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阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板和电子设备与流程

2022-02-24 18:43:03 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:多个功能区域,多个功能区域之间间隔设置;每个功能区域均包括遮挡层,相邻两个功能区域中的遮挡层相互连接,且多个所述遮挡层中的一个与接地区域连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,多个功能区域包括连接区域;所述连接区域还包括:玻璃基板,所述玻璃基板设置在所述遮挡层下方;缓冲层,所述缓冲层设置在所述遮挡层上方;钝化多晶硅绝缘层,所述钝化多晶硅绝缘层设置在所述缓冲层上方;层间介质层,所述层间介质层设置在所述钝化多晶硅绝缘层上方;源漏层,所述源漏层设置在所述层间介质层上方,所述源漏层通过原有的接地走线与所述接地区域连接,所述源漏层与所述遮挡层通过遮挡层的金属走线连接。3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,多个功能区域包括:接地绑定区域;所述接地绑定区域还包括:玻璃基板,所述玻璃基板设置在所述遮挡层下方;缓冲层,所述缓冲层设置在所述遮挡层上方;钝化多晶硅绝缘层,所述钝化多晶硅绝缘层设置在所述缓冲层上方;层间介质层,所述层间介质层设置在所述钝化多晶硅绝缘层上方;源漏层,所述源漏层设置在所述层间介质层上方,所述源漏层通过原有的接地走线与接地区域连接,所述源漏层与所述遮挡层通过遮挡层的金属走线连接。4.根据权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,所述层间介质层具有过孔,所述过孔穿透所述钝化多晶硅绝缘层和所述缓冲层,以使所述遮挡层的金属走线将所述源漏层与所述遮挡层连接。5.根据权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,接地走线上设置有静电环,所述接地走线包括所述遮挡层的金属走线和所述源漏层的原有的接地走线。6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述遮挡层为挡光金属层,所述遮挡层的厚度大于1000a。7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,多个功能区域还包括显示区域、goa区域和数据选择器区域,所述goa区域位于所述显示区域两侧,所述数据选择区域与所述显示区域相对设置。8.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:设置多个功能区域;在每个功能区域均形成有遮挡层;将相邻两个功能区域中的遮挡层相互连接;将多个所述遮挡层中的一个与接地区域连接。9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至7中任一项所述的阵列基板;和
柔性电路板,所述柔性电路板接地,所述阵列基板的遮挡层与所述柔性电路板连接。10.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求9所述的显示面板。

技术总结
本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板和电子设备,涉及电子设备技术领域。其中,阵列基板包括多个功能区域,多个功能区域之间间隔设置;每个功能区域包括遮挡层,相邻两个功能区域中的遮挡层相互连接,且多个所述遮挡层中的一个与接地区域连接。本申请技术方案将多个功能区域中相邻的两个功能区域的遮挡层进行连接,从而使得多个功能区域变成连接的金属网,且多个遮挡层中的一个与接地区域连接,从而实现遮挡层的接地,通过遮挡层接地的设置改变遮挡层原有的漂移状态,从而从根本上解决了因源漏层与遮挡层耦合导致的亮度不均一的不良问题,进而改善因遮挡层漂移导致的电子设备等超高亮背光产品的亮度不均等不良问题。等不良问题。等不良问题。


技术研发人员:姚磊 方业周 李峰 闫雷 李凯 候林 叶腾 朱晓刚 杨桦 高云 苏海东 李晓芳
受保护的技术使用者:鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
技术研发日:2020.08.17
技术公布日:2022/2/23
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本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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