一种芯片的制作方法与流程

1.本技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种芯片的制作方法。


背景技术：

2.随着半导体技术的发展以及工业生产的需求，半导体器件的尺寸在不断的缩小，半导体器件尺寸的缩减，必然导致芯片线宽(critical dimension，简称cd)的不断减小。
3.然而，芯片的线宽不断减小，会使得制作芯片时，对芯片的线宽控制难度增加，影响芯片的线宽均匀性(critical dimension uniform，简称cdu)，导致芯片的线宽均匀性较差，从而影响芯片的良率。因此，为了有效避免芯片线宽均匀性对芯片良率的影响，提供一种能够有助于改善芯片线宽均匀性的芯片制作方法，成为了本领域技术人员的研究重点。


技术实现要素：

4.为解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种芯片的制作方法，该制作方法能够有助于改善线宽均匀性，从而有助于提高芯片的良率。
5.为解决上述问题，本技术实施例提供了如下技术方案：
6.一种芯片的制作方法，该制作方法包括：
7.提供一光罩，所述光罩第一表面具有多个预设图形；
8.将所述光罩第一表面划分为尺寸和形状均相同的多个预设区域；
9.根据各个预设区域中的预设图形的数量，获取所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度；
10.根据所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度，得到修正区域，所述修正区域包括图形密度取值范围在第一预设值和第二预设值之间的至少一个预设区域，包括端点值；
11.在所述修正区域中选取多个测量点，所述多个测量点位于所述修正区域中的预设图形上，根据所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整；
12.根据调整后的曝光剂量，利用所述光罩制作芯片。
13.可选的，根据所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度，得到所述修正区域包括：
14.根据所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度，得到所述光罩的图形密度曲线；
15.根据所述图形密度曲线，得到所述第一预设值和所述第二预设值；
16.根据所述第一预设值和所述第二预设值，得到所述修正区域。
17.可选的，所述修正区域包括至少一个预设区域，在所述修正区域中选取多个测量点包括：
18.在所述修正区域中的至少一个预设区域中选取多个测量点；
19.其中，在所述修正区域中的至少一个预设区域中选取多个测量点包括：
20.在所述修正区域中的至少一个预设区域的第一方向和第二方向各选取多个测量点；
21.所述第一方向和所述第二方向平行于所述光罩的第一表面，且所述第一方向与所述第二方向垂直。
22.可选的，所述修正区域包括多个预设区域，在所述修正区域中选取多个测量点包括：
23.在所述修正区域中的各个预设区域中各选取多个测量点；
24.其中，在所述修正区域中的各个预设区域中各选取多个测量点包括：
25.在所述修正区域中的各个预设区域的第一方向和第二方向各选取多个测量点；
26.所述第一方向和所述第二方向平行于所述光罩的第一表面，且所述第一方向与所述第二方向垂直。
27.可选的，根据所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整包括：
28.获取所述多个测量点所在位置的线宽；
29.将所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片的预设线宽相比较，得到所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片的预设线宽的差值；
30.根据所述差值，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整；
31.其中，所述芯片的预设线宽为所述芯片线宽的理想值。
32.可选的，根据所述差值，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整包括：
33.当所述测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片的预设线宽的差值小于第三预设值，利用所述光罩制作所述芯片时，增大所述芯片晶圆与该测量点所在位置相对应处的曝光剂量；
34.当所述测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片的预设线宽的差值大于第四预设值，利用所述光罩制作所述芯片时，减小所述芯片晶圆与该测量点所在位置相对应处的曝光剂量；
35.当所述测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片预设线宽的差值的取值范围在所述第三预设值和所述第四预设值之间，包括端点值，利用所述光罩制作所述芯片时，不改变所述芯片晶圆与所述测量点所在位置相对应处的曝光剂量。
36.与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
37.本技术实施例所提供的技术方案包括：提供一光罩，所述光罩第一表面具有多个预设图形；将所述光罩的第一表面划分为尺寸和形状均相同的多个预设区域；获取所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度；根据所述预设区域的图形密度，得到修正区域，所述修正区域包括图形密度取值范围在第一预设值和第二预设值之间的至少一个所述预设区域，包括端点值；在所述修正区域中选取多个测量点，根据所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整；根据调整后的曝光剂量，利用所述光罩制作所述芯片。由上述可知，本技术实施例所提供的方法根据所述光罩第一表面的多个预设区域的图形密度得到修正区域，又在所述修正区域中选取多个测量点，已知所述修正区域的图形密度取值范围在第一预设值和第二预设值之间，包括端点值，能
够避免所述修正区域的图形密度过大或过小，进而避免在修正区域中选取的多个测量点所在位置的线宽过大或过小，使得选取的测量点所在位置的线宽能够更加真实的反应光罩的实际线宽分布，从而使得根据测量点的所在位置的线宽调整曝光剂量时，有助于对曝光剂量进行准确调整，使得根据调整后的曝光剂量，制作的芯片线宽均匀性较好，有助于提高所述芯片的线宽均匀性，进而有助于提高所述芯片的良率。
附图说明
38.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
39.图1为光罩中的预设图形上的测量点所在位置的线宽与光罩图形密度的关系曲线；
40.图2为本技术实施例提供的一种芯片的制作方法的流程图；
41.图3为本技术实施例提供的一种芯片的制作方法中的光罩的俯视图；
42.图4为不同芯片制作方法制得的芯片线宽分布曲线对比图；
43.图5为本技术实施例所提供的一种芯片的制作方法中的光罩图形密度分布曲线；
44.图6为本技术实施例提供的一种芯片的制作方法中的光罩多个预设区域的图形密度分布图。
具体实施方式
45.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
46.在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
47.其次，本技术结合示意图进行详细描述，在详述本技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
48.正如背景技术部分所述，为了有效避免芯片线宽均匀性对芯片良率的影响，提供一种能够有助于改善芯片线宽均匀性的芯片制作方法，成为了本领域技术人员的研究重点。
49.随着半导体器件尺寸的不断减小，为了保证芯片的良率，对于芯片的线宽均匀性的控制变得越来越重要。
50.通常情况下，在制作芯片时，为了提高制得的芯片的线宽均匀性，通常需要在光罩上选取多个测量点，并获取多个测量点所在位置的线宽，根据光罩上的多个测量点所在位置的线宽，得到光罩上的多个测量点所在位置的线宽与芯片理想线宽的偏差，根据光罩上
的多个测量点所在位置的线宽与芯片理想线宽的偏差得到根据光罩制作芯片时的曝光剂量的补偿值，尽可能的对制作芯片时的曝光剂量进行准确调整，再根据调整后的曝光剂量，将光罩上的图形转移到晶圆上，形成芯片，以改善芯片的线宽均匀性。
51.现有的芯片制作方法为了改善芯片的线宽均匀性，通常都会对芯片线宽进行修正，该制作方法包括：提供一光罩，该光罩上具有预设图形；在光罩上随机选取多个测量点，一般随机选取64～200个测量点，获取选取的多个测量点所在位置的线宽，并将多个测量点所在位置的线宽与芯片的理想线宽相比较，得到所述光罩上的多个测量点所在位置的线宽与所述芯片理想线宽之间的偏差，所述光罩上的多个测量点所在位置的线宽将代表所述光罩上多个测量点周围的图形的平均线宽，从而作为衡量所述光罩线宽分布的标准，再根据所述光罩上的多个测量点所在位置的线宽与所述芯片理想线宽之间的偏差，得到曝光剂量的补偿值在即将形成芯片的晶圆表面的分布，根据补偿值对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整，然后根据调整后的曝光剂量，通过光刻工艺将所述光罩上的预设图形转移到晶圆上形成芯片，以改善芯片的线宽均匀性。需要说明的是，制作芯片时需要通过光刻工艺将光罩上的预设图形转移到晶圆上，从而光罩上的预设图形与形成的芯片上的图形相对应。
52.然而，根据上述可知，现有的芯片制作方法对于光罩上的测量点的选取是随机的。通常情况下，如图1所示，光罩表面具有多个预设图形，并且光罩上的不同区域的图形密度(pattern density，简称pd)也是不同的，会使得图形密度大的区域线宽偏小，图形密度小的区域线宽偏大。现有的芯片制作方法对于光罩上的测量点的选取是随机的，并没有考虑到图形密度对于光罩测量点所在位置线宽的影响，从而会导致获取光罩的测量点所在位置的线宽时，若选取的测量点位于图形密度较大的区域，该测量点所在位置的线宽会较小，若选取的测量点位于图形密度较小的区域，该测量点所在位置的线宽会较大，不能够反应光罩的真实线宽分布，从而不能够对曝光剂量进行正确的调整，不能够保证对所述光罩上的图形转移到晶圆上形成芯片时的曝光剂量的准确性，影响芯片的线宽均匀性，进而影响芯片的良率。
53.基于此，本技术实施例提供了一种芯片的制作方法，如图2所示，该方法包括以下步骤：
54.s1：如图3所示，提供一光罩10，所述光罩10第一表面具有多个预设图形11；
55.s2：继续如图3所示，将所述光罩10的第一表面划分为尺寸和形状均相同的多个预设区域12；
56.s3：根据所述多个预设区域12中各个预设区域12中的所述预设图形11的数量，获取所述多个预设区域12中各个预设区域12的图形密度；
57.s4：根据所述多个预设区域12中各个预设区域12的图形密度，得到修正区域13，所述修正区域13包括图形密度取值范围在第一预设值和第二预设值之间的至少一个所述预设区域12，包括端点值；
58.s5：在所述修正区域13中选取多个测量点，所述多个测量点位于所述修正区域中的预设图形上，根据所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整；需要说明的是，所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽为测量点在预设图形上所在位置处对应的图形线条的线宽，并非整个预设图形的线宽，
也并非测量点所处预设图形的整体宽度。
59.s6：根据调整后的曝光剂量，利用所述光罩制作芯片。
60.需要说明的是，光罩的线宽对芯片的线宽均匀性具有至关重要的影响，为了提高芯片的线宽均匀性，需要在光罩上选取多个测量点，获取光罩上多个测量点所在位置处的预设图形的线宽，根据光罩多个测量点所在位置处的预设图形的线宽对芯片的线宽进行修正，提高芯片的线宽均匀性。其中获取的光罩的测量点所在位置处的预设图形的线宽与光罩测量点所在区域的图形密度有关，图形密度越大，光罩测量点所在位置处的预设图形的线宽越小，反之，则光罩测量点所在位置处的预设图形的线宽越大，使得若选取的测量点所在区域的图形密度不适中时，测量点所在位置处的预设图形的线宽不能准确的反应光罩的线宽，进而不能够对利用光罩制作芯片时的曝光剂量进行准确的调整，使得利用所述光罩制作芯片，会对芯片的线宽均匀性产生影响。
61.在本技术实施例中，所述制作方法根据所述光罩第一表面的多个预设区域的图形密度得到修正区域，又在所述修正区域中选取多个测量点，已知所述修正区域的图形密度取值范围在第一预设值和第二预设值之间，包括端点值，能够避免所述修正区域的图形密度过大或过小，进而避免在修正区域中选取的多个测量点所在位置处的预设图形的线宽过大或过小，使得选取的测量点所在位置处的预设图形的线宽能够更加真实的反应光罩的实际线宽分布，从而使得根据测量点的所在位置处的预设图形的线宽调整曝光剂量时，有助于对曝光剂量进行准确调整，使得根据调整后的曝光剂量，制作的芯片线宽均匀性较好，有助于提高所述芯片的线宽均匀性，进而有助于提高所述芯片的良率。
62.具体的，如图4所示，图4为芯片线宽分布曲线对比图，图中线1为利用本技术实施例所提供的制作方法制得的芯片线宽分布曲线，线2为利用前述的现有芯片制作方法制得的芯片线宽分布曲线，线3为不对曝光剂量进行调整的芯片制作方法制得的芯片的线宽分布曲线，根据图4中的各线宽分布曲线可知，利用本技术实施例所提供的方法制得的芯片的线宽分布曲线的宽度最窄，利用前述的芯片制作方法制得的芯片线宽分布曲线的宽度次之，不对曝光剂量进行调整的芯片制作方法制得的芯片线宽分布曲线最宽，从而利用本技术实施例所提供的方法制得的芯片线宽的差异较小，即线宽均匀性最好，说明利用本技术实施例所提供的方法制作芯片，能够有效改善芯片的线宽均匀性，有助于提高所述芯片的良率。
63.需要说明的是，本技术实施例是通过搭载在某硬件上的软件程序扫描所述光罩表面，将光罩表面划分成尺寸和形状均相同的多个预设区域，并根据各个预设区域的预设图形的数量，获取所述多个预设区域的图形密度，在此对该过程不再进行详细的描述。
64.在上述实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，根据所述多个预设区域中的各个预设区域的图形密度，得到所述修正区域包括：根据所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度，得到所述光罩的图形密度曲线；根据所述光罩的所述图形密度曲线，得到所述第一预设值和所述第二预设值，即根据所述图形密度曲线得到所述光罩第一表面图形密度适中的图形密度值，其中，所述第一预设值小于所述第二预设值，通常情况下，所述第一预设值和所述第二预设值分别位于所述图形密度曲线的最高点的两侧，并且所述第一预设值对应的图形密度值与所述图形密度曲线的最高点处对应的图形密度值的差值不大于10％，所述第二预设值对应的图形密度值与所述图形密度曲线的最高点处对应的图形密度
值的差值不大于10％，从而能够根据所述光罩的图形密度曲线得到所述第一预设值和所述第二预设值；根据所述第一预设值和所述第二预设值，得到所述修正区域，能够有效防止所述修正区域的图形密度过大或过小，从而防止所述修正区域的线宽过小或过大，有助于实现对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量的准确调整，能够有效改善芯片的线宽均匀性，从而有助于提高所述芯片的良率。需要说明的是，确定光罩上的修正区域时，根据芯片厂生产的芯片上的图形特性不同，修正区域的图形密度的适合值是不同的，需要根据芯片的实际情况而定，但是目前通常认为图形密度在比图形密度曲线的最高点处对应的密度值小10％至比图形密度曲线的最高点处对应的密度值大10％之间的区域作为修正区域是适合的，但本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
65.具体的，如图5所示，图5为本技术实施例所提供的方法中的所述光罩第一表面的图形密度分布曲线，其中，横坐标为图形密度，纵坐标为各个图形密度对应的预设区域个数，a对应的图形密度的值为第一预设值，b对应的图形密度的值为第二预设值，图形密度小于第一预设值的预设区域为图形密度过小的区域，图形密度大于第二预设值的预设区域为图形密度过大的区域，图形密度在第一预设值和第二预设值之间的预设区域为图形密度适中的区域，包括端点值，即为修正区域，通过所述图形密度分布曲线能够排除图形密度过大和图形密度过小的区域，仅在图形密度适中的修正区域中选取测量点，使得选取的测量点的线宽能够真实的反应所述光罩的线宽分布，从而有助于改善利用所述制作方法制得的芯片的线宽均匀性，进而有助于提高芯片的良率。
66.并且，如图6所示，图6中区域c为图形密度的取值范围在第一预设值和第二预设值之间的修正区域，区域d和区域e分别为图形密度小于第一预设值的预设区域和图形密度大于第二预设值的预设区域。对芯片线宽进行修正时，在图形密度的取值范围在第一预设值和第二预设值之间的修正区域选取测量点，不会在图形密度小于第一预设值的预设区域d和图形密度大于第二预设值的预设区域e中选取测量点，避免由于选取的测量点所在区域的图形密度对测量点所在位置的线宽产生影响。需要说明的是，在本技术的其他实施例中，所述修正区域的图形密度的取值范围还可以为其他值，本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
67.在上述实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，在所述修正区域中选取多个测量点包括：在所述修正区域中的至少一个预设区域中选取多个测量点；其中，在所述修正区域中的至少一个预设区域中选取多个测量点包括：在所述修正区域中的至少一个预设区域的第一方向和第二方向各选取多个测量点，所述第一方向和所述第二方向平行于所述光罩的第一侧表面，且所述第一方向与所述第二方向垂直，使得选取的测量点能够尽可能多样性的反应光罩的线宽分布，从而使得在所述修正区域中的至少一个预设区域中选取的测量点能够尽可能的反应光罩的线宽分布，有助于对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整，改善芯片的线宽均匀性，提高所述芯片的良率。
68.在本技术的另一个实施例中，所述修正区域包括多个预设区域，在所述修正区域中选取多个测量点包括：在所述修正区域中的各个预设区域中各选取多个测量点；其中，在所述修正区域中的各个预设区域中各选取多个测量点包括：在所述修正区域中的各个预设区域的第一方向和第二方向各选取多个测量点，其中，所述第一方向和所述第二方向平行于所述光罩的第一侧表面，且所述第一方向与所述第二方向垂直，使得选取的测量点能够
尽可能多样性的反应光罩的线宽分布，从而使得在所述修正区域中的至少一个预设区域中选取的测量点能够尽可能的反应光罩的线宽分布，有助于对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整，改善芯片的线宽均匀性，提高所述芯片的良率。需要说明的是，当所述修正区域包括多个预设区域，并在修正区域中选取多个测量点时，也可以在所述修正区域的多个预设区域中的至少一个预设区域中选取多个测量点，本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
69.在上述任一实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，根据所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整包括：在所述修正区域中选取多个测量点，获取所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽；根据所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽，将所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片预设线宽相比较，得到所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片预设线宽的差值，其中，所述芯片的预设线宽为所述芯片线宽的理想值；根据所述差值，即所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片预设线宽的差值，得到利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量的补偿值在晶圆表面的分布，以对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整。由于将所述光罩上的预设图形转移到所述晶圆上制作芯片时，曝光剂量对于线宽具有重要的影响，所述方法能够利用所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片预设线宽的差值，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行正确的调整，有助于改善利用所述制作方法制得的芯片的线宽均匀性，从而有助于改善所述芯片线宽均匀性，提高所述芯片的良率。
70.在上述实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，无论是对于在所述修正区域中的至少一个所述预设区域中选取多个测量点的实施例而言，还是对于在所述修正区域中的各个预设区域选取多个测量点的实施例而言，根据所述差值，即所述多个测量点所在位置的线宽与所述芯片预设线宽的差值，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整均包括：当所述测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片的预设线宽的差值小于第三预设值时，即所述芯片的预设线宽大于所述测量点所在位置处的预设图形的线宽时，且所述测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片的预设线宽的差值超出允许范围，为了在将所述光罩上的图形转移到所述晶圆形成芯片时，改善所述芯片线宽的均匀性，利用所述光罩制作所述芯片时，增大所述芯片晶圆与所述测量点所在位置对应的位置的曝光剂量，即所述晶圆与所述测量点所在位置对应的位置的曝光剂量的补偿值大于0；
71.当所述测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片的预设线宽的差值大于第四预设值时，即所述芯片的预设线宽小于所述测量点所在位置处的预设图形的线宽，且所述测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片的预设线宽的差值超出允许范围，为了使得将所述光罩上的图形转移到所述晶圆形成芯片时，改善所述芯片线宽的均匀性，利用所述光罩制作所述芯片时，减小所述芯片晶圆与所述测量点所在位置对应的位置的曝光剂量，即所述测量点所在位置对应的位置的曝光剂量的补偿值小于0；
72.当所述测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片的预设线宽的差值在所述第三预设值和所述第四预设值之间时，包括端点值，即所述测量点所在位置处的预设图形的线宽与所述芯片的预设线宽的差值在允许范围以内，利用所述光罩制作所述芯片时，不改变芯片晶圆与所述测量点所在位置对应的位置的曝光剂量，即所述曝光剂量的补偿值
等于0，所述曝光剂量不变。
73.需要说明的是，利用所述光罩制作所述芯片时，通过光刻工艺将所述光罩的图形转移到芯片上，光罩上的预设图形与形成的芯片上的图形相对应，并且测量点所在位置处处的预设图形的线宽代表该测量点周围区域的线宽，使得根据测量点所在位置处的预设图形的线宽调整后的曝光剂量，能够代表芯片晶圆与测量点所在位置相对应的位置的周围区域的曝光剂量，从而能够实现对制作芯片时的曝光剂量的调整。并且，将所述光罩上的图形转移到晶圆上形成芯片时，需要将光罩上的图形投影到晶圆上，从而利用所述光罩制作所述芯片时，改变芯片晶圆与所述光罩上的测量点所在位置相对应的位置的曝光剂量，便可以实现对制作芯片时的曝光剂量的调整，从而实现对芯片上形线宽的调整，改善芯片的线宽均匀性。还需要说明的是，本技术实施例对所述第三预设值和所述第四预设值的具体数值并不做限定，与芯片的制作精度要求有关，具体视情况而定。
74.综上所述，本技术实施例提供了一种芯片的制作方法，该方法包括：提供一光罩，所述光罩第一表面具有多个预设图形；将所述光罩的第一表面划分为多个尺寸和形状均相同的预设区域；获取所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度；根据所述预设区域的图形密度，得到修正区域，所述修正区域包括图形密度取值范围在第一预设值和第二预设值之间的至少一个所述预设区域，包括端点值；在所述修正区域中选取多个测量点，根据所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整；根据调整后的曝光剂量，利用所述光罩制作所述芯片。由上述可知，本技术实施例所提供的方法根据所述光罩第一表面的多个预设区域的图形密度得到修正区域，又在所述修正区域中选取多个测量点，已知所述修正区域的图形密度取值范围在第一预设值和第二预设值之间，包括端点值，能够避免所述修正区域的图形密度过大或过小，进而避免在修正区域中选取的多个测量点所在位置的线宽过大或过小，使得选取的测量点所在位置的线宽能够更加真实的反应光罩的实际线宽分布，从而使得根据测量点的所在位置的线宽调整曝光剂量时，有助于对曝光剂量进行准确调整，使得根据调整后的曝光剂量，制作的芯片线宽均匀性较好，有助于提高所述芯片的线宽均匀性，进而有助于提高所述芯片的良率。
75.本说明书中各个部分采用并列和递进相结合的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
76.对所公开的实施例的上述说明，本说明书中各实施例中记载的特征可以相互替换或组合，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。