用于超宽带应用的RFBAW谐振器滤波器架构的制作方法

技术特征：
1.一种多级匹配网络滤波器电路设备，所述设备包括：体声波(baw)谐振器设备，具有输入节点、输出节点、以及接地连接区域；第一匹配网络电路，耦合到所述输入节点；第二匹配网络电路，耦合到所述输出节点；以及接地连接网络电路，耦合到所述接地连接区域和电路接地节点。2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一匹配网络电路或第二匹配网络电路包括配置为电感梯形网络的一个或多个串联电感器和一个或多个接地电感器。3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述电感梯形网络包括一个或多个lc槽，其中，所述一个或多个lc槽中的每一个耦合到所述一个或多个串联电感器中的一个。4.根据权利要求2所述的设备，其中，所述电感梯形网络包括一个或多个分路电容器，其中，所述一个或多个分路电容器中的每一个耦合在所述一个或多个接地电感器中的一个和所述电路接地节点之间。5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一匹配网络电路或所述第二匹配网络电路至少包括lc槽、第一串联电感器、第二串联电感器、以及接地电感器；其中，所述第一串联电感器、lc槽以及第二串联电感器串联耦合，并且其中，所述接地电感器耦合到所述lc槽和所述第二串联电感器之间的连接。6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一匹配网络电路或所述第二匹配网络电路包括lc槽。7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述接地连接网络电路包括一个或多个接地电感器。8.根据权利要求1所述的设备，其中，所述baw谐振器设备包括：第一谐振器，耦合在第一节点和所述输入节点之间，所述第一谐振器包括：第一电容器设备，所述第一电容器设备包括第一基板构件，所述第一基板构件具有第一腔体区域和与所述第一腔体区域的第一开口邻接的第一上表面区域，第一底部电极，在所述第一腔体区域的一部分内，第一压电材料，覆盖所述第一上表面区域和所述第一底部电极，第一顶部电极，覆盖所述第一压电材料并覆盖所述第一底部电极，以及第一绝缘材料，覆盖所述第一顶部电极并被配置为具有第一厚度，以调谐所述第一谐振器；第二谐振器，耦合在所述第一节点和第二节点之间，所述第二谐振器包括：第二电容器设备，所述第二电容器设备包括第二基板构件，所述第二基板构件具有第二腔体区域和与所述第二腔体区域的第二开口邻接的第二上表面区域，第二底部电极，在所述第二腔体区域的一部分内，第二压电材料，覆盖所述第二上表面区域和所述第二底部电极，第二顶部电极，覆盖所述第二压电材料并覆盖所述第二底部电极，以及第二绝缘材料，覆盖所述第二顶部电极并被配置为具有第二厚度，以调谐所述第二谐振器；第三谐振器，耦合在所述第二节点和第三节点之间，所述第三谐振器包括第三电容器设备，所述第三电容器设备包括：
第三基板构件，所述第三基板构件具有第三腔体区域和与所述第三腔体区域的第三开口邻接的第三上表面区域，第三底部电极，在所述第三腔体区域的一部分内，第三压电材料，覆盖所述第三上表面区域和所述第三底部电极，第三顶部电极，覆盖所述第三压电材料并覆盖所述第三底部电极，以及第三绝缘材料，覆盖所述第三顶部电极并被配置为具有第三厚度，以调谐所述第三谐振器；第四谐振器，耦合在所述第三节点和第四节点之间，所述第四谐振器包括第四电容器设备，所述第四电容器设备包括：第四基板构件，所述第四基板构件具有第四腔体区域和与所述第四腔体区域的第四开口邻接的第四上表面区域，第四底部电极，在所述第四腔体区域的一部分内，第四压电材料，覆盖所述第四上表面区域和所述第四底部电极，第四顶部电极，覆盖所述第四压电材料并覆盖所述第四底部电极，以及第四绝缘材料，覆盖所述第四顶部电极并被配置为具有第四厚度，以调谐所述第四谐振器；串行配置，包括所述输入端口、所述第一节点、所述第一谐振器、所述第二节点、所述第二谐振器、所述第三节点、所述第三谐振器、所述第四谐振器、所述第四节点，以及所述输出节点；第一分路配置谐振器，耦合到所述第一节点；第二分路配置谐振器，耦合到所述第二节点；第三分路配置谐振器，耦合到所述第三节点；以及第四分路配置谐振器，耦合到所述第四节点；以及并行配置，包括所述第一分路配置谐振器、第二分路配置谐振器、第三分路配置谐振器，以及第四分路配置谐振器。9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述接地连接网络电路被配置为将所述第一分路配置谐振器、第二分路配置谐振器、第三分路配置谐振器以及第四分路配置谐振器耦合到所述电路接地节点。10.根据权利要求8所述的设备，其中，所述第一压电材料、第二压电材料、第三压电材料以及第四压电材料包括单晶材料，所述单晶材料包括氮化铝(aln)承载材料、氮化铝钪(alscn)承载材料、氮化镁铪铝(mghfaln)材料、氮化镓(gan)承载材料，或氮化镓铝(gaaln)承载材料。11.根据权利要求8所述的设备，其中，所述第一压电材料、第二压电材料、第三压电材料以及第四压电材料包括多晶材料，所述多晶材料包括氮化铝(aln)承载材料、氮化铝钪(alscn)承载材料、氮化镁铪铝(mghfaln)材料、氮化镓(gan)承载材料或氮化镓铝(gaaln)承载材料。12.根据权利要求1所述的设备，其中，所述baw谐振器设备包括呈梯形配置的多个串联谐振器设备和多个分路谐振器设备，其中，所述多个分路谐振器设备中的每一个通过所述接地连接网络电路耦合到所述电路接地节点。
13.根据权利要求12所述的设备，其中，所述串联谐振器设备中的每一个包括：基板；支撑层，覆盖所述基板，所述支撑层具有气腔；第一电极，覆盖所述气腔和所述支撑层的一部分；第一钝化层，覆盖所述支撑层并物理耦合到所述第一电极；压电膜，覆盖所述支撑层、所述第一电极，以及所述气腔，所述压电膜具有电极接触过孔；第二电极，形成在所述压电膜上方；以及顶部金属，形成在所述压电膜上方，所述顶部金属通过所述电极接触过孔物理耦合到所述第一电极。14.一种多级匹配网络滤波器电路设备，所述设备包括：体声波(baw)谐振器设备，具有输入节点、输出节点，以及接地连接区域；第一匹配网络电路，耦合到所述输入节点，其中所述第一匹配网络电路至少包括lc槽、第一串联电感器、第二串联电感器，以及接地电感器，其中所述第一串联电感器、所述lc槽以及所述第二串联电感器串联耦合，并且其中所述接地电感器耦合到所述lc槽和所述第二串联电感器之间的连接；第二匹配网络电路，耦合到所述输出节点；以及接地连接网络电路，耦合到所述接地连接区域和电路接地节点。15.根据权利要求14所述的设备，其中，所述baw谐振器设备包括呈梯形配置的多个串联谐振器设备和多个分路谐振器设备，其中所述多个分路谐振器设备中的每一个通过所述接地连接网络电路耦合到所述电路接地节点。16.根据权利要求14所述的设备，其中，所述第二匹配电路包括配置为第二电感梯形网络的多个第二串联电感器和多个第二接地电感器。17.根据权利要求14所述的设备，其中，所述接地连接网络电路包括一个或多个接地电感器。18.一种多级匹配网络滤波器电路设备，所述设备包括：体声波(baw)谐振器设备，具有输入节点、输出节点，以及接地连接区域；第一匹配网络电路，耦合到所述输入节点，其中所述第一匹配网络电路包括配置为第一电感梯形网络的多个第一串联电感器和多个第一接地电感器，其中所述第一电感梯形网络包括lc槽，其中所述lc槽耦合在一对所述第一串联电感器之间；第二匹配网络电路，耦合到所述输出节点，其中所述第二匹配网络包括配置为第二电感梯形网络的多个第二串联电感器和多个第二接地电感器，其中所述第二电感梯形网络包括分路电容器，其中所述分路电容器耦合在所述第二电感梯形网络的多个接地电感器之一与所述电路接地节点之间；以及接地连接网络电路，耦合到所述接地连接区域和电路接地节点。19.根据权利要求18所述的设备，其中，所述baw谐振器设备包括呈梯形配置的多个串联谐振器设备和多个分路谐振器设备，其中所述多个分路谐振器设备中的每一个通过所述接地连接网络电路耦合到所述电路接地节点。20.根据权利要求18所述的设备，其中，所述接地连接网络电路包括多个接地电感器。

技术总结
本申请涉及用于超宽带应用的RF BAW谐振器滤波器架构。本发明提供了一种多级匹配网络滤波器电路设备。所述设备包括具有输入节点、输出节点以及接地节点的体声波(BAW)谐振器设备。第一匹配网络电路耦合到输入节点。第二匹配网络电路耦合到输出节点。接地连接网络电路耦合到接地节点。第一或第二匹配网络电路可以包括电感梯形网络，所述电感梯形网络包括呈串联配置的多个串联电感器，和多个接地电感器，其中所述多个接地电感器中的每一个耦合到每一对连接的串联电感器之间的连接。电感梯形网络可以包括一个或多个LC槽，其中所述一个或多个LC槽中的每一个耦合在串联电感器和随后的串联电感器之间的连接之间，所述随后的串联电感器也耦合到接地电感器。感器也耦合到接地电感器。感器也耦合到接地电感器。


技术研发人员：吉列尔莫
受保护的技术使用者：阿库斯蒂斯有限公司
技术研发日：2021.08.16
技术公布日：2022/2/23