半导体元件及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种半导体元件，包括：一基底；一介电层，设置在该基底上；一栓塞，设置在该介电层中，其中该栓塞具有一突出部，该突出部具有一第一宽度；以及一着陆垫，设置在该介电层上，其中该着陆垫包含导电聚合物，且该着陆垫具有一第二宽度，该第二宽度是较大于该突出部的该第一宽度。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该着陆垫还包括一阻障层，该阻障层位在该突出部与一第二硅化物层之间。3.如权利要求2所述的半导体元件，其中，该导电聚合物层包含石墨烯。4.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该导电聚合物层包含共轭聚合物。5.如权利要求4所述的半导体元件，其中，该共轭聚合物包含聚苯乙烯磺酸盐或聚苯胺。6.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一电容接触点，是位在该基底上，该着陆垫设置在该电容接触点上，该电容接触点具有一颈部以及一头部，该头部位在该颈部上，其中该头部的一上宽度是较大于该颈部的一上宽度，且该着陆垫的该第二宽度是较大于该头部的该上宽度。7.如权利要求6所述的半导体元件，其中，该头部的该上宽度是较大于该头部的一下宽度。8.如权利要求6所述的半导体元件，其中，该颈部的该上宽度是大致相同于该头部的一下宽度。9.如权利要求6所述的半导体元件，其中，该头部具有一弯曲侧壁。10.如权利要求6所述的半导体元件，其中，该头部具有锥形轮廓。11.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：一位元线接触点与一位元线，该位元线接触点设置在该基底上，该位元线设置在该位元线接触点上，其中该位元线为一波状条纹，是在位在该基底上的二相邻电容接触点之间延伸；以及一电容结构，设置在该着陆垫上。12.一种半导体元件的制备方法，包括：提供一基底；形成具有一栓塞的一介电层在该基底上；执行一蚀刻制程，以移除该介电层的一部分，进而暴露该栓塞的一突出部；形成一导电聚合物层，以覆盖该介电层与该突出部，其中该突出部具有一第一宽度；以及移除该导电聚合物层的一部分，以形成一着陆垫在该介电层上，其中该着陆垫具有一第二宽度，该第二宽度是较大于该突出部的该第一宽度。13.如权利要求12所述的半导体元件的制备方法，还包括：形成一阻障层在该栓塞与该介电层之间，且该蚀刻制程是移除该介电层的一部分，以暴露该栓塞的该突出部以及该阻障层的一上部。
14.如权利要求12所述的半导体元件的制备方法，其中，移除该导电聚合物层的一部分的步骤是包括：对准具有一图案化孔的一遮罩在该导电聚合物层上；以及放射多个带电粒子束经过该遮罩的图案化孔，以形成一图案化导电聚合物。15.如权利要求12所述的半导体元件的制备方法，其中，该导电聚合物层是由一共轭聚合物所制。16.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，其中，该导电聚合物层的一放射区是形成一隔离聚合物层，且所述带电粒子束是为多个电子与多个离子其中之一。17.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，其中，该遮罩是为一遮蔽罩，且所述多个离子是为多个离子的一材料，该材料是选自以下群组：氢、锂、钠、钾、铷、鍅、氯、溴、碘、砈、氖、氪、氙、氡、氦、氩、氮、氧以及铯。18.如权利要求12所述的半导体元件的制备方法，还包括：形成一电容接触点在该基底上，且该着陆垫是形成在该电容接触点上；其中该电容接触点具有一颈部以及一头部，该头部位在该颈部上，且该头部的一上宽度是较大于该颈部的一上宽度。19.如权利要求18所述的半导体元件的制备方法，其中，形成该电容接触点是包括：形成一接触孔在一介电堆叠中，该介电堆叠具有一第一层以及一第二层，该第二层位在该第一层上；移除该第二层围绕该接触孔的一部分，以形成一转换孔，该转换孔具有一窄部以及一宽部，该窄部位在该第一层中，该宽部位在该第二层中；以及充填一导电材料进入该转换孔中。20.如权利要求19所述的半导体元件的制备方法，其中，该接触孔是与一位元线沟槽一体形成在该第二层中，且该方法还包括：填满该位元线沟槽以及该接触点的一下部，其是以一填充材料进行充填；其中该第二层围绕该接触孔的一部分的移除是在以一牺牲材料充填该接触孔的该下部之后所执行。

技术总结
本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一介电层、一栓塞以及一导电聚合物的着陆垫；该介电层设置在该基底上；该栓塞设置在该介电层中；该导电聚合物的着陆垫设置在该介电层上。该方法包括：提供一基底；形成具有一栓塞的一介电层在该基底上；执行一蚀刻制程，以移除该介电层的一部分，进而暴露该栓塞的一突出部；形成一导电聚合物层，以覆盖介电层与该突出部；以及执行一热处理，以自对准方法形成一着陆垫在该介电层上。导电聚合物的该着陆垫包括该栓塞的一突出部、一第一硅化物层以及一第二硅化物层；该第一硅化物层设置在该突出部上；该第二硅化物层设置在该突出部的一侧壁上。该第二硅化物层设置在该突出部的一侧壁上。该第二硅化物层设置在该突出部的一侧壁上。


技术研发人员：徐嘉祥
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：2021.06.24
技术公布日：2022/2/23