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发光元件用墨组合物及使用其制造的发光元件和电子装置的制作方法

2022-02-24 18:05:12 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种发光元件用墨组合物,包括:氧化膦系电荷传输性有机物;化学式1的第一溶剂;以及化学式2的第二溶剂,<化学式1>hor1(o)
m
r2oh其中,在所述化学式1中,r1和r2彼此独立地表示c
1-c
60
亚烷基、c
3-c
10
亚环烷基或者c
1-c
10
亚杂环烷基,m表示0或者1,<化学式2>(ho)
a
r
11
o(r
12
o)
n
r
13
(oh)
b
在所述化学式2中,r
11
至r
13
彼此独立地表示c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
亚烷基、c
3-c
10
环烷基、c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
杂环烷基或者c
1-c
10
亚杂环烷基,n表示0至5的整数,a和b彼此独立地表示0或者1,a与b之和为1。2.如权利要求1所述的发光元件用墨组合物,其中,所述电荷传输性有机物是电子传输性有机物。3.如权利要求1所述的发光元件用墨组合物,其中,所述第一溶剂和所述第二溶剂的混合溶剂的汉森参数的dp值为9以上。4.如权利要求1所述的发光元件用墨组合物,其中,所述第一溶剂和所述第二溶剂的混合溶剂的汉森参数的dh值为9以上。5.如权利要求1所述的发光元件用墨组合物,其中,所述第一溶剂和所述第二溶剂的沸点的差异为10℃以下。6.如权利要求1所述的发光元件用墨组合物,其中,所述第一溶剂和所述第二溶剂的混合溶剂在常温下的粘度为30cp以下。7.如权利要求1所述的发光元件用墨组合物,其中,所述第一溶剂和所述第二溶剂的混合溶剂的表面张力为30dyn/cm至38dyn/cm。8.如权利要求1所述的发光元件用墨组合物,其中,所述氧化膦系电荷传输性有机物的汉森参数的dp值为9以上。9.如权利要求1所述的发光元件用墨组合物,其中,所述氧化膦系电荷传输性有机物的汉森参数的dh值为5以上。10.如权利要求1所述的发光元件用墨组合物,其中,所述化学式1的所述第一溶剂包括以下化合物中的任意一个:[化合物1][化合物2]
[化合物3][化合物4]。11.如权利要求1所述的发光元件用墨组合物,其中,所述化学式2的所述第二溶剂由下述化学式2-1、化学式2-2或者化学式2-3表示:<化学式2-1><化学式2-2><化学式2-3>其中,在所述化学式2-1、所述化学式2-2以及所述化学式2-3中,针对r
11
、r
13
、a、b以及n的定义与所述化学式2中的定义相同。12.如权利要求1所述的发光元件用墨组合物,其中,所述氧化膦系电荷传输性有机物包括以下化合物中的任意一个:[化合物101][化合物102]
[化合物103][化合物104][化合物105][化合物106][化合物107]。13.一种发光元件,包括:
第一电极;第二电极,与所述第一电极对向;以及中间层,夹设在所述第一电极与所述第二电极之间,并且包括发光层,其中,所述中间层中的任意层通过使用包括以下物质的发光元件用墨组合物的制造方法制造:氧化膦系电荷传输性有机物;化学式1的第一溶剂;以及化学式2的第二溶剂,<化学式1>hor1(o)
m
r2oh其中,在所述化学式1中,r1和r2彼此独立地表示c
1-c
60
亚烷基、c
3-c
10
亚环烷基或者c
1-c
10
亚杂环烷基,m表示0或者1,<化学式2>(ho)
a
r
11
o(r
12
o)
n
r
13
(oh)
b
在所述化学式2中,r
11
至r
13
彼此独立地表示c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
亚烷基、c
3-c
10
环烷基、c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
杂环烷基或者c
1-c
10
亚杂环烷基,n表示0至5的整数,a和b彼此独立地表示0或者1,a与b之和为1。14.如权利要求13所述的发光元件,其中,所述任意层是电子传输层。15.如权利要求13所述的发光元件,其中,所述制造方法是基于喷墨的制造方法。16.如权利要求13所述的发光元件,其中,所述发光层与所述任意层接触。17.如权利要求13所述的发光元件,其中,所述发光层包括主体和掺杂剂,所述主体的分子量和所述掺杂剂的分子量分别为640以上。18.如权利要求13所述的发光元件,其中,所述发光元件用墨组合物还包括含金属物质。19.如权利要求13所述的发光元件,其中,所述中间层还包括空穴注入层、空穴传输层,所述空穴注入层、所述空穴传输层以及所述发光层通过溶液工艺制备。20.一种电子装置,包括:权利要求13至19中任意一项所述的发光元件。

技术总结
公开了一种发光元件用墨组合物以及使用其制造的发光元件和电子装置,其中,所述发光元件用墨组合物包括:氧化膦系电荷传输性有机物;化学式1的第一溶剂;以及化学式2的第二溶剂,<化学式1>HOR1(O)


技术研发人员:金世勳 姜太宪 金德起 金兴奎 鲁承旭 文慧兰 朴元俊 李珠莲 河在国
受保护的技术使用者:三星显示有限公司
技术研发日:2021.04.16
技术公布日:2022/2/23
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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