字信号，送入测频装置，测量数字信号频率得到频率测量值，通过频率计算得到数字阵列各通道的延时值；最后，以延时值为基准，通过调节器改变测频装置内通道数字下变频的nco频率值，对数字阵列各通道进行频率补偿。

技术总结
本发明提供了一种高稳定性的MEMS封装产品及其制造方法，产品包括基板、ASIC芯片和SENSOR芯片，所述ASIC芯片和SENSOR芯片安装在基板上，所述基板设有真空空间，所述真空空间位于ASIC芯片和SENSOR芯片的安装位置下端。制造方法包括：在基板上的ASIC芯片和SENSOR芯片的安装位置下端设置真空空间；将ASIC芯片安装在基板上的对应位置；将SENSOR芯片安装在基板上的对应位置；进行封装。本发明通过在ASIC芯片和SENSOR芯片的安装位置下的基板内设计真空空间，虽然在经过封装加工及烘烤后还会出现形变，但真空空间的存在使得形变不会对产品性能造成影响，即产品到客户端上板时不会出现感度离散、感度漂移等现象，实现了MEMS封装产品的优化，提高了MEMS封装产品的质量。提高了MEMS封装产品的质量。提高了MEMS封装产品的质量。


技术研发人员：张怡 陈勇 汪婷 程浪 蔡择贤
受保护的技术使用者：广东气派科技有限公司
技术研发日：2021.10.18
技术公布日：2022/2/24