微机电系统、用于制造微机电系统的方法与流程

技术特征：
1.微机电系统(1)，包括具有主延伸平面(100)的衬底(20)，其中，所述微机电系统包括质量结构(10)，其中，所述质量结构(10)沿垂直于主延伸平面(100)的所述垂直方向(110)相对于所述衬底(20)能运动地构造，其中，所述质量结构(10)具有电极结构(11)，其中，所述衬底(20)具有对应电极结构(21)，其中，所述电极结构(11)和所述对应电极结构(21)电容式地耦合，其特征在于，所述质量结构(10)-在所述微机电系统(1)的静止状态中-具有变形，其中，所述电极结构(11)和/或所述对应电极结构(21)根据所述质量结构(10)的变形构造。2.根据前述权利要求中任一项所述的微机电系统(1)，其特征在于，
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所述质量结构(10)的变形包括在所述微机电系统(1)的静止状态中所述质量结构(10)相对于所述衬底(20)的尤其局部变化的预偏移，和/或
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所述质量结构(10)的变形包括所述质量结构的形状相对于所述质量结构(10)的在制造微机电系统时争取达到的形状的偏差，和/或
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所述质量结构(10)的变形通过机械夹紧引起，其中，所述机械夹紧尤其通过所述微机电系统(1)的制造引起。3.根据前述权利要求中任一项所述的微机电系统(1)，其特征在于，所述电极结构(11)的第一形状(11’)和/或所述对应电极结构(21)的第二形状(21’)根据所述质量结构(10)的变形构造。4.根据权利要求3所述的微机电系统(1)，其特征在于，所述电极结构(11)的所述第一形状(11’)和/或所述对应电极结构(21)的所述第二形状(21’)借助于多个角形的、尤其直角的部分区段(30)构造。5.根据前述权利要求中任一项所述的微机电系统(1)，其特征在于，所述电极结构(11)和/或所述对应电极结构(21)根据所述质量结构(10)的变形构造，使得在所述质量结构(10)的最大偏移的状态中、尤其在所述质量结构(10)和所述衬底(20)之间出现止挡时不低于所述电极结构(11)和所述对应电极结构(21)之间的能确定的最小距离。6.根据权利要求5所述的微机电系统(1)，其特征在于，所述质量结构(10)和/或所述衬底(20)包括止挡结构(12)，其中，在所述质量结构(10)的最大偏移的状态中在所述质量结构(10)和所述衬底(20)之间的所述止挡借助于所述止挡结构(12)形成。7.根据前述权利要求中任一项所述的微机电系统(1)，其特征在于，所述质量结构(10)具有变形，使得-在所述质量结构(10)的最大偏移的状态中和/或在所述微机电系统的静止状态中-所述质量结构(10)在第一区域(15、15’、15”)中比在第二区域(16)中具有相对于所述衬底(20)的更小距离，其中，所述电极结构(11)和/或所述对应电极结构(21)根据所述质量结构(10)的变形构造，
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使得所述电极结构(11)在所述第一区域(15、15’、15”)中具有留空部(13、13’、13”)，和/或，所述电极结构(11)在所述第一区域(15、15’、15”)中比在所述第二区域(16)中具有沿所述垂直方向(110)的更小厚度，和/或
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使得所述对应电极结构(21)在所述第一区域(15、15’、15”)中具有留空部(23、23’、23”)，和/或，所述对应电极结构(21)在所述第一区域(15、15’、15”)中比在所述第二区域(16)中具有沿所述垂直方向(110)的更小厚度。8.根据前述权利要求中任一项所述的微机电系统(1)，其特征在于，所述微机电系统
(1)构造为具有平行于所述垂直方向(110)的至少一个探测轴的加速度传感器，其中，所述质量结构(10)构造为摆杆结构并且借助于一个或多个扭转弹簧与所述衬底(20)连接。9.用于制造根据前述权利要求中任一项所述的微机电系统(1)的方法，其中，所述电极结构(11)和/或所述对应电极结构(21)根据所述质量结构(10)的变形构造。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一电极结构(11)借助于蚀刻步骤、尤其借助于牺牲层蚀刻过程根据所述质量结构(10)的变形构造，其中，优选在所述蚀刻步骤期间同样构造所述质量结构(10)的所述止挡结构(12)。

技术总结
本发明请求保护一种微机电系统，包括具有主延伸平面的衬底，其中，微机电系统包括质量结构，其中，质量结构沿垂直于主延伸平面的垂直方向相对于衬底能运动地构造，其中，质量结构具有电极结构，其中，衬底具有对应电极结构，其中，电极结构和对应电极结构电容式地耦合，其特征在于，质量结构


技术研发人员：R
受保护的技术使用者：罗伯特
技术研发日：2021.08.11
技术公布日：2022/2/23